"rf sputtering" 검색결과 101-120 / 303건

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  DC 마그네트론 스퍼터링 장치를 이용한 Cu 증착률의 스퍼터링 압력 및 Power 의존성 조사

  (a) change of negative self-bias with RF discharge cycle and (b) plasma potential, cathode voltage and ... 스퍼터링(sputtering)스퍼터링(sputtering) 현상은 1852년 Grove에 의하여 처음 발견되었으며[3], 현재는 여러 가지 박막의 형성에 광범위하게 사용되어지고 있다 ... 만일 충돌하는 입자들이 양의 이온(positive-ion)이라면 cathode sputtering이라고 부르는데, 대부분의 스퍼터링은 cathode sputtering이다.보통 스퍼터링에는

  리포트 | 37페이지 | 6,000원 | 등록일 2008.01.16 | 수정일 2014.08.20

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  [금속공학실험]ZnO박막 실험

  만일 충돌하는 입자들이 양의 이온(positive -ion)이라면 cathodic sputtering이라고 부르는데, 대부분의 스퍼터링은 cathodic sputtering이다. ... 스퍼터링(sputtering) 현상은 1852년 Grove에 의하여 처음 발견되었으며[3], 현재는 여러 가지 박막의 형성에 광범위하게 사용되어지고 있다. ... etching으로 pre-cleaning이 가능하다.7) O2, N2 등의 reactive sputter로 산화물, 질화물 박막의 형성이 가능하다.3.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.05.25

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  ZrO2 MIM 캐패시터의 구조, 표면 형상 및 전기적 특성

  한국재료학회 김대규, 이종무

  논문 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  박막 증착에 관한 진공장비(시스템) 소개 및 원리 숙지

  모든 물질이 RF discharge에서 sputter되지만, 생성된 막이 target의조성과 반드시 일치하지는 않으며, 금속, 합금, 산화물, 질화물, 탄화물 등의 증착 등에 다양하게 ... adhesioncostevaporation < sputtering < PLD < MBEfilm qualityevaporation < sputtering < PLD < MBEgrowth ... 사용된다.c. triode sputteringㄱ.금속 필라멘트를 가진 제 3의 전극(simple biased conductor of thermionic electron source

  리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.04.21

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  메모리 반도체 제작 과정 및 이론 설명 ppt

  스퍼터 바이어스 스퍼터 진공증착법 저항가열증착 전자빔증착 고추파가열 증착 이온 플레이팅법RF sputtering ~10 −12 torr 0.5 torr to 10 −4 TorrMagnetron ... sputtering Pulsed Laser Depostion Ion Beam sputtering Thermal CVD Plasma enhanced CVD Metal-organic CVD ... sputteringMetallization 공정Assembly processElectrical die sortingAssembly processWafer sawingPackageAssembly

  리포트 | 72페이지 | 10,000원 | 등록일 2013.04.22 | 수정일 2023.04.24

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  KLN 스퍼터링용 타겟의 제조 및 코닝 1737 유리 기판위에 성장시킨 박막의 광학적 성질

  한국재료학회 박성근, 서정훈, 김성연, 전병억, 김진수, 김지현, 최시영, 김기완

  논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  Diode-3주차 예비레포트

  plasma, and those methods which use RF plasma are called RF sputtering methods, while those using direct ... on a basge voltage to be lowered RF superimposed DC sputtering is often used when creating an oxide ... .ⓑ RF sputtering methodsSputtering methods are classified according to the method used to generate argon

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.03.18

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  PVD (Physical Vapor Deposition), 물리 증착법

  얼마만큼 흡착되어지는가는 흡착계수 (sticking coefficient) s로 표시하게 된다.충돌입자의 수는로 계산되며 pa는 온도T에서의 평형가스압을 의미한다.표에 s를 1로 가정했을때 ... PVD 원리PVD의 원리는mation)에 의한 증발 대상 물질의 기체화2) 기화된 원자 또는 분자를 증발원(evaporation source)으로부터 기판(substrate)에로의 ... ◎PVD의 특징①고경도 (High hardness)②고밀도의 매우 치밀한 조직 (Extremely dense structure) → 표면압축응력 부여③평활표면 (Smooth surface

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.07.05

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  Photolithography 예비보고서

  RF sputtering법은 다른 디지털 회로에 noise의 발생 원인이 될 수 있으므로 시스템적으로 noise filter나 절연체에 의한 차폐와 접지가 중요하다. ... 포토리소그래피를 끝나면 sputtering을 진행한다. sputtering법은 sputtering 가스를 진공분위기로 이루어진 camber내로 주입하여 성막하고자 하는 target물질과 ... 이러한 교류 전원을 인가전원으로 사용하는 스퍼터링 법을 교류스퍼터링(RF sputterig)법이라 한다.

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.07.10

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  스퍼터링

  타겟 표면으로 입사되는 입자에 의해 sputter 되는 원자 이외에 또 다시 secondary electron 도 나오게 되는데 이들은 다시금 sputtering gas 를 때려 연쇄적인 ... 이 현상을 스퍼터링(sputtering) 현상이라고 부른다. ... 이러한 electron은 chamber안의 sputtering gas(주로 Ar)를 때리게 되고 sputtering gas는 다시 타겟 표면을 때리게 된다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.10

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  [발광디스플레이실험] Photolithography

  특히 dry etching의 경우 ion 가속만을 이용하는 IBE(ion beam etching)나 sputtering과 같이 magnetron을 이용하는 sputtering etching이 ... 일반적으로 sputtering 방법은 증착 속도가 느리고 증착할 수 있는 두께의 한계가 있으며 alloy나 ceramic 등과 같이 여러 물질이 조합된 물질을 증착할 경우에 조성비를 ... 증착(Deposition)1) Sputtering : DC 또는 RF magnetron을 이용하여 증착하고자 하는 물질의 target으로부터 입자를 떼어내어 특정 기판상에 옮겨 붙이는

  리포트 | 8페이지 | 10,000원 | 등록일 2013.06.14

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  Cu 박막 전기적 특성 분석

  RF sputtering는 교류전원을 이용하며 13.56Hz의 주파수를 가지며, 전도체뿐만 아니라 절연체, 비금속, 유전체를 target으로 하여 이용할 수 있으나, 증착속도가 제한되며 ... Magnetron sputtering은 Target의 뒷면에영구자석이나 전자석을 배열함으로써 전기장에 의해(RF 또는 DC)target로부터 방출되는 전자를target 바깥으로 형성되는 ... 자기장내에 국부적으로 모아 Ar 기체원자와의 충돌을 촉진시킴으로써sputter yield를 높이는 방법이다.DC sputteringRF sputteringMagnetron sputtering3

  리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2012.09.21 | 수정일 2015.09.17

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  RF 마그네트론 스퍼터를 이용하여 제작한 MGZO 박막의 구조적 및 전기적, 광학적 특성에 미치는 스퍼터링 전력의 영향

  한국재료학회 김인영, 신승욱, 김민성, 윤재호, 허기석, 정채환, 문종하, 이정용, 김진혁

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  Sputter 박막 제조법

  Sputtering의 종류5.1 DC Diode Sputtering5.2 RF Sputtering5.3 Magnetron Sputtering5.4 Reactive Sputtering6 ... .1.2 Sputter Deposition의 특징1.2.1 Sputter Deposition의 장점- 여러 가지 다른 재료에서도 성막속도가 안정되고 비슷하다.- 균일한 성막이 가능, step ... cathode에 (-)전압을 가하면 cathode로부터 방출된 전자들이 Ar기체원자와 충돌하여, Ar을 이온화시킨다.Ar + e-(primary) = Ar+ + e-(primary) + e-(secondary

  리포트 | 13페이지 | 4,000원 | 등록일 2012.12.11

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  [공학기술]박막 공정,PVD,증착,진공증착,스퍼터링 보고서

  고주파 스퍼터링(RF sputtering)37p4.4.3. 반응성 스퍼터링(reactive sputtering)38p4.4.4. ... 이 sputtering 방법은 보통의 sputtering과 동일하나, sputter 기체로서의 Ar 외에도 미량의 산소나 질소를 함께 공급해서 원하는 화합물의 박막을 얻을 수 있다.스퍼트 ... 스퍼터링- 음극스퍼터링(cathode sputtering)24p4.4.1. 직류스퍼터링(DC sputtering)34p4.4.2.

  리포트 | 70페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.08.16

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  플라즈마, Chemical Vapor Deposition 와 Physical Vapor Deposition

  Ionization of RF magnetron sputtering is mainly affected electrons which perform an oscillating motion ... Vf (RF DC) Ref. ... The sputter deposition chamber can have a small volume.

  리포트 | 28페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.06.18

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  [발광디스플레이 실험] Sputtering

  발광디스플레이 실험 – sputtering실험 목적 : sputtering을 통해 금속을 증착 시키는 방법과 장비의 사용법을 숙지하며, sputtering 시간과 증착 되는 두께 사이의 ... 비활성 가스인 Ar을 사용한다.실험방법:1. sputtering 장비는 좌측과 같이 생겼다. ... 플라즈마가 생긴 왼쪽의 상태로 10있는 손잡이를 이용해 shield를 치워낸다. 치워 냄과 동시에 glass에 sputtering이 되기 시작한다.17.

  리포트 | 8페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.01.01

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  CIS,CIGS

  systemRF sputtering systemmagnetron sputtering system태양광발전의 경제성을 향상시킬 수 있는 저가, 고효율의 태양전지 재료로 부각되고 있다실리콘 ... 스퍼터링법장점단점간단한 구조 저렴한 구성대면적화의 어려움 진공장치 내부의 심각한 오염 양질의 박막 제작이 힘듬미국의 국립재생에너지연구소 19.5%의 에너지변환효율스퍼터링 기술의 모식도DC sputtering

  리포트 | 23페이지 | 15,000원 | 등록일 2010.12.22 | 수정일 2022.08.12

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  [전자공학]Sputter

  , modified RF magnetron sputtering다음 두 가지 방법이 기본이다.(1) metallic cathode? ... 불활성 기체로 Ar이 탁월 - 값이 싸고, 무거워서 sputtering yield가 높다.② reactive processDC diode, RF diode, triode, magnetron ... 간단하나 sputtering 속도가 느리다. (∵ 대부분의 화합물 target은 sputtering yield 가 작고 이차 전자의 방출량이 많다.)?

  리포트 | 21페이지 | 3,000원 | 등록일 2005.09.13

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  ITO Glass

  이러한 단점은 RF sputtering 함으로써 해결될 수 있으며 특히 낮은 Ar 압력에서도 plasma가 유지될 수 있다.RF sputtering은 금속 이외에도 비금속, 절연체, ... 기판이 과열되기 쉽다.2) RF Sputtering : DC sputtering에서는 target이 산화물이나 절연체일 경우 sputtering이 되지 않는다. ... RF sputtering에 비해 성막속도가 크다.? 박막의 균일도가 크다? Target의 재료가 금속으로 한정된다.? 높은 Ar압력이 필요하다.(10 ~ 15m Torr)?

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.17

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