"rf sputtering" 검색결과 121-140 / 303건

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  디스플레이 제조공정 및 개요

  충돌하면 target 로부터 원자 또는 분자가 튀어 나오는 현상을 스퍼터링 (sputtering) 이라고 부른다 . ... 디스플레이 제조공정▣ INDEX 디스플레이 및 반도체 전체공정 진공공정 - 1)CVD - PECVD - 2)PVD -Vacuum evaporation - sputtering 리소그래피공정 ... 전자빔 증착 유도 가열 증착 RF 유도 가열 코일을 BN 으로 만들어진 도가니 주위에 감아 RF 전류를 흘려 가열시키는 방법이다▣ 스퍼터링 높은 에너지를 갖는 입자가 target 에

  리포트 | 30페이지 | 3,500원 | 등록일 2012.06.19 | 수정일 2015.12.14

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  각종증착장비에대하여...

  이러한 단점은 RF sputtering 함으로써 해결될 수 있으며 특히 낮은 Ar 압력에서도 plasma가 유지될 수 있다.RF sputtering은 금속 이외에도 비금속, 절연체, ... RF SputteringDC sput이 되지 않는다. ... RF sputtering에 비해 성막속도가 크다.? 박막의 균일도가 크다? Target의 재료가 금속으로 한정된다.? 높은 Ar압력이 필요하다.(10 ~ 15mTorr)?

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.04.13

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  Sputter 원리 및 종류 영어 발표자료

  3mbarPositive Ion &ElectronDischarge is maintained: Accelerated electrons ionize new ions bycollisions with the sputter ... PowerSupplyeTarget(Insulator)+++++++- - - - - - - -TargetAccumulation of electric loadDC methods can not be used to sputter ... of target & substrateType of Sputter RF Sputter..PAGE:12Plasma++Vacuum pumpTargetNNS자기장+eCathodeeePowerSupplyType

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.02.06

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  36XPS

  Ws, 박막 원소의 원자량 Wf, 박막 기질의 밀도 rf, rs, 박막 기질의 전자의 평균 자유 행로 lf,ls) S는 박막 F를 입히는 데에 사용한 기질이고 O는 박막 위에 생긴 ... , 각도 분해법 으로 비 파괴, 깊이 방향 분석 가능단점 분석 면적은 수십 ㎛ 이상(AES는 수십 ㎚) 분석영역이 크기 때문에 ion sputtering 병용에 의해 깊이 방향 분석시의 ... 단점장점 표면전하 변화의 영향이 AES보다 적으므로 절연체 시료 분석이 용이 X선 조사에 의한 시료 손상은 전자선 조사에 비해 경미하고, 화학상태분석, 정량 분석이 용이 Ion sputtering

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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  스퍼터링

  사용하고 세라믹은 RF sputter를 사용할까? ... 기초이론 및 원리1)스퍼터링(sputtering)이란? ... electron이 Ar과 충돌해서 ionization시켜서 Ar+를 만들고 Ar+이 ground state로 떨어지면서 빛을 낸다.2)스퍼터의 종류※왜 금속은 DC sputter를

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.11.16

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  CIS,CIGS

  RF sputtering법은 다른 디지털 회로에 noise의 발생 원인이 될 수 있으므로 시스템적으로 noise filter나 절연체에 의한 차폐와 접지가 중요하다.그림3 RF sputtering ... 이러한 교류전원을 인가전원으로 사용하는 스퍼터링 법을 교류스퍼터링(RF sputtering)법이라 한다. ... Magnetron은 타겟 밑이 놓으며 인가된 전원에 따라 RF-DC magnetron sputtring이라 한다.그림4 ma인 동시증착법과 스퍼터링법은 시료 물질이 진공 쳄버 내를

  리포트 | 18페이지 | 15,000원 | 등록일 2010.12.22 | 수정일 2022.08.12

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  [반도체 공학] pvd의 종류및 증착원리

  가스의 원자량이 클수록 sputter yield가 크기 때문에 argon 이 널리 사용된다.2) RF 스퍼터링RF 스퍼터링 장치는 절연체의 박막을 증착시키기 위하여 개발되었다. 5 ... 박막 증착에서 sputtering이라 하면 target 원자의 방출과 그 원자의 substrate에의 부착이라는 2가지 과정을 포함하는 개념으로 볼 수 있다. ... Target을 cathode로 하여 스퍼터링 할 때 주파수가 10 MHz 이상 되어야 효과적인 sputtering이 일어난다.

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.09.30

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  [박막공학]박막형성의 원리

  Simplified RF sputtering system [2].혹자는 RF를 사용하여 discharge를 하면 target이나 기판 모두가 스퍼터링 될 것으로 예상하기도 한다. ... 만일 충돌하는 입자들이 양의 이온(positive - ion)이라면 cathodic sputtering이라고 부르는데, 대부분의 스퍼터링은 cathodic sputtering이다.보통 ... yieldating power source를 사용하므로 부도체 재료를 스퍼터링할 수 있고 낮은 압력에서도 사용 가능하다는 장점이 있다.효과적인 sputtering을 위해서는 coupled

  리포트 | 30페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.12.27

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  각종 진공 펌프 원리 사용방법 sputter

  전원을 인가한다.⑥. shutter를 열어 박막을 제조한다.- 종류1) 직류 다이오드 스파터링(DC diode sputtering)진공으로 된 유리관에 양극과 음극의 두 전극을 넣고 ... 따라서 sputtering시 기판과 target과의 거리는 중요한 인자가 된다.- 사용 방법?. 기판을 Cleanning 한다. 기판은 주로 유리를 사용한다. ... , 앞의 직류 다이오드 시스템에서는 글로우 방전이 일어날 수 없기 때문에 sputtering 되지 않는다. capacitance C는 부도체 목표물을 등가 시킨 것일 뿐 아니라, 목표물이

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.03

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  진공증착과 음극스퍼터링

  대형기판에는 suppter가 이용되게 되었다.진공증착의 특징1. 막형성의 속도가 빠르다.(supper보다 몇배 빠르다.)2. 분자의 에너지가 적기 때문에 부착력은 약하다. ... 자기력선은 N에서 나와 S로 들어가는 동안에 캐소드 앞면 공간에 단면이 거의 반원형의 끈과 같은 모양으로 생긴다. ... 자기극은 N과S를 그림과 같이 배치한다. 자기장의 세기는 캐소드(음극)의 앞면에서 (자기력 선도 밀도 단위로)200에서 500G정도로 한다.

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.10.11

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  deposition 방법

  ”이라고 말한다.박막 증착에서 sputtering이라 하면 target 원자의 방출과 그 원자의 substrate에의 부착이라는 2가지 과정을 포함하는 개념으로 볼 수 있다. ... (Radio-Frequency) 스퍼터링(sputtering) 등을 이용해 왔으나 최근에는 엑시머 레이저를 이용하는 방법의개발이 이루어져 있다. ... 다만 CVD는 PVD보다 일반적으로 훨씬 고온의 환경을 요구한다.sputtering / 증착도금진공 속에 물건과 도금할 금속을 넣고, 금속을 가열하여 휘산(揮散)시켜서 물건 표면에

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.06.05 | 수정일 2013.12.01

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  GDS 실험

  일차적으로 각 일정한 조건에서 시료표면을 sputtering 하면서 발광되는 전자이 수를 count하여 시간에 따른 각 원소의 intensity를 도시한 다음 matrix-matched ... efficient in RF than DCPlasma potentiallower in RF than DCIon densitydrops more slowly away from the ... sample in RF than DCPlasma cellmore filled with argon ions than DCExcitationmore efficient in RF than

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.06

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  각종 진공 pump 원리 및 사용 방법

  Sputtering 증착법: RF Sputtering 증착법v RF sputter의 구조⑺. ... Sputtering 증착법: DC sputtering 증착법v DC sputter의 구조⑹. ... 이때 약하게 충돌한 이온은 cathode에 묻히게 되면서 제거되고, 강하게 충돌한 이온은 티타늄 cathode를 sputter하여 새로운 티타늄 표면을 형성하여 gettering으로

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.06.03

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  박막증착 공정과 식각 공정 자료입니다.

  In the case of elemental metals, simple dc sputtering is usually favored due to its large sputter rates ... When depositing insulating materials such as SiO2, an RF plasma must be used. ... by sputtering and in some cases by electroplating in most silicon technologies for two reasons.

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.23

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  ETCHING

  원통형 플라즈마 식각기 (Barrel Plasma Etcher) 20 등방성 Wafer 의 물리적 sputtering 이 아니기 때문에 plasma 손상 최소화 → 화학적으로 거의 ... generator (bias power) Inductively-coupled RF generator (source power) 35 7. ... Reactive Ion Etch (RIE) RF generator Wafer Powered electrode (cathode) Grounded electrode (anode) Ar

  리포트 | 56페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.12.24 | 수정일 2013.11.17

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  구리필름 전기적 특성

  radio frequency);고주파를 사용하면 절연체에서도 sputtering이 된다.금속이외에도 비금속, 절연체, 산화물, 유전체등의 sputtering이 가능하다.RF Sputtering의 ... -저온 증착이 가능-전자의 입사에 의한 기판의 손상-에너지의 비효율성-높은 working pressure⇒박막의 산화물, 절연물체일 때는 sputtering이 잘 되지 않는다.RF( ... 따라서 이산화규소를 사용하여 구리박막 자체의 저항을 측정하기 위해 이 산화규소를 사용한 것이다.② sputtering 증착-sputter의 chamber에 준비한 시편을 넣고 sputter에

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.14

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  박막의 증착 실험

  RF sputtering에 비해 성막속도가 크며 박막의 균일도가 크다. 높은에너지의 공정이므로 밀착 강도가 높다. ... Sputter etch(Back sputtering)에서는 기판에 -100V -200V 정도의 RF 또는 DC (-) bias를 걸어 주어, Ar+ ion을 기판에 충돌하게 함으로써 ... )직류전원을이용한 sputtering 방법으로 구조가 간단하며, 가장 표준적인 sputter 장치이다.

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2004.09.29

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  금속 박막증착

  구조가 간단하며, 가장 표준적인 장치이다.성장속도가 여러 종류의 금속에 대해 거의 일정하며, RF sputtering에 비해 성장속도가 크다.② RF 스퍼터: DC sputtering에서는 ... target이 산화물이나 절연체일 경우 sputtering되지 않는다.이러한 단점을 해결해주고 전반적으로 DC의 단점을 보완해 준다.그리고 일반적으로 사용되는 고주파의 주파수는 13.56MHz이다.장 ... 발생하고 플라즈마내의 Ar 양이온이 target으로 가속되어 target원자를 떼어내게 되어 반대쪽의 기판으로날아가서 박막을 형성하는 방법이다.① DC 스퍼터: 직류전원을 이용한 sputtering방법이며

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.08.24 | 수정일 2015.02.12

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  [전자공학] 박막형성법과 그성질

  이방법에는 Diode sputtering, RF sputtering, Triode sputtering, Magnetron sputtering, Unbalanced magnetron ... , modified RF magnetron sputtering다음 두 가지 방법이 기본이다.(1) metallic cathode·target은 깨끗한 금속표면으로 유지(화합물의 형성은 ... ·불활성 기체로 Ar이 탁월 - 값이 싸고, 무거워서 sputtering yield가 높다.② reactive processDC diode, RF diode, triode, magnetron

  리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.01.18

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  반도체공정 레포트 최종

  sputtering에서는 target이 산화물이나 절연체일 경우 sputtering이 되지 않는다. ... 장치이다.② 성막속도가 거의 일정하다.③ 전류량과 박막두께가 거의 정비례하므로 조절이 쉽다.④ RF sputtering에 비해 성막속도가 크다.⑤ 박막의 균일도가 크다.반면에 4가지 ... 이러한 단점은 RF s과정)⑥ 잔류 용제를 증발시켜 PR이 표면에 잘 붙게 하기 위해 105℃로 다시 약 3분간 hard baking 한다.⑦ 약 2분 30초간 에칭 한다.※ 에칭의

  리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.01.25

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