"Si3N4" 검색결과 101-120 / 4,092건

• 

  물리화학실험 basic electronics 실험보고서

  오늘 실험에서 사용한 다이오드도 pn접합 다이오드로 실리콘 다이오드가 가장많이 만들어진다고 한다.실험을 진행했하고 기록하여 그래프를 그렸을 때 저마늄 다이오드는 0.3~0.4V에서, ... (mA)1.0212.0673.0134.0265.0136.019(V) Si0.5990.6330.6500.6630.6740.6822+3) (게르마늄 다이오드 전류+전압) + (실리콘 다이오드 ... 오늘날 가장 많이 쓰는 다이오드는 반도체 다이오드로 P-N접합을 포함한 소재에 연결되어있다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.04.09

  다운로드 장바구니
• 

  LED의 재료와 제조공정에 대한 레포트

  N-GaN 을 만드는데 주로 사용되는 도펀트는 Si MOCVD 장치 반응로에 Si 2 H 6 가스 첨가03 LED 제조공정 활성층 재결합이 집중적으로 일어나도록 P-N 접합의 경계 ... 광 손실 발생 다른 기판 물질에 비해 광추출 효율이 낮음 PVT(Physical Vapor Transport) 법01 LED 용 기판 GaN 기판 동종 에피택시 → LED 효율 4 ... 버퍼층 (bufer layer)01 LED 용 기판 Si 기판 Si 기판은 불투명 → 활성층에서 나오는 빛의 일부가 재흡수 → 광추출 효율이 낮다 → Si 기판 제거01 LED 용

  리포트 | 73페이지 | 2,500원 | 등록일 2020.09.08

  다운로드 장바구니
• 

  계명대 (일반 물리 및 실험) 다이오드 보고서 A+

  .• 다이오드의 종류에 따른 문턱전압을 알아본다.2]배경 및 이론• 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)은 4족 원소로서 대표적인 반도체이다. ... P형 및 n형 반도체의 차이를 설명하라.• P형 반도체는 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)와 같은 순수한 상태의 진성반도체에 불순물 미량의 3가원소(붕소, 알루미늄)을 첨가해 만들어진 ... 즉 전자가 부족한 것이다.• N형 반도체는 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)와 드에 전압을 순방향으로 걸었다는 것은 P형 반도체에 (+)전압, N형 반도체에 (-)전압을 주었다는 것이다

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.03.14

  다운로드 장바구니
• 

  접합다이오드 특성 예비레포트

  기본적인 반도체 재료는 실리콘과 게르마늄이다.3. 순수한 상태의 Si나 Ge는 저령ㄴ체이다4. 반도체에 불순물이 첨가되면 저항률이 저하된다.5. ... 마찬가지로, 다이오드가 역 바이어스되면, 그것을 통해 0 전류와 완벽한 절연체 역할을 한다.3.다이오드의 구분적 선형 등가회로를 그려라4. ... , As 와 같은 5가 원소를 진성반도체 Ge, Si에 첨가하여 만들며, 여기서 다수캐리어는 자유전자가 된다. p형반도체는 B, Ga, In과 같은 3가 원소를 진성반도체 Ge, Si에

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.09.03

  다운로드 장바구니
• 

  전기공학실험1 4장 접합 다이오드의 특성 결과

  계측기: 회로 시험기3. 저항: 2W 250옴4. 반도체: 1N 4154, 1N 34A5. 기타: ON/OFF 스위치3. ... P형 반도체는 B ,Ga, In과 같은 3가 원소를 진성반도체 Ge, Si 에 첨가하여 만들며, 여기에서 다수캐리어는 정공이 된다. ... 3가나 5가의 불순물을 미소하게 첨가하여 p형 또는 n형 반도체로 만든다.반도체에서 전류를 운반하는 캐리어는 자유전자와 정공이 있다.

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.12.02

  다운로드 장바구니
• 

  무기화학실험 Preparation of-Dye-Sensitized Solar Cell 결과보고서

  DSSC는 p형-n형 반도체의 접합을 사용하지 않기 때문에 Si 태양전지보다 생산효율이 낮다. 또한 전기를 발생시킬 수 있는 시간이 길고 생산 단가도 매우 낮다. ... 테이프를 붙인 ITO에 TiO2 3g과 질산 3mL를 섞어 TiO2 슬러리를 만들어 고르게 도포한 뒤 건조시켰고, furnace를 이용하여 가열했다. ... ) 등의 산화물 반도체 물질을 얇은 층으로 증착하여 제조되고 FTO 또는 ITO로 만들어지며 3~3.2eV의 넓은 energy band gap을 가진다.

  리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.07.15

  다운로드 장바구니
• 

  연세대학교 일반대학원 시스템반도체공학과 학업계획서

  연세대학교 대학원 시스템반도체공학과 연구실에 진학을 하고 나서 22.9pJ/frame.pixel 및 92dB 동적 범위를 갖춘 완전 디지털 시간 모드 CMOS 이미지 센서 연구, Zr3N4 ... 팔라듐 디셀레나이드 이종구조 동적 멤리스터 기반 인공 시냅스 연구, Silent-PIM: 표준 메모리 요청으로 메모리 내 처리 컴퓨팅 실현 연구, 수소 패시베이션을 통해 Ti/Zr3N2 ... /p-Si 커패시터에서 관찰된 향상된 저항성 스위칭 연구, 자동차 전면 조명 시스템을 위한 온도 인식 적응 제어 연구, 고밀도 크로스바 어레이 및 뉴로모픽 컴퓨팅을 위한 자가 정류

  자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2024.01.27

  다운로드 장바구니
• 

  연세대학교 반도체소자물리 2021년 2차시험 기출문제

  Si electron affinity=4.05 eV,In work function=3.8eV)1. ... (Va1=0 V, +2V, and –1 V) 세가지 bias 의 경우 Au/n-/n/In 의 band diagram 을 대강 그려라. (10)2. ... AC voltage ±2 V, 그리고 ±0.3 V, 10 Hz 조건에서의 Current-time (I-t) 그래프를 대강 그려라. (10)

  시험자료 | 1페이지 | 3,100원 | 등록일 2022.04.13

  다운로드 장바구니
• 

  [A+] 서강대 일반화학실험1 질량측정과 액체 옮기기 예비+결과 레포트

  질량은 물체의 고유한 양이며 SI단위는 kg이다. 무게는 중력에 의해 물체가 받는 힘이며 SI단위는 N이다. ... 증류수, 에탄올, n-hexane을 시험관 바닥으로부터 각 시험관에 1~2 cm 높이로 넣는다.3. 5분간 시험관을 흔들어주고 상태를 관찰한다.4. ... 부피는 물체가 차지하는 공간의 크기이며 SI단위는 m3이다. 일상적으로는 L로 많이 쓴다(1 mL=1 cm3).

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.06.01 | 수정일 2023.06.03

  다운로드 장바구니
• 

  무기화학실험 observation of charge transfer between donor-acceptor molecules in zeolite Y 실험보고서

  nH2O (W는 Na, Ca, Ba, Sr이고, Z＝Si＋Al이다.)4,4’-Bipyridine- 화학식 : C10H8N2- 분자량 : 156.188 g/mol- 녹는점 : 114 ... -1.4), Zeolite-Y(Si/Al = 1.5-3.0)Zeolite Y는 작다는 것을 뜻하고 즉 더 작은 음전하를 가지고 있어 덜 극성임을 나타낸다.Charge Transfer ... ºC- 끓는점 : 305 ºCacetonitrile- 화학식 : C2H3N- 분자량 : 41.053g/mol- 밀도 : 25°C에서 0.776 g/ml- 녹는점 : -46 ~ -44

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.04.09 | 수정일 2023.04.21

  다운로드 장바구니
• 

  실리콘 태양전지 결과레포트

  Rsh는 무한대로 가고 Rs가 0이 될 것이다. fill factor가 나빠지는 이유는 Rsh, Rs가 원인임을 알 수 있다.3. ... Si 태양전지 결과 레포트실험 일자:2021-05-13제출 일자:2021-06-091. 실험목적Si 태양전지의 작동 원리를 이해하고 효율을 증가시키는 방법을 고안한다. ... 기존의 Si와 compound, 두 개 합쳐 만든 것이 Tandem 태양전지이다.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.09.30

  다운로드 장바구니
• 

  전자회로실험1 예비보고서 직렬 및 병렬 다이오드 구조

  그림 3-4에서 Si 다이오드를 반대로 연결하고 Vd.Vo.Id의 이론적인 값을 계산하라.Vd = 5VVo = 0VId = 0mAh. ... 순서 1에서 측정한 Si와 Ge다이오드의 문턱전압을 이용하여, Vo와 Vr의 이론적인 값을 계산하라.Vo = 0.3VVr = 4.7Vc. ... 순서 1에서 측정한 Si과 Ge 다이오드의 문턱전압을 이용하여 Vo와 Vr의 이론적인 값을 계산하라.Vo = 0.7VVr = 4.3Vi.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.09.29 | 수정일 2019.09.30

  다운로드 장바구니
• 

  다이오드 실험 보고서

  〈배경 및 이론〉실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)은 4족 원소로서 대표적인 반도체이다. 순수한 상태의 Si나 Ge는진성반도체라고 불린다. ... 실험 결과4. 질문과 답〈질문〉1. 반도체의 전기적 특성에 대해 설명하라.2. p형 및 n형 반도체의 차이를 설명하라.3. ... 극성에 의해반대방향으로 가게 되어서 결국 공핍층 경계 근처의 이온들과 재결합하기 때문에 폭이 좁아진다.p형과 n형의 바이어스가 순방향일 때 공핍층이 없어지고 전류가 흐르게 된다.4.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.20

  다운로드 장바구니
• 

  반도체 - 단결정 성장 방법

  Okmetic OYJ 의해 제조 된 웨이퍼 초크 랄 스키 실리콘 (CZ-Si의) (900)의 공칭 저항이 Ω cm 1.9 kΩ보다 n 형 및 p 형의 경우 cm. ... 결정성장장치- 고정장치, 회전장치(반시계방향)3.대기조절장치-가스공급원(Ar등), 유량장치, 배출장치CZ법 사례우리는 자기 Czochralski 방법으로 성장한 n 형 및 p 형 고 ... 양성자를 조사했을 때, Cz-Si의 완전 공핍 전압 은 5 × 10 14 cm -2 1-MeV eq 의 플루 언스 후에도 초기 값 300 V를 초과하지 않았다 . n cm -2 이는

  리포트 | 17페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.01.28

  다운로드 장바구니
• 

  구로성심병원 전산직 시설관리직 기술직 전기기사직 공무직 기출문제 자기소개서작성성공패턴 인성검사 직무계획서 입사지원서작성요령

  내용을 말해야 합니다.4) 시스템 셧다운 문제가 발생하는 원인을 3가지만 말해 보세요.5) 병원시스템의 솔류션을 다루어 본적이 있나요? ... 진성반도체 중에서 같은 원소로 이루어진 Si, Ge는 공유결합을 하고 여러 원소로 이루어진 GaAs, GaN, InP 등은 이온결합을 한다. ... 해보세요.반도체 소재는 크게 진성반도체(intrinsic semiconductor), 외인성 반도체(extrinsic semiconductor)로 구별하며, 외인성 반도체는 또다시 N형

  자기소개서 | 359페이지 | 9,900원 | 등록일 2022.09.14

  다운로드 장바구니
• 

  실로암안과병원 전산직 시설관리직 기술직 전기기사직 공무직 기출문제 자기소개서작성성공패턴 인성검사 직무계획서 입사지원서작성요령

  내용을 말해야 합니다.4) 시스템 셧다운 문제가 발생하는 원인을 3가지만 말해 보세요.5) 병원시스템의 솔류션을 다루어 본적이 있나요? ... 진성반도체 중에서 같은 원소로 이루어진 Si, Ge는 공유결합을 하고 여러 원소로 이루어진 GaAs, GaN, InP 등은 이온결합을 한다. ... 해보세요.반도체 소재는 크게 진성반도체(intrinsic semiconductor), 외인성반도체(extrinsic semiconductor)로 구별하며, 외인성 반도체는 또다시 N형

  자기소개서 | 361페이지 | 9,900원 | 등록일 2022.09.09

  다운로드 장바구니
• 

  서울척병원 전산직 시설관리직 기술직 전기기사직 공무직 기출문제 자기소개서작성성공패턴 인성검사 직무계획서 입사지원서작성요령

  내용을 말해야 합니다.4) 시스템 셧다운 문제가 발생하는 원인을 3가지만 말해 보세요.5) 병원시스템의 솔류션을 다루어 본적이 있나요? ... 진성반도체 중에서 같은 원소로 이루어진 Si, Ge는 공유결합을 하고 여러 원소로 이루어진 GaAs, GaN, InP 등은 이온결합을 한다. ... 해보세요.반도체 소재는 크게 진성반도체(intrinsic semiconductor), 외인성 반도체(extrinsic semiconductor)로 구별하며, 외인성 반도체는 또 다시 N형

  자기소개서 | 359페이지 | 9,900원 | 등록일 2022.09.08

  다운로드 장바구니
• 

  [A+] 면저항 결과 보고서 레포트

  실험 재료 및 방법① 3개의 시편(ITO, FTO, Si wafer)을 준비하고, 측정용 장비인 RSD-40K의 전원을 킨다.② 준비 된 시편을 4-Point Probe를 이용하여 ... , 순도 9N 이상의 실리콘 웨이퍼는 반도체소자에 사용된다.- 불순물이 3족 원소인 붕소(B)이면 P형 웨이퍼이고, 불순물이 5족 원소인 인(P)이나 비소(As)이면 N형 웨이퍼이다 ... 실리콘 웨이퍼(Si wafer) - Si 단결정 또는 다결정을 길게 기른 후 얇게 잘라서 만든 판- 태양 전지나 반도체 집적회로에 주로 사용된다.- 다결정 실리콘 웨이퍼는 grain

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.06.23 | 수정일 2023.07.06

  다운로드 장바구니
• 

  [일반화학실험]질량과 부피 및 밀도

  여기서 질량의 SI 기본 단위는 ㎏이고 길이의 SI 기본 단위는 m이므로 부피의 SI 기본 단위는 ㎥이다. ( 그 밖엔 ㎤, L, ㎖ 등이 있고 관용적으로 g/㎖이 쓰인다. ... {x}}:평균값, n:측정횟수라. ... 이 때 N은 측정횟수이므로 측정횟수가 증가할수록 불확실도가 감소한다.

  리포트 | 9페이지 | 3,200원 | 등록일 2023.01.11

  다운로드 장바구니
• 

  [A+] 기체상수의 결정 (화학실험 A+ 및 보고서 모두 만점)

  KClO3의 열분해 반응은 아래 Equation(2)와 같다.Equation(2)Figure 3. 포집한 산소 기체 부피Figure 4. ... 그 관계는 아래 수식(10)과 같다.수식(10)SI 단위 (SI base unit)SI는 국제적으로 정한 표준 단위 규약으로, 2019년에 모든 단위가 한 번 개정되었다. ... , 752.4mmHg이고, 산소 기체가 밀어낸 물의 온도는 Figure 4.와 같이 22.6°C이다.

  리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.08.08

  다운로드 장바구니