"rf sputtering" 검색결과 41-60 / 303건

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  [기초공학실험]Cu film의 전기적 특성 분석 실험

  RF sputtering은 금속 이외에도 비금속, 절연체, 산화물, 유전체 등의 sputtering이 가능하다.? ... 즉 물질에 따라서 수 10nm/분 ~ 200nm/분의 두께이다.- 타깃은 판상으로 해야 한다.- 기판이 과열되기 쉽다.② RF SputteringDC sputtering에서는 target이 ... 종류 ① DC sputtering직류전원을 이용한 sputtering 방법이다.

  리포트 | 8페이지 | 3,200원 | 등록일 2019.09.02 | 수정일 2020.08.10

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  재공실 - sputtering 결과보고서

  RF Magnetron Sputter를 이용한 박막 증착 원리 이해1. sputter의 각 부분의 명칭과 기능sputter system 위 그림처럼 크게 6개의 파트로 나눌 수 있는데 ... 타겟이 있는 게터 스퍼터(getter sputter), 타겟 자신의 증발 이온으로 타겟을 재차 스퍼터하는 자기 스퍼터(self sputtering)라고 한다. ... sputtering)이라고 하며 표에서 글로우방전 스퍼터를 말한다.

  리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.10.29

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  투명전극(ITO)과 진공펌프 및 게이지와 스퍼터링의 종류들과 원리

  Reactive sputtering : RF보다 불리함-RF sputtering-a. 전도체, 절연체, 비금속, 유전체b. HIP 또는 sintered powderc. ... Reactive sputtering에 적합③DC/RF 마그네트론 스퍼터링 장치기존 스퍼터링 방법에 자기장을 사용하면 마그네트론이라는 단어를 붙여 마그네트론 스퍼터링 방법의 특징을 띄게 ... 최첨단 전자 디바이스 제작에 폭넓게 이용되고 있다.여기에서 산화물이나 질화물박막을 원하는 조성으로 증착하고 싶을 때 추가적으로 가스를 공급하여 반응을 일으킬 수 있는데, 이를 DC/RF

  리포트 | 22페이지 | 2,500원 | 등록일 2019.07.03 | 수정일 2019.07.04

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  VLSI공정 5장 문제정리

  RF sputtering을 비교하여라.glow방전을 위해 DC power를 사용하는 것이 DC sputtering 이며 타겟으로 금속만 가능하다.RF sputtering은 13.56MHz의 ... 방전 전류를 증가BUT , 100Ev 이상의 전압에서 이온화 단면이 감소 –Ar의 압력을 증가.입사각이 약 80도 일 때 최댓값을 나타낸다.가 커지면 스퍼터링 효율도 증가한다.DC sputtering와 ... -대면적을 균일한 두께로 증착 가능-두께 조절 용이-정확한 합금성분 조절-step coverage, grain structure(입자구조), stress(응력) 조절가능-전처기 청결

  리포트 | 10페이지 | 4,000원 | 등록일 2018.06.05 | 수정일 2020.05.03

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  SiC박막 증착(RF Sputtering)

  Time(hour) Substrate Temperate( ℃) Substrate RF Sputtering 3 00 4 Ar(50sccm) 3 500 Si ◆ 실험 방법( RF sputtering ... Summary and Conclusion 박막 증착법으로 반도체에 응용 - RF sputtering 을 이용하여 Si 기판 위에 SiC 를 증착하였으며 XRD 와 SEM 으로 시편을 ... Time(hour) Substrate Temperate( ℃) Substrate RF Sputtering 3 00 4 Ar(50sccm) 3 500 Si - XRD - - SEM -

  리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.12.21

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  반도체제작공정-박막증착공정

  Processing LaboratoryMagnetron sputter박막 증착 공정Materials Processing LaboratoryDC RF Magnetron sputter박막 ... PLD MBEFilm quality : evaporation sputtering PLD MBEGrowth rate : evaporation sputtering PLD MBEChemical ... 증착 공정Materials Processing LaboratoryRF sputter박막 증착 공정+-+++-+++substrate + chamber-+---+---targetTimeMaterials

  리포트 | 25페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.09.09

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  RF 마그네트론 스퍼터링 및 전자빔 이베이퍼 증착 방법 및 과정 애니메이션

  supply gun Plasma Ion e - GZO 3. ... RF 마그네트론 스퍼터로 유리 기판 위에 GZO 층 증착 GZO Glass Substrate Glass Substrate MFC Ar Gas Vacuum pump GZO RF Power ... RF 마그네트론 스퍼터로 유리 기판 위에 GZO 층 증착 3.

  리포트 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2017.05.12 | 수정일 2017.05.15

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  패터닝 결과보고서(학부 실험)

  (sputtering effect)③ C2F6 gas : Ar+가 wafer를 공격하면 wafer 표면의 SiO2가 떨어져 나가는데, 이 때 라디칼 형태의 F가 SiO2와 결합하여 ... 거칠기는 줄어들고, Ar의 양이 적을수록 sidewall의 기울기가 90°에 가까워지는 경향이 있다.· RF generator의 power을 증가시킴에 따라 플라즈마 발생 비율이 ... ( 단위 : ㎛ = 10-6m )#1 ) Ar : C2F6 농도비 2:1로 식각#2 ) #1을 Ashing#3 ) Ar : C2F6 농도비 1:2로 식각#4 ) #3을 Ashing#5

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2018.06.17

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  부산대학교 졸업 논문 (Flexible Display용 PI기판 위 ITO 증착 시 Stage Temperature에 따른 특성 변화 연구)

  사용한 증착 장비는 DC/RF magnetron sputtering system이며, 측정 장비는 XRD, 4-point probe, UV-VIS spectrophotometer이다 ... 증착 장비로는 DC/RF magnetron sputtering system을 사용 했다. Table 1은 사전 실험 후 측정한 deposition rate를 보여준다. ... 또한, ITO가 다른 물질에 의해 오염이 되었을 수도 있으므로, pre-sputtering을 30분 동안 실시하였고, 증착이 완료된 시편은 알파스텝을 이용하여 두께를 측정했다.

  논문 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.05.18

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  진공의 이해

  N/m2= 7.5 x 10-3 Torr 주요 압력 단위 환산 관계진공의 단위 및 분류증착 장비증착 기술 - PVD (Physical Vapor Deposition) • 스퍼터링 (sputtering ... pumpMain valveforeline valveroughing valveconductance valvetargetcathodeSputtering 의 특성 • 거의 모든 원소를 sputtering ... deposition)시와 같은 macro-particle 이 형성되지 않는다. • 높은 온도를 요구하지 않는다. → 저온 or 상온 증착SputteringSputtering 종류 ► DC sputtering

  리포트 | 58페이지 | 2,000원 | 등록일 2018.06.10

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  sputtering

  , modified RF magnetron sputtering다음 두 가지 방법이 기본이다.(1) metallic cathode? ... 거의 모든 물질이 RF discharge에서 sputter되지만, 생성된 막이 target의 조성과 반드시 일치하지는 않으며, 금속, 합금, 산화물, 질화물, 탄화물 등의 증착 등에 ... 박막 증착은 특히 반도체 산업에서 핵심적인 분야인데 그동안 이온 빔(ion-beam), 전자 빔(electron-beam) 또는 RF (Radio-Frequency) 스퍼터링(sputtering

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.03.24

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  스퍼터링,비저항

  ◆ DC, RF sputtering◇ DC sputtering회로상에서 target 은 cathode 로 사용되며 높은 음의 전압이 걸린다. ... 전도체여야 한다.장치구조와 조작이 간단한 장점이 있지만, 낮은 증착속도, 높은 기판온도(target으로 부터의 열방사, 2차전자), 에너지의 비효율성, 방전가스의 압력이 높고, 절연체의 sputtering이 ... S로 주어진다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.10.19

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  PECVD 공정

  , the latter resulting from intense ion bombardment and consequent sputtering of the deposited molecules ... few hundred millitorr to a few torr . 3 SiH 4 + 6 N 2 O → 3 SiO 2 + 4 NH 3 + 4 N 2 (200- 400 o C) , RF ... No RF bias Vacuum: 0.5~1 torr 0.02-0.1 W/cm 2 power densityPECVD ( Plasma Ehanced Chemical Vapor Deposition

  리포트 | 24페이지 | 3,000원 | 등록일 2018.06.15

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  박막제조기술

  to be as highPVD SummaryCost : evaporation sputtering PLD MBEFilm quality : evaporation sputtering PLD ... + chamber+++-+++-+TimeMagnetron sputterDC RF Magnetron sputterIon beam sputterSputter vs. evaporationEVAPORATIONSPUTTERINGlow ... MBEGrowth rate : evaporation sputtering PLD MBEChemical vapor depositionCVD overview (I)Reacts on substrate

  리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.03.25

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  스퍼터링(Sputtering) 결과 레포트

  실험 목적RF - Magnetron Sputtering을 이용하여 500℃에서 ZnO 박막의 증착 및 분석2. ... 실험 원리1) 글로우 방전2) 스퍼터링3) RF4) 기타 도구 및 용어3. 실험 과정4. 실험 결과5. 실험 고찰1. ... 이러한 단점은 RF Sputtering함으로써 해결될 수 있으며 특히 낮은 Ar 압력에서도 Plasma가 유지될 수 있다.

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2015.05.18

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  Cosputtering법으로 증착한 ZnO박막의 Al도핑농도가 미세구조 및 물리적 특성에 끼치는 효과

  한국재료학회 임근빈, 이종무

  논문 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  Indium Tin Oxide (ITO) 투광성 박막의 제조 및 전자파 차폐특성

  한국재료학회 김영식, 전용수, 김성수

  논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  Gd3Ga5O12 기판위에 성장된 Y3Fe5O12 박막의 열처리 조건에 따른 강자성 공명 특성 연구

  한국재료학회 이예림, Cao Van Phuoc, 박승영, 정종율

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  Ferroelectric 캐패시터의 하부전극에의 응용을 위한 IrO2 박막 증착 및 특성분석

  한국재료학회 허재성, 최훈상, 김도영, 장유민, 이장혁, 최인훈

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  SPUTTER

  -RF sputtering에 비해 성막속도가 크다. ... - 직류 전원을 사용하여 전도체를 sputter RF sputtering - 고주파 전원을 사용하여 금속 뿐만 아니라 부도체 sputter 가능 Triode sputtering 금속 ... 단점 -Target 재료가 금속에 한정됨 -높은 Ar 압력이 필요하다.(10~15mTorr) -기판이 과열되기 쉽다.RF Sputtering- RF sputtering은 금속 이외에도

  리포트 | 27페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.07

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