"rf sputtering" 검색결과 161-180 / 303건

• 

  나노 구조 제작 방법

  sputtering Pulsed Laser Depostion Ion Beam sputtering Molecular beam epitaxy CVD : Chemical Vapor Deposition ... wafer 산화막 wafer 산화막 Photo LithographyCVD PVD PVD : Physical Vapor Depostion Thermal evaporation DC or RF ... /~std/newpages/Sputter.htm Sputtering – 충남대학교 표면처리 연구실 참고자료감사합니다{nameOfApplication=Show}

  리포트 | 19페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.03

  다운로드 장바구니
• 

  E-Beam Sputtering

  조절이 쉽다.- RF sputtering 에 비해 성막속도가 크다.- 박막의 균일도가 크다.- 높은 에너지의 공정이므로 밀착강도가 높다. ... 등의 절연체의 경우에도 성막속도가 크다.- 유전체 재료의 sputter 또는 reactive sputter가 가능- 주어진 input power에서 성막속도가 일정☞단 점- 자기장이 ... target 표면에 수직으로 들어오고 나가도록 해야함- 자기장 근처에서의 선택적인 sputter로 target의 소모성이 크다- 자성재료 등의 sputtering시 자기장이 target

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.12

  다운로드 장바구니
• 

  방사선 응용 및 실험 (Sputtering의 원리, HgI2, Diffusion Pump, Rotary pump, 진공, Magnetron sputtering)

  전기장에 의해(RF 또는 DC)target로부터 방출되는 전자를 target 바깥으로 형성되는 자기장내에 국부적으로 모아 Ar 기체원자와의 충돌을 촉진시킴으로써 sputter yield를 ... .- 충돌 시 Ar은 중성 상태로 돌아가고 이온화 된 후 다시 충돌하는 과정을 반복함.[3] Magnetron sputtering- Target의 뒷면에 영구자석이나 전자석을 배열함으로써 ... 구조를 살펴보면 고정된 정지자(stator)가 있고 그 속을 회전자가 회전하게 되는데 회전자의 크기가 약간 작고 그 회전 중심이 정지자의 중심으로부터 약간 어긋나 있는 것이 특징이다

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.10.20

  다운로드 장바구니
• 

  리소그라피와 패터닝

  sputtering Pulsed Laser Depostion Ion Beam sputtering Molecular beam epitaxy CVD : Chemical Vapor Deposition ... 패턴을 얻기가 쉽지 않음 레이저 패터닝Motivation - CVD PVD PVD : Physical Vapor Depostion Thermal evaporation DC or RF ... /~std/ newpages /Sputter.htm Sputtering – 충남대학교 표면처리 연구실 참고자료감사합니다 2009.11.05.Thu 화학문헌학{nameOfApplication

  리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.06.05

  다운로드 장바구니
• 

  때려내기에 의한 박막증착

  우리는 박막을 증착시키기 위하여 이러한 sputtering 증착법을 사용하였다.인가하는 전원의 종류에 따라 DC와 RF sputtering 법으로 나뉘는데, 우리는 이번 실험에서 아래 ... 그 결과, 음극 표면의 원자가 튀어 나오는데, 이 현상을 sputtering 이라고 부른다. sputtering 된 원자를 기판에 증착시킴으로써, 박막을 형성할 수 있는데 이러한 성막 ... 그림과 같은 DC sputtering 법을 사용하여 박막을 증착시켰다.그림 SEQ 그림 \* ARABIC 1 Basic DC sputtering system실리콘 기판을 적당한 크기로

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.01.31

  다운로드 장바구니
• 

  스퍼터링(sputtering deposition)의 이론 및 원리

  불가능Sputtering (RF sputtering)• 원리 - 고주파의 주파수 영역 : 공업용 해당 주파수인 13.56 MHz - 고주파 전위를 전극에 걸어주었을 때 음의 반주기 ... 교환하여 표면에서 밖으로 튀어 나오는 현상[충돌 전][충돌 후]Sputtering (장치)Ar g a sDC/RF 전원MFC기판전극기판plasmaRotary pumpDP/TM pumpMain ... 동안은 양이온을 끌어들여 sputtering 양의 반주기 동안은 전자를 끌어들여 축적된 양전하를 중화 시켜 방전을 지속시킴 • 장점 : 거의 모든 물질을 sputtering • 단점

  리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.24

  다운로드 장바구니
• 

  각종 진공 펌프 원리 사용 방법 sputter 1

  증착조건RF magnetron sputter를 이용하여 80 mA로 5분간 상온에서 증착 한다.(working pressuertorr)3. ... 이때 약하게 충돌한 이온은 cathode에 묻히게 되면서 제거되고, 강하게 충돌한 이온은 티타늄 cathode를 sputter하여 새로운 티타늄 표면을 형성하여 gettering으로 ... 갖고 있는 이온이 음극 표면의 수천 개의 격자형 원자와 격렬하게 충돌하여 제 1층 또는 제 2층에 있는 원자의 어떤 것을 격자 형태로부터 뜯어내어 공간을 튀어나가게 하는 데 이것이 sputtering

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.03

  다운로드 장바구니
• 

  [LCD실험] Color filter 제작 및 분석

  일반적으로 sputtering 방법은 증착 속도가 느리고 증착할 수 있는 두께의 한계가 있으며 alloy나 ceramic 등과 같이 여러 물질이 조합된 물질을 증착할 경우에 조성비를 ... 용액의 농도에 따라 변하므로 흡광도 A=log(1/광계수, c : 몰농도, l : 샘플의 길이 )공정 process1)증착(Deposition)1) Sputtering: DC 또는 RF ... 현상액으로는 크게 염기성의 수용액과 solvent류가 있다.

  리포트 | 9페이지 | 10,000원 | 등록일 2013.06.14

  다운로드 장바구니
• 

  [발광디스플레이 실험] CNT소자의 제작과 특성평가

  실험 도구 및 실험 방법1) Experimental instruments and SamplesCathode 제작RF sputtering system (+Ni target) : sputtering을 ... power supply와 연결한다. ... setting을 한다.그림 SEQ 그림 \* ARABIC 12 Screen print를 준비한다.6. screen printer의 power를 On하고, Lock of table을

  리포트 | 16페이지 | 5,000원 | 등록일 2011.12.28

  다운로드 장바구니
• 

  ITO

  sputtering에 적합함3) Magnetron SputteringTarget(Cathode) 뒷면에 영구자나 전자석을 배치함으로써, 전기장에 의해(RF or DC) cathode로부터 ... 양이온 In3+○:음이온 O2-ITO는 In2O3의 결정구조에서 In 자리에 Sn이 치환고용된 형태◆ ITO GlassITO Glass는 투명 기판(Glass) 위에 ITO 박막을 sputtering ... 이러한 단점은 RF Sputtering함으로써 해전체Target 제조방식진공주조HIP, sintered powderGlow discharge를 위한 Ar10~15m Torr2~5m

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.11.05

  다운로드 장바구니
• 

  박막 에칭

  사용되어 온 화학에칭이 액체 화학약품을 사용하는 습식에칭인 데 비하여, 화학약품을 사용하지 않는 플라스마에칭(plasma etching)·이온에칭(ion etching)·스퍼터에칭(sputter ... 반응물질생성반응종substrale반응종반응종전계이온,전자,광전자휘발성반응물건식 식각이온식각반응 식각(reactive etching)방법물리적화학적물리적 및 화학적식각 원인충돌이온, ... 스파터 식각 - RF 전계에서 진동하는 전자들이 충분히 큰 에너지를 얻어 가스 원자들과 충돌하여 이들이 이온화되고 고에너지를 가지는 입자를 기판 물질과(음극) 충돌하여 식각됨. -

  리포트 | 16페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.05.13

  다운로드 장바구니
• 

  sol-gel법으로 제작한 ZnO 박막

  sputter Sol-gel (spincoating)Sol-gel 법이란? ... 성장법Molecular Beam Epitaxy (MBE) Chemical Vapor Deposition Pulsed Laser Deposition Atomic Layer Deposition RF ... Cho, S. M. Jeon, J. S. Kim, J. S. Kim, D. Y. Lee, J. S. Son, J. I. Lee, J. H. Kim, E. Kim, D. W.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.07

  다운로드 장바구니
• 

  플라즈마 공정

  또한 이 장치는 반응성 스퍼터링(reactive sputtering)에는 적합하지 않은데, 특히 타겟 표면에 절연물을 형성함으로써 타겟의 오염을 유발시킬 수 있기 때문이다.RF스퍼터링RF스퍼터링 ... 3가지 상태가 복합적으로 일어나고 있다.반발이온화여기와 반발플라즈마의 특성전기적 특성 화학적 특성 물리적 특성 자기적 특성DC스퍼터링DC스퍼터링 (D.C Glow Discharge sputtering ... PECVD에 의한 박막특성 - 증착속도, 박막조성비, 밀도, 굴절률, 막 두께의 균일도, 응력, 표면 덮음율(step coverage)과 에칭속도 등으로 평가PECVD 방식으로 형성하는

  리포트 | 31페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.01.16

  다운로드 장바구니
• 

  [박막 공정] 박막공정(스퍼터링, CVD)

  .▶ sputtering의 발생glow discharge에 의한 target 표면에서 초기 이온들의 운동량 전달에 의한 물질들의 자유로운 상태로 이탈, DC diode discharge에 ... Versatility : the sputter process is essentially a kinetic process involving momentum exchange rather ... or thermal process and, therefore, virtually any material can be introduced onto a gas discharge or sputtered

  시험자료 | 5페이지 | 6,900원 | 등록일 2004.06.15 | 수정일 2014.06.30

  다운로드 장바구니
• 

  Sputtering

  - 직류 전원을 사용하여 전도체를 sputter RF sputtering - 고주파 전원을 사용하여 금속 뿐만 아니라 부도체 sputter 가능 Triode sputtering 금속 ... 필라멘트를 가열시켜 열전자를 방출하여 이온화률 높여 낮은 압력과 전압에서 증착가능 Magnetron sputtering 강한 자기장을 이용하여 target 근처 plasma 밀도를 ... 조업이 가능 단점 증착속도가 매우 느림 증착 조건이 민감하고 서로 영향을 끼침 고전압을 사용하므로 작업상 주의 요망Micromachining ProcessSputtering 종류DC sputtering

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.05.03

  다운로드 장바구니
• 

  [박막] 박막(thin film)

  RF sputtering에 비해 성막속도가 크며 박막의 균일도가 크다. 높은에너지의 공정이므로 밀착 강도가 높다. ... 할 수 있게 하거나, magnetron 방식을 사용하여 해결할 수 있다② 고주파 스퍼터링(RF sputtering)DC sputtering에서는 target이 산화물이나 절연체일 ... 이러한 단점은 RF sputtering함으로써 해결될 수 있으며 특히 낮은 Ar 압력에서도 plasma가 유지될 수 있다.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.05.27

  다운로드 장바구니
• 

  [미립자]미립자 제조 관련기술 자료

  TiO2, MgO등의 초미분 입자를 제조할 수도 있으며 입자 크기는 1 nm~102um 범위를 갖다.(3) 스퍼터링 공정(sputtering process)스퍼터링 공정은 고체너지를 ... 대한 공정 변수의 영 저압 RF 플라즈마 반응기에서 유기물 전구체를 사용하여 속이 빈 구형의 나노 미립자를 제조하였다. ... 마이크로파 플라즈마에서는 RF 플라즈마에 비해 플라즈마 밀도가 높아 반응물의 이온화율과 해리율이 높다.Hoder 등은 마이크로파 플라즈마 반응기에서 Fe(CO)5를 전구체로 사용하여

  리포트 | 35페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.11.21

  다운로드 장바구니
• 

  디스플레이 공정

  조원:조원 :디스플레이 재료▣ INDEX디스플레이 및 반도체 전체공정진공공정- 1)CVD - PECVD- 2)PVD -Vacuum evaporation - sputtering리소그래피공정 ... 분자가 튀어 나오는 현상을 스퍼터링(sputtering)이라고 부른다.스퍼터링 중성기체 발생에 관한 목표물 충돌과정▣리소그래피 공정리소그래피는 포토마스크 기판에 그려진 VLSI의 ... 유도 가열 코일을 BN으로 만들어진 도가니 주위에 감아 RF 전류를 흘려 가열시키는 방법이다▣ 스퍼터링높은 에너지를 갖는 입자가 target에 충돌하면 target로부터 원자 또는

  리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.10.09

  다운로드 장바구니
• 

  [전자공학][공학][초전도이론][제어시스템][반도체][다이오드]전자공학의 교과과정, 전자공학과 초전도이론, 전자공학과 제어시스템, 전자공학과 반도체, 전자공학과 다이오드 분석

  박막제작에 가장 많이 쓰이고 있는 방법은 off-axis magnetron sputtering 과 고출력 엑시머 레이저를 이용한 레이저 증착(PLD) 방법이다. ... Microelectro 소자② mm파의 검출, dc 및 rf 스퀴드(SQUID) 등과 같은 능동 아날로그 소자③ 고속으로 작동하는 마이크로 프로세서 등에 쓰일 능동 디지털 소자이러한 ... ■microelectronics■electronic systems■telecommunication systems■computer engineeringComputer engineering

  리포트 | 11페이지 | 5,000원 | 등록일 2013.03.25

  다운로드 장바구니
• 

  Sputter

  이러한 단점은 RF sputtering 함으로써 해결될 수 있으며 특히 낮은 Ar 압력에서도 plasma가 유지될 수 있다.RF sputtering은 금속 이외에도 비금속, 절연체, ... RF SputteringDC sputtering에서는 target이 산화물이나 절연체일 경우 sputtering이 되지 않는다. ... RF sputtering에 비해 성막속도가 크다.? 박막의 균일도가 크다? Target의 재료가 금속으로 한정된다.? 높은 Ar압력이 필요하다.(10 ~ 15m Torr)?

  리포트 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.12.24

  다운로드 장바구니