"rf sputtering" 검색결과 201-220 / 303건

• 

  [금속재료공학]스퍼터링

  박막증착은 특히 반도체산업에서 핵심적인 분야인데 그동안 이온 빔(ion-beam), 전자 빔(electron-beam) 또는 RF(Radio-Frequency) 스퍼터링(sputtering ... RF sputtering법은 다른 디지털 회로에 noise의 발생 원인이 될 수 있으므로 시스템적으로 noise filter나 절연체에 의한 차폐와 접지가 중요하다.마그네트론 스퍼터링 ... 이러한 교류 전원을 인가전원으로 사용하는 스퍼터링 법을 교류스퍼터링(RF sputterig)법이라 한다.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.05.15

  다운로드 장바구니
• 

  박막의 제조방법

  스퍼터율(sputter yield)사. ... 또 metering 밸브가 source마다 하나씩 달려 있어 source 각각의 압력을 조절할 수 있으며 convertron gauge 로서 각각의 압력을 조절할 수 있다. ... Sputtering)(나) 삼극 스퍼터링(Triode Sputtering)(다) 자기 스퍼터링(Magnetron Sputtering)(라) 이온빔 스퍼터링(Iom-beam Sputtering)② RF

  리포트 | 52페이지 | 3,000원 | 등록일 2006.12.06

  다운로드 장바구니
• 

  Dry etching(건식 식각) - 대본

  Ion milling : 이온의 가속을 통하여 표면 atom 을 sputtering 시켜 식각함 , Anisotropy 가 큼, 불활성 기체(대부분 아르곤을 많이 사용) 사용하여 화학응이 ... RIE : RF 전원에 의해 플라즈마가 생성됨(자유전자가 질량이 낮으므로 더 많이 움직이고 그러므로 더 많이 와이퍼에 부딪혀서 흡수된다. ... 전혀 없어서 화학반응이 없는 다양한 substrate 를 식각할 수있다. but selectivity사 낮다.

  리포트 | 1페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.03 | 수정일 2017.02.17

  다운로드 장바구니
• 

  박막증착

  진공증착과 이온도금의 증착률은 sputtering의 도금률보다 매우 높다.Table2.1 증착방법에 따른 증착률증착방법증착률(Å/min)진공증착100~250000이온증착100~250000sputtering25 ... 박막 증착에서 sputtering이라 하면 target 원자의 방출과 그 원자의 substrate에의 부착이라는 2가지 과정을 포함하는 개념으로 볼 수 있다. ... 고주파 전원으로는 RF(13.56 MHz)와Microwave(2.47GHz)를 대표적으로 사용하고 있다.

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.06.27

  다운로드 장바구니
• 

  기기분석 AAS (원자흡수분광법) 결과 레포트

  걸어 주어 기체를 방전, 이온화시키고, 이 때 생기는 불활성 기체의 양이온으로 음극을 때리게 하면 음극 표면의 금속 원자가 음극 표면으로부터 떨어져 나오면서 원자 그름을 만든다(sputtering ... EDL은 적은 양의 순수한 금속이나 요오드화물을 넣은 실리카제 진공관을 낮은 압력의 불활성 기체와 함께 라디오 주파수(RF)의 코일이 감긴 공동에 넣고, RF 코일에 27 MHz의 ... stage)로 나눌 수 있다.

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.11.11

  다운로드 장바구니
• 

  evaporator의 원리 및 이론

  E-beam Evaporation증착방법에 따른 굴절률 (TiO2)- E-beam evaporation, ARE : 2.2~2.35 IAD : 2.35~2.5 IP, Ion beam sputter ... Plasma Asun power supply DC power supply MFC lead out Thickness monitor RF generator Vacuum gauge controllerPAEBE ... discharge 에서 Self-bias생성이온과 전자의 이동도 차이에 의한 self-bias 생성PRF: input RF power P : gas pressure3.

  리포트 | 31페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.24

  다운로드 장바구니
• 

  스퍼터링

  sputtering yield 특징 ? ... 그 cathodic sputtering이다. ... 일반적으로 sputtering yield는 이온의 에너지와 질량이 증가하면 증가한다.그러나, 이온의 에너지가 너무 크면 이온 주입이 일어나 오히려 sputtering yield는 감소한다

  리포트 | 23페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.04.13

  다운로드 장바구니
• 

  ITO Glass에 대한 소개와 쓰임

  다른 진공 코팅방법에 비하여 작업조절이 용이하고 0.50.60.70.61.00.60.7금속의 sputtering yield(atom/ion)NSIB(Negative Sputtering ... 100tons/㎡의 접착력)NSIB의 원리● Cs 환경에서 target 표면의 work function이 감소되어 표면에서의 전자의 밀도가 현격하게 증가하게 된다.● 이 전자들은 sputtering시 ... 반응과정이 아니며, 기계적 과정에 의해 증기상을 만드는 방법으로 어느 재료의 표적재료도 사용할수 있는 장점이 있으며, 일반적으로 DC방법을 사용하나 비전도성 표적재료인 경우는 AC과정인 RF전위를

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.14

  다운로드 장바구니
• 

  [공학]Sputtering을 이용한 시간에 따른 ITO 증착의 특성

  sputtering1) sputtering plasma 발생 oscillating power source를 사용하므로 DC방법보다 많은 장점이 있다.2) 주파수가 50kHz이상이면 ... 효과적인 sputtering을 위해서는 coupled electrode의 키기가 direct electrode의 크기보다 작아야 한다. ... Pre sputtering을 한 후 증착 한다.1) ITO 타겟이 셔터로 막힌 상태에서 플라즈마를 생성 하여 타겟 위에 불순물을 없애고, 플라즈마가 안정하게 될 시간을 준다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.01.18

  다운로드 장바구니
• 

  Bioelectrochemistry

  일반적으로 sputtering 방법은 증착 속도가 느리고 증착할 수 있는 두께의 한계가 있으며 alloy나 ceramic 등과 같이 여러 물질이 조합된 물질을 증착할 경우에 조성비를 ... micron) 두께로 특정 기판 상에 올리는 일련의 과정을 지칭하며 이러한 방법으로는 thermal evaporation(열증착), e-beam evaporation(e-beam 증착), sputtering ... 증착(Deposition)1) Sputtering : DC 또는 RF magnetronevaporation의 방법으로는 thermal evaporation과 e-beam evaporation

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.21

  다운로드 장바구니
• 

  [공학]FCCL

  ³을 유지하고, Ar은 35sccm을 흘려준다. 15nm 증 착을 위해,45초를 유지한다.④ Cu 증착도 sputtering 을 이용하여 증착한다.sputtering장치에서 셔터를 ... 활성 가스는 O₂는 12 sccm, Ar은 30sccm을 주입한다.가스를 주입하면 진공도가 다시 상승한다.이 상태에서 RF power 20w로 전기를 걸어준다. ... 그 상태에서 FV 켜고, HIV 켠다. free sputtering을 실 시한다. Ar 가스를 100 sccm 흘려준다.

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.01.18

  다운로드 장바구니
• 

  기존 PRAM의 문제점 해결방안

  주입된 붕소의 농도는 붕소 target에 인가되는 RF sputtering power로 조절하였으며 주입된 붕소의 농도는 Auger Electron Spectroscopy(ASE)로 ... 먼저 붕소를 Ge2Sb5Te5 박막내에 균일하게 주입하기위해 붕소 target과 Ge2Sb5Te5 target을 사용하여 co-sputtering방법으로 박막을 형성하였다. ... 결론상변화 메모리의 기억재료인 Ge2Sb5Te5에 붕소를 GST target과 co sputtering을 통해 주입을 한 GSTB박막의 주입된 농도에 따른 특성은 다음과 같다.

  리포트 | 11페이지 | 무료 | 등록일 2007.10.08 | 수정일 2018.11.24

  다운로드 장바구니
• 

  Plasma (RF Sputtering) / Working pressure / Oxygen partial pressure / XRD / SEM / AFM / TEM

  Plasma (RF Sputtering)A. ... Theory (simple)- AFM이란 Atomic Force Microscope의 약자로, STM과 비슷하지만 STM의 문제점을 대부분 해결한 장치이다. ... Theory (simple)- XRD란 X-Ray Diffraction의 약자로서 X-ray를 어떠한 샘플에 투사하면 X선이 산란 및 회절을 하게 되는데 이러한 회절 패턴을 분석하는

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.12.23

  다운로드 장바구니
• 

  진공증착 (Sputtering)_pre

  이 과정을 스퍼터 식각, 리버스 스퍼터링(reverse sputtering) 또는 이온 밀링(ion milling)이라 한다.트라이오드 스퍼터링은 가스를 이온화시키는데 필요한 전자를 ... 금속막의 스퍼터링에는 DC 바이어스를 건다.RF 바이어스는 노출된 웨이퍼를 식각하고 세척한다는 또 다른 정점을 준다. ... ℃203060605020-195℃656570706090위 표는 실온과 액체질소 온도 하에서의 전형적인 TSP pumping speed를 나타낸 것으로, TSP pumping speed는

  리포트 | 9페이지 | 5,000원 | 등록일 2011.06.10

  다운로드 장바구니
• 

  박막증착 (박막공정)

  물리 증착은 증발(evaporation), 스퍼터링(sputtering), 이온 플레이팅(ion plating), 아크증착(arc deposition), 이온 빔 보조증착 (ion ... PVD (Physical Vapor Deposititon)PVD(physical vapor deposition, 물리 기상 증착)은 보통 evaporation, sputtering ... DC 또는 RF magnetron을 이용하여 증착하고자 하는 물질의 target으로부터 입자를 떼어내어 특정 기판 상에 옮겨 붙이는 공정이다.

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.04.13

  다운로드 장바구니
• 

  박막 증착 방법, 종류

  이 이온충격에 의해서 튀어 나온 분자 또는 원자가 (+)극의 기판에 붙어서 박막이 형성되는 것이다.스퍼터링의 종류에는 DC sputtering, RF sputtering, bias ... sputtering, magnetron sputtering 등이 있는데, 특히 magnetron sputtering은 고속 스퍼터링 방법으로서 다방면에서 주목받고 있다.스퍼터링의 응용분야는 ... 얻을 수 있기 때문에 최근 표면경화의 한 수단으로 주목을 받고 있다.PVD법을 크게 분류하면 ① 이온을 이용하지 않는 진공증착(evaporation), ② 이온을 이용하는 스퍼터링(sputtering

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.11.14

  다운로드 장바구니
• 

  CVD 와 PVD 코팅

  PVD의 종류 및 원리1) Evaporation(2원 증착법, 플래쉬 증착법) - 진공중에 박막 물질을 가열, 증발시켜 그 증기를 증착 - 증발 과정이 열교환 과정으로 sputtering와 ... 교환빈도가 적어 연속화 작업이 용이 5) 반응성 가스를 혼합시켜 화합물의 증착이 가능 단점 1) Sputter 조건을 결정하는 인자를 독립적으로 변화시키는것이 어려움 2) 형성되는 막에 sputter ... 원소를 별도로 증발시켜 독립적으로 제어하는 방법 플래쉬 증착법 : 합금을 분말 또는 립으로 하여 고온의 히터속에 떨어뜨려 순간적으로 증발시키는 방법2) Sputtering 법(DC, RF

  리포트 | 22페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.04.05

  다운로드 장바구니
• 

  플라즈마

  Cathode 면은 양전위를 띠게 되어 이온은 더 이상 오지 못하게 되고, 플라즈마 내부의 전기적 평형 상태가 깨지게 되어 수 초 내에 플라즈마가 없어지게 된다.이러한 현상 때문에 부도체를 sputtering ... 그런 이유로 각 입자의 운동속도도 아주 큰 차이를 보이는데 이는 sheath, debye shielding 같은 현상을 초래한다.◎ 자기적 특성 : 플라즈마 내부에 있는 전자와 이온들은 ... 이러한 자기적 특성을 이용하면 전압을 상승시키지 않고 높은 밀도의 플라즈마를 생성시킬 수 있다.■ DC에서의 플라즈마 / RF에서의 플라즈마DC를 사용할 때 Cathode가 전기를

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.03.24

  다운로드 장바구니
• 

  [나노입자]나노 입자 제조 및 분석 방법

  RF sputtering법은 다른 디지털 회로에 noise의 발생 원인이 될 수 있으므로 시스템적으로 noise filter나 절연체에 의한 차폐와 접지가 중요하다.- 마그네트론 스퍼터링 ... 또한 발생 입자가 상당히 넓은 크기 분포를 가지며, 일반적으로 기본입자가 강하게 tering 법· sputtering 의 원리- sputtering법은 sputtering 가스를 진공분위기로 ... 이러한 교류 전원을 인가전원으로 사용하는 스퍼터링 법을 교류스퍼터링(RF sputterig)법이라 한다.

  리포트 | 32페이지 | 2,500원 | 등록일 2006.05.28

  다운로드 장바구니
• 

  [공학기술]박막

  (Sputterring)RF sputter의 구조DC sputter의 구조Sputtering의 구조Evaporation증발 과정 시, 증발체는 보통 높은 진공 상태에서 열이 가해짐 ... ), 응력(stress) 조절 가능 전 처리 청결 공정 가능 (sputter cleaning) 단점: 고가 장비 낮은 증착률(SiO2) 고진공이 아니므로 불순물 증착Sputterring스파터링 ... 물질: 증발 증착법은 금속만 가능한 반면 sputtering 증착법은 어떤 물질이 나 가능함Sputtering 과 Evaporation 비교Sputtering 증착법 은 증발 증착법에

  리포트 | 38페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.05.23

  다운로드 장바구니