"rf sputtering" 검색결과 181-200 / 303건

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  sputter deposition에 대한 이해

  RF sputtering(1) sputtering plasma 발생 oscillating power source를 사용하므로 DC방법보다 많은 장 점이 있다.- 부도체재료를 sputter ... Basic aspects of sputtering1.1. ... cathode enhanced magnetron이온화를 높이기 위해 magnetron source 앞에서 직접 hollow cathode discharge가 이용 됨.2 RF voltage

  리포트 | 20페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.09.07

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  반도체 입문교제(Metal)

  전자가 target 부근에서만 운동하므로, 실제로 sputtering이 일어나는 target 표면 근처에서 Ar을 집중적으로 이온화시킬수 있다. ... Overhang: 비아/콘택 홀 상부의 모서리, 스파터링시 이 모서리에 증착된 금속이 홀 하부 측벽 에 금속이 증착되는 것을 방해한다.METAL 공정RF coil금속 입자전자secondary ... 다음 sputter 방식으로 Ti이나 Co를 증착한후, RTP(Rapid Thermal Process) 열처리를 실시하면 Ti이나 Co가 Si과 접촉한 부위에서만 Silicide(TiSi2

  리포트 | 30페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.11.08 | 수정일 2016.05.08

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  RF plasma레포트입니다.

  이러한 현상 때문에 부도체를 이용하여 sputtering 또는 etching할 경우에는 교류 전원을 사용한다. ... 약 1 MHz이상의 진동수가 되어야 discharge가 거의 연속적으로 일어난다.따라서 5∼30 MHz 범위의 진동수를 갖는 RF가 사용되고 있다. ... 이 GH사이도 또한 (-)특성을 저항과 전원전압을 적당히 조절하지 않으면 그 사이의 현상을 실현하기는 대단히 어렵다.RF glow discharge종종 전기적 부도체를 target

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.03

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  이온플레팅

  또 다른 특징으로 sputtering에 의한 모재 표면의 청정화이다. ... Triode ion plating, Magnetron ion plating, Hollow cathode를 이용한 ion plating, rf bias ion plating등 일반적으로

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.07.02

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  MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)

  : RF sputter를 이용하여 상온에서 High-k dielectirc을 증착시킨다. ... .(2) Gate dielectric deposition① Thermal oxidation : furnace를 이용하여까지 온도를 올려 oxide를 성장시킨다.② Reactive sputtering ... 2분간 현상시킨뒤, D.I water에 넣고 1분간 세척한다.⑤ 웨이퍼표면의 물기를 제거한 후, 마스크의 패턴모양대로 PR이 잘 형성되었는지 확인한다.(4) DepositionDC sputter를

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.26

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  박막 재료

  rise of films during plasma processing*One of the important common issues in both plasma etching and sputtering ... *Microwave and high density plasma reactors-To address the shortcomings of the foregoing RF etching reactors ... decade or so, employ RF power that is inductively coupled, rather than capacitively coupled as in parallel-plate

  리포트 | 31페이지 | 4,000원 | 등록일 2010.05.13

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  드라이에칭

  일반적으로 플라즈마와 같이 gas 를 이용하거나 , 이온주입이나 sputtering 등과 같이 이온 이나 전자 를 이용한 식각 . 1. ... 스퍼터 식각 (sputter etching) 2. 화학적 식각 (chemical etching) 3. 이온보조식각 (ion enhanced etching) 4. ... 결합 이온화 원자와 반응 가스를 다양한 반도체 , 금속 , 산화물 , nitrides 및 기타 재료를 에칭하는 능력의 플라즈마를 만드는 고주파 에너지를 (RF) 이용한 드라이 에칭

  리포트 | 25페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.06.02

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  건식식각

  일반적으로 플라즈마와 같이 gas 를 이용하거나 , 이온주입이나 sputtering 등과 같이 이온 이나 전자 를 이용한 식각 . 1. ... 스퍼터 식각 (sputter etching) 2. 화학적 식각 (chemical etching) 3. 이온보조식각 (ion enhanced etching) 4. ... 결합 이온화 원자와 반응 가스를 다양한 반도체 , 금속 , 산화물 , nitrides 및 기타 재료를 에칭하는 능력의 플라즈마를 만드는 고주파 에너지를 (RF) 이용한 드라이 에칭

  리포트 | 25페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.06.13

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  lcd 개론

  Sputtering금속막 및 투명전극의 박막 증착에 사용• 원리: Ar 가스에 플라즈마 방전을 일으켜 이 때 생성되는 Ar+ 이온으로 target 금속(증착 물질)을 sputtering ... Target의 둘레와 뒷 쪽에 자석을 설치하여Magnetic Field 가 Secondary Electron 을 격리시켜 sputtering이 원할히 일어나도록 함.• Reactive ... (통상적으로 RF 방전 이용)• Magnetron Sputtering 방법: DC Plasma 이용.

  리포트 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.09.24

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  [공학]Al thin film and PVD

  to replenish lost electron - ac voltage - “ rf sputtering ” - RF Sputtering Requirements (a) ~(e)Physical ... (electrode, target) : large dark-space voltage - strong sputtering (e) RF power 와 glow discharge의 연결 ... Reactive sputtering ex.

  리포트 | 25페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.02.05

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  플라즈마에 관하여

  Cathode 면은 양전위를 띠게 되어 이온은 더 이상 오지 못하게 되고, 플라즈마 내부의 전기적 평형 상태가 깨지게 되어 수 초 내에 플라즈마가 없어지게 된다.이러한 현상 때문에 부도체를 sputtering ... 그런 이유로 각 입자의 운동속도도 아주 큰 차이를 보이는데 이는 sheath, debye shielding 같은 현상을 초래한다.- 자기적 특성 : 플라즈마 내부에 있는 전자와 이온들은 ... 이러한 자기적 특성을 이용하면 전압을 상승시키지 않고 높은 밀도의 플라즈마를 생성시킬 수 있다.DC에서의 플라즈마 / RF에서의 플라즈마- DC를 사용할 때 Cathode가 전기를

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.31

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  반도체공정 (Deposition & Evaluation)

  reactive sputteringFigure 1.10 Simple parallel plate DC diode sputtering system② RF sputteringRF sputtering ... 1.11 RF sputtering system효과적인 sputtering을 위해서는 coupled electrode(target)의 크기가 direct electrode의 크기보다 ... of sputtering targe① DC sputtering (diode or cathode sputtering)고정된 전압에서 압력이 증가함에 따라 전자의 mean free path

  리포트 | 39페이지 | 4,500원 | 등록일 2007.01.27

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  증착법, 스퍼터링, 박막 공정 (THIN FILM PROCESS)의 기초

  (글로유방전)전자기판Ar+이온Ar원자스파터링목표물양극물냉각음극(-)DC sputtering 시스템의 개략도물리 기상 증착법(Sputtering)DC sputtering 증착 과정Ar ... ) 위에 증발 또는 sputtering을 사용하여 발생시킨 증기를 축적하여 필름을 성장 시키는 방법. ... 글로우 방전은 DC 또는 AC(RF systems)에 의해 이루어 짐.플라즈마 생성 과정 전압이 가해지지 않았을 때 가스는 중립의 원자 상태로 존재함.

  리포트 | 41페이지 | 5,000원 | 등록일 2007.10.17 | 수정일 2014.08.27

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  Investigation on TiN+WC prepared by AIP and Magnetron sputtering

  Magnetron sputtering process of WC (RF) + Ti확인. ... Magnetron sputtering시 TiN은 DC Power를 사용하였고 WC는 RF Power를 사용. ... Process of AIP and Magnetron sputteringAIP and Magnetron sputtering 공정 조건입니다.

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.07.07

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  Ultrasonic spray pyrolysis 장비를 이용한 TCO 증착(Al-doped ZnO제작)

  성장속도가 여러 종류의 금속에 대해 거의 일정하며, RF sputtering에 비해 성장 속도가 크다.Q1. ... 이러한 단점은 RF sputtering함으로써 해결될 수 있으며 특히 낮은 Ar 압력에서도 plasma가 유지될 수 있다. ... TiO2를 증착하고자 할 때 가능한 장비-> RF sputter, TiO2가 산화물이기 때문에 전류가 흐르지 못하고 방전 유지불가 하다.

  논문 | 26페이지 | 8,000원 | 등록일 2017.09.28

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  DSSC

  cathodic electrodeposition, rf-magnetron sputtering, Chemical vapor dsposition 등이 있다.이런 차단층의 조건 또한 매우 ... 실험 목적dye-sensitized solar cell(DSSC) 태양전지의 원리와 Cell의 제작과정을 익힘으로써 태양전지를 완벽히 이해하고 TiO2의 Sputtering두께와 Screen ... 두 가지가 섞여 있으면 빛의 scattering이 좋아져서 효율이 단일상으로 존재할 때 보다 우수하게 나타난다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.25

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  화공과-기기분석-원자 흡수분광법(예비레포트)

  사이에 약 300V의 전압을 걸어주면 충진 기체의 이온화가 일어나 양이온이형성되고, 이 양이온들은 음극표면 쪽으로 끌려가 충돌하여 일정 에너지(문턱진동수)가되면 금속원자를 떼어내는 sputtering현상이 ... ), 500 - 800℃로 되게전류를 증가시켜 회화하여 유기물을 열분해(aching step) 한 다음 1,500 - 2,800℃에서원자화(atomization step) 하여 흡광도를 ... 감긴 ceramic holder에 넣어 만든 것으로 석영으로 된 창을 주로 이용한다.RF코일에 충분한 전력이 공급도면 유도에너지가 발생하여 lamp내의 원소가 들뜨게되어 특성 스펙트럼이

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.04.15

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  물질 유전 상수 측정

  sputter를 이용하여 High-K dielectric을 증착한다. ... 절연체 위에 원하는 모양의 패턴을 형성하기 위해 감광제를 스핀코팅을 통하여 입히고 Baking을 거쳐 UV를 통과시킨 후 현상과정을 거쳐 필요없는 부분을 제거한다.④증착- DC sputter를 ... Piranha cleaning을 이용하여 이물질들을 먼저 제거한 후 HF를 이용하여 자연 산화막을 제거한다.②게이트 유전체 증착- 열적산화를 통하여 웨이퍼에 산화막을 성장시키고, RF

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.10

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  박막증착

  비균형적인 스퍼터링이 불리한전도 plasma의 밀도가 낮아서 target의 효율과 sputter rates가 낮아진다는 것이다.(5) E-Beam 일반적인 증착 /반응적 증착E-Beam ... 아마도 단원자들은 DC 스퍼터링에 반응하고 화합물은 RF/Pulsed DC Sputtering이나 반응성 DC Sputtering에 반응한다. ... (일반적인 마그네트론 스퍼터링의 자기장sma를 사용한다. 박막이 더 낮은 기판온도에서 만들어지므로 PECVD는 온도에 민감한 박막이나 기판용이 선호된다.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.06.05 | 수정일 2013.12.01

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  [A+] LCD 디스플레이 개념, 특성, 분류, 형대, 구동방식 및 동작방식, 제조공정 방법 구조 분석

  PECVD 와 sputtering 방식으로 증착함 PECVD 의 원리 : 플라즈마의 이온 분해 SiNx 와 a- Si:H 박막생성 Sputtering 의 원리 : 금속표면의 원자 이동현상 ... A-Si TFT 의 구조와 공정 PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)Sputtering 공정 ( 증착공정 ) Sputtering 은 RF ... LCD 종류 및 특성분석 – 스메틱 , 네마틱 , 콜레스테릭 (1) 스메틱 ( smectic ) (2) 네마틱 ( nematic ) (3) 콜레스테릭 ( cholesteric ) 4

  리포트 | 33페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.04.26

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