"Si3N4" 검색결과 161-180 / 4,092건

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  일반화학실험 예비보고서 - PDMS 탱탱공 만들기

  Si(CH3)2O]nOSi(CH3)3 로 표현된다. ... 일반식은C _{n} H _{2n+2}이다. ... 이번 실험에서는 사슬 길이가 짧은 실록세인 올리고머(siloxane oligomer)에 포함된 바이닐기와 가교제에 포함된 실리콘 하이드라이드(Si-H)가 유기금속 촉매에 의해 Si-CH2

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.01.03

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  인하대 패터닝 결과보고서

  (이온 주입)Mask를 이용하여 n type well (Si)의 일부를 p - type으로 치환한다.: p - type산화에 의한 일부 면에 Si2N2 생성한다.: Si2N2산화에 ... (이온 주입)5A족 원소로 p Type substrate (Si)의 일부를 n Type Si로 치환한다. ... of PR (a-(b-c))3.697 ⅹ10-7m4.241 ⅹ10-7mEtching of SiO2 (c)3367 Å4931 ÅPR Rate4.108 nm/s4.712 nm/sSiO2

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.09.15

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  반도체공정 중간정리

  (패턴 만들기)3) Implantation (n타입 불순물 주입)4) Diffusion (확산)5) Etching (불필요한 부분 제거)6) Flim Deposition (박막 증착 ... 끓여준다.2) 아세톤으로 3분간 끓여준다.3) 메틸 아세톤으로 3분간 끓여준다.4) DI water로 3분간 씻어준다.· Resists for LithographyPositive ... Dt`ln( {N _{0}} over {N _{B}} )}· Under mask edge확산은 실제로 3차원 프로세스이다.

  리포트 | 8페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.10.22 | 수정일 2024.04.30

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  질량과 부피 및 밀도

  hlhsn_sn=4825" https://icis.me.go.kr/chmCls/chmClsView.do?hlhsn_sn=4825정보통신기술용어해설. ... 과학계에서는 국제단위계를 사용하는데 SI기본 단위라고 부른다.2)-2 SI기본단위SI기본 단위에는 길이, 질량, 시간, 온도, 전류, 물질의 양, 광도 등 일곱개의 물질을 나타내는 ... +4.05+4.06=12.14 12.14/3= 4.046666 반올림 4.056.02+6.07+6.02=18.11 18.11/3= 6.036666 반올림 6.04본인학우학우평균Beaker질량41.2551g41.2578g41.2568g41.2566g1회

  리포트 | 11페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.03.06

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  인하대 반도체소자 중간고사 족보입니다.

  책 예제 3.11 ( 다른 온도에서 전자,전공,그리고 진성 캐리어 농도를 계산하고 간소화한 에너지대역도를 그려라 ) 같은 문제 많았음G op= 4장 문제 (not low level ... 2017-1 중간고사GaAs 의 Ga를 Si로 대체하려고한다. 이때 그러면 Si 는 Donor로 작용하는가 Acceptor로 작용하는가? ... 이때 n0 를 구해라 ( 조건 등등 많음..)Acceptor로 완전히 이온화되어 도핑되어있는 반도체가 있다.

  시험자료 | 1페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.06.27

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  전자회로실험 제11판 예비보고서 실험3(직렬 및 병렬 다이오드 구조)

  실리콘(Si) 다이오드가 ON이 되려면 다이오드의 양단의 전압이 적어도 무릎전압인 0.7V이상(게르마늄(Ge)의 무릎전압은 0.3V) 되어야 한다. ... 그림 3-3 회로d. 그림 3-4 회로(2) - B. P-SPICE 모의 실험 결과 및 분석a. 그림 3-3 회로d. 그림 3-4 회로VD = 5V ? ... n형에서 다수캐리어 전자는 n->p로 이동한다.

  리포트 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.03.19

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  나노화학실험 DSSC 예비보고서

  태양전지유기물 태양전지나노 구조 태양전지[1.7] 실리콘계 태양전지 원리-P형과 N형 반도체의 접합P-TYPE : Si반도체에 B와 같은 불순물을 도핑함으로써 +N-TYPE : Si반도체에 ... (3족원소)을 첨가하여 hole의 수를 증가시킨 반도체. 4족 원소인 실리콘 단결정(순수 반도체)에 최외각 전자가 3개인 붕소(B) 등 3족 원소를 불순물로 첨가ion : PN접합은 ... TiCl4 처리를 한 FTO기판을 조심히 꺼내어서, EtOH로 cleaning 후 N2 blowing 해준다.Cleaning한 TiCl4처리를 한 TiO2 기판을 도가니에 담고, metal

  리포트 | 8페이지 | 4,500원 | 등록일 2020.06.30 | 수정일 2020.07.05

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  3장풀이

  동위원소 동위원소의 질량(amu) 존재비(%)28Si 27.976927 92.2329Si 28.976495 4.6730Si 29.973770 3.10(1) 27.9801 amu (1 ... ) 28.7260 amu (3) 28.0855 amu (4) 28.9757 amu (5) 29.2252 amu답 (3)풀이Si = 27.976927 amu x 0.9223 +28.976495 ... ( )1) 1amu 2) 12amu 3) 6.022×1023 amu 4) 1.993×10-23 amu 5) 8.333×10-2amu답 (3)해설12C 원자 1개의 질량을 12 amu로

  리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.06.10

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  ALD 결과보고서

  400 cycle TEM cross section images3) Reflectometer 측정 결과값그림4. ... 조별 조건① Silicon wafer와 PEN(Polyethylene naphthalate) film을 준비한다.② Si wafer는 1TIMES 1cm2로, PEN film은 3TIMES ... GPC 값은 1.272A/cycle 일 것이다.2) Si wafer에서 같은 공정 조건으로 ALD 600 cycle을 수행하였을 때, Al2O3 박막의 두께는 몇 nm로 예상되는지

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.12.15

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  Zeolite A의 합성 및 분석 실험 예비

  X (Si/Al = 1~1.5) 또는 Y (Si/Al= 1.6~3)라 불리우는 제올라이트는 입구 크기가 7.4 Å이며 내부에는 13 Å 크기의 지름을 갖는 supercage가 있다. ... Zeoltie A>제올라이트를 이루는 기본단위는 규소(Si)이나 알루미늄(Al)이 네 개의 주위 산소와 이루는 정사면체(TO4)구조 이다. ... 따라서 제올라이트의 분자식은 다음과 같이 쓴다.M_{x/n}[(Al _{2} O _{3} )_{x}(SiO _{2} )_{y}]zH _{2} O( M:양이온, x,y,z: 임의의 정수

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.12.16

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  (실험가이드)질량 측정과 액체 옮기기 PPT

  -91 nanometer(nm) = 1×10-9mPico-p10-121 picometer(pm) = 1×10-12m표. 1-2 몇 가지 SI계의 접두어4. ... 4) 정확하게 2.00 ml 의 증류수를 저울 위에 올려놓은 비커에 옮기고 무게를 기록한다. 5) 위의 3)과 4)의 과정을 4회 더 반복한다. 6) 부록에 있는 물의 밀도를 이용해서 ... 3) 4회 더 반복하고 증류수 부피의 평균값과 표준편차를 구한다. * 실온 측정 필수(실험실 내의 온도 측정) 실험 D.

  리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.12.11

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  다이오드 직렬 및 병렬 예비레포트

  측정된 R값으로 전류 측정직류전원과 다이오드 회로(2)직류전원과 다이오드 회로(3)회로 구성 후 Vo, VR 측정. ... diode(1N4148): 2개, Ge diode(1N60): 1개실험이론DC 전압이 공급될 경우 다이오드 회로의 해석은 다이오드가 켜진 상태인지, 아니면 꺼진 상태인지를 먼저 결정하여야 ... 그리고 다이오드 양단의 전압이 임계전압 이하이거나 (Ge 다이오드 경우에는 0.4V), 역방향 바이어스가 인가될 경우에는 개방회로로 해석한다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.12.03

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  AMD 실험 결과보고서 Measurement for TFT

  구하게 된다.MobilityMobility는 반도체 내에서 전하 입자의 움직임이 얼마나 자유로운지를 나타낸 것으로 Hole의 mobility는 μp로, 전하의 mobility는 μn으로 ... 흡수되는가를 가리키는 지표여기서,=1 (공기의 굴절율), (Active layer의 굴절율), =1.5 (glass의 굴절율), T (투과도)Table SEQ Table \* ARABIC 4 ... (LTPS)Oxide(IGZO)D=50nm, =3.5D=500nm, =3.5D=40nm, =2.9=0.3086, =0.1600=0.3086 ,=0.1600=0.2373, =0.1012Bandgap

  리포트 | 13페이지 | 5,500원 | 등록일 2022.03.02

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  인하대학교 집적회로공정(전자공학과) DRAM레포트

  이러한 실패를 막기 위해 약 625’C 이상에서 LPCVD공정을 통해 poly-si을 증착시킨다.3.4 Planarization(평탄화)LPCVD공정은 Trench 내부를 제외한 원하지 ... 이때, Si을 이중막으로 하고 그 막 사이에 POCl3를 충분히 주입후 표면층에 Ion Implantion으로 불순물 층을 형성하여 깨끗한 다결정 Si막을 형성한다.Lithography파장 ... oxide 바로 아래쪽에서 p-type이 n-type으로 바뀌는 type conversion이 발생하여 같은 캐리어로 전류가 이동할 수 있는 채널이 형성된다.(5) bit line에

  리포트 | 6페이지 | 4,900원 | 등록일 2021.09.26

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  화공계측실험Final-Report(10)-Photolithography

  Tech., Vol.4 No.3, 299-318 (1991) ... 이에 대한 원인은 크게 4가지가 있다. 이론적으로 contact mode에서는 mask와 wafer 사이의 거리가 0이므로 해상도가 무한대 값으로 나온다. ... P-type의 경우 N-type에 비해서 해상도가 높은 편이지만 숫자가 잘 보이지 않았다.

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.06.12

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  봉쥬르프랑스 ) 다음 문장들을 프랑스어로 옮기시오. 1. 황새 한 마리가 지나가는 것을 보는 것은 인상적이다. 2, 그는 네게 그 건물을 보기 위해 어떻게 가는지를 설명한다. 3. 나는 내 고모가 태어난 도시를 즉시 방문하고자 한다.

  내 기억이 옳다면, 몽테뉴는 보르도에서 15년 동안 거주했다.Si je me souviens bien, Montaigne a habite a Bordeaux pendant 15 ans ... (envie를 반드시 쓸 것)Je ne sais pas pourquoi vous n'avons pas envie de gouter le vin de Bourgogne.5. ... 그런 경우라면, 서슴지 말고 그에게 필요한 정보들을 부탁해라.Dans ce cas, n'hesitez pas a lui demander les informations necessaires

  방송통신대 | 5페이지 | 5,000원 | 등록일 2022.02.11

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  X선결정학 보고서-XRD 기본측정원리에 대해 신소재공학과

  따라서, nλ=2dsinθ 에 n=1, d=Si의 lattice parameter(5.43 A) / (h^2 +k^2+l^2)^(0.5) 그리고 θ=14.287 을 대입하면, XRD ... 이때, Ci 의 값을 무시하고 Ich 값은 XRD 분석 패턴에서 나온 3개의 peak(403, 301, 209)의 Intensity를 사용하여 계산해보면 아래와 같은 n값을 구할 수 ... 에 저장되어 있는 SI 의 값과 비교해보았다.

  리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.10.29

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  [시험자료] 반도체공정및응용 중간고사 정리 (족보)

  Si3N4 + 12F → 3SiF4 + 2N235. ... Si, SiO2, Si3N4 소재를 F radical을 이용한 건식 식각시에 화학반응식을 각각 쓰세요.? Si + 4F → SiF4? SiO2 + 4F → SiF4 + O2? ... 이의 주요 용도는 이산화 규소 (SiO2) 또는 질화규소 (Si3N4) 박막을 에칭하는데 있다.32.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.10.20 | 수정일 2019.12.02

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  2019 - 1 경북대학교 기계공학부 [기계공학실험 A+ ][내연기관]

  열량 Qout을 방출하고, 이어서 4 → 1의 등 엔트로피 압축과정을 거쳐, 상태 1로 복귀하여 사이클 1 → 2 → 3 → 4를 완성합니다.카르노 사이클의 이론열효율(ηthc)을 ... ]} over {실린더당`행정체적`[`m ^{3} ]}으로 나타 낼 수 있습니다.제동 동력은제동 동력 =P _{b} LAN^{'} = P _{ b}(LAn)N ^{ *}=P _{ b ... BULLETm]} over {실린더당`행정체적`[`m ^{3} ]}으로 나타 낼 수 있으며제동 평균 유효압력 (P _{b}) 은{매회`기계적`사이클에서`실린더당`제동출력`[N BULLETm

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.11.07

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  포항공과대학교 일반대학원 전자전기공학과 연구계획서

  사용한 인플루엔자 A(H1N1) 바이러스의 고감도 검출, Si-Nanonet 이온에 민감한 전계 효과 트랜지스터에서 파릴렌-H 감지 멤브레인의 전기적 특성 및 pH 응답, 수직 SONOS ... 이미징, Saddle Fin 기반 DRAM의 소프트 오류, NH3 검출을 위한 Au 장식 Si 나노와이어 FET 센서의 개선된 장기 응답, Silicon Nanonet BioFET를 ... 가변성과 랜덤 이산 도펀트의 아날로그 성능 지수 비교, FinFET 및 나노시트 FET의 단일 이벤트 과도 현상, 진공 전계 방출 트랜지스터 설계에서 일함수 고려, TSCIS를 사용한 4H-SiC

  자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2021.11.17

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