"Si3N4" 검색결과 21-40 / 4,092건

• 

  In-Situ 반응소결에 의한 전도성 Si3N4-TiN 복합세라믹스 제조

  한국재료학회 이병택, 윤여주, 박동수, 김해두

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

  다운로드 장바구니
• 

  WSi2 word-line 및 bit-line용 spacer-Si3N4 박막의 증착

  한국재료학회 안승준, 김대욱, 김종해, 안성준, 김영정, 김호섭

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

  다운로드 장바구니
• 

  폐 SiC 슬러지를 이용하여 제조한 연속다공질 SiC-Si3N4 복합체의 미세조직

  한국재료학회 이희정, 장희동, 이병택

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

  다운로드 장바구니
• 

  Phase Equilibria and Reaction Paths in the System Si3N4-SiC-TiCxN1-x-C-N

  한국분말야금학회 H.J.Seifert

  논문 | 18페이지 | 5,200원 | 등록일 2016.04.01 | 수정일 2023.04.05

  다운로드 장바구니
• 

  초미립 SiC가 첨가된 질화규소에서 미세구조에 미치는 Bedding의 영향 (Effect Of Bedding on the Microstructure of Si3N4 with Ultrafine SiC)

  한국분말야금학회 이홍한, 김득중

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.01 | 수정일 2023.04.05

  다운로드 장바구니
• 

  Si3N4를 이용한 고효율 엔진

  실험 원리 및 배경1) Si3N4계 세라믹스특성- 강도 大, 저열팽창 계수,내마모성, 내산화성- 내마모 용품, 정밀기계 부품,자동차용 고효율엔진 부품결정구조 기본은 Si3N4사면체밀도 ... - 불순물 0.1% 이하..PAGE:9※ α Si3N4..PAGE:103. ... 1300℃ )Si3N4 는 1300 ℃ 에서충분히 견딤으로 판단...PAGE:156.

  리포트 | 17페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.11.26

  다운로드 장바구니
• 

  직병렬 다이오드 회로 실험 레포트

  -2 그림5 실험회로( Si 1N4148사용)항목측정 값계산 값V _{R} [V]3.7V3.6Vi _{R} [mA]1.71mA1.63mAV _{R} =5V-1.4=3.6V#i _{R ... 실습 사용기기 및 재료● 직류 전원 공급기● 다이오드(Si: 1N4154, Ge:1N34A)● 저항 330옴, 1k옴, 2.2.k옴● 디지털 멀티미터4. ... } = {V _{R}} over {2.2k} = {3.6} over {2.2} mA=1.63mA5-3 그림 6실험회로(Si: 1N4154, Ge:1N34A사용)항목측정값V _{0}

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.10.25

  다운로드 장바구니
• 

  반도체소재공정(Si IC/p-n diode/bipolar transistor/MESFET/MOSFET/FinFET/GAAFET)

  Si IC2. p-n diode*Transistor(BJT와 FET)3. bipolar transistor4. MESFET5. MOSFET6. FinFET7. GAAFET8. ... 입체적으로 튀어나온 채널의 모양이 상어 지느러. 3나노 이하 초미세 회로에 도입될 GAA구조의 트랜지스터는 전류가 흐르는 채널 4면을 게이트가 둘러싸고 있어 전류의 흐름을 보다 세밀하게 ... 이러한 확산 전위)가 한다.아래 그림은 실리콘(Si) p-n 접합의 전류-전압 특성을 나타낸 그래프이다.

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.03.26

  다운로드 장바구니
• 

  TCAD 보고서

  비교- Silicon (Si)- Germanium (Ge)4) N-type doping level에 따른 JV curves 비교- Silicon (Si)- Germanium (Ge ... (식 3)(식 4)(식 3)과 (식 4)으로 JV curves를 그려서 두 선의 접전으로 다이오드의 동작점을 알 수가 있게 됩니다. ... Si과 Ge으로 각각 길이는 0.5um로 통일시킨 후 도핑을 안 한 것과, P와 N으로 각각 1e+13, 1e+15, 1e+17/cm3로 설정하여 비교를 하였습니다.도핑의 유무에 따라서

  리포트 | 23페이지 | 4,000원 | 등록일 2020.06.17

  다운로드 장바구니
• 

  Si wafer의 Hall Effect 측정 보고서- A+ 학점 레포트

  Experimental materials [ P+, P, N- ] Type Silicon Wafer, Indium Specimen, Graphite 4. ... Results and discussion1) Si wafer의 홀 측정 (1) N type , P type, Intrinsic 반도체를 정의하시오. ㉠ Intrinsic 반도체일반적으로 ... Cutter, PCV 기판, 고무장갑, Hall Effect Measurement System, Computer, Magnetic Bar, Scotch Tape, 전자현미경, 기록지3.

  리포트 | 12페이지 | 15,000원 | 등록일 2020.06.01 | 수정일 2022.10.14

  다운로드 장바구니
• 

  Electronic structure analysis of solids

  *0.505/0.500= 4.04 Å (exp. 4.05 Å)Difference of is 0.01Å ( error percentage is 0.24%)3) Ag(optimized ... is 5.46 Å and FCC-Al is 4.04 Å, FCC-Ag is 4.08 Å.1) Si(optimized lattice constant) = 5.40*0.506/0.500 ... [10 pts] N(E)~E1/2For the metallic cases, the DOS of Al resembles most the free-electron behavior(N(E

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.11.07

  다운로드 장바구니
• 

  PN 접합다이오드(예비+결과)/ 전자회로실습/ 한기대

  실험준비물-Power Supply, Digital Multimeter, Bread board, 리드선, 고정저항 250Ω 1개, Si 다이오드(1N4148) 1개4. ... 예비과제2.1 진성 반도체와 불순물 반도체의 차이점에 대하여 간략히 설명하여라.진성반도체는 게르마늄(Ge)이나 실리콘(Si)과 같이 최외각 전자가 4개인 4족 원소들을 공유 결합시켜 ... , 전자가 소수 캐리어가 된다.2.3 N형 반도체에서 도핑하는 원소는 무엇이며다수 캐리어와 소수 캐리어는 무엇인가?

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.03.12 | 수정일 2022.03.14

  다운로드 장바구니
• 

  공업화학 2023년도 국가공무원 5급(기술) 공개경쟁채용 제2차시험 문제풀이

  문.Hexamethylenediamine(H2N(CH2)6NH2)과 adipic acid(HOOC(CH2)4COOH) 분자 각각 100개가 선형 단계 축합 중합 반응을 일으킬 때, ... (단, GaAs은 제외한다) (6점)3)Si는 입방 구조를 갖는다. ... 위 반응에서 amine group의 개수가 2개로 되었을 때, 수평균 분자량(M_n)을 구하시오.

  시험자료 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.11.07

  다운로드 장바구니
• 

  Semiconductor Device and Design - 3,

  〮Si can be operated up to ~150℃ while Ge can be operated up to ~100 ℃. ... Later, silicon became the material of choice for Ics.Bandgap 〮Si(1.12eV), Ge(0.66eV)Operating temperature

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.06.22 | 수정일 2023.06.25

  다운로드 장바구니
• 

  고려대학교 일반대학원 신소재공학부 연구계획서

  기판과 인이 도핑된 폴리-Si 사이의 초박형 SiO2 층의 계면 분석 연구, 탄소나노튜브 전극 기반 페로브스카이트-실리콘 탠덤 태양전지 연구, Al2O3/Si의 계면 특성 개선을 ... 위한 습식 화학적 산화 및 표면 캐리어 수명 시뮬레이션 및 정전용량-전압 측정을 이용한 Al2O3/SiOx/Si 구조의 계면 분석 연구, 패시베이션 에미터와 후면 접촉 c-Si 태양전지의 ... 실리콘 태양전지용 구리계 전면접점 페이스트 적용 및 접점 형성 메커니즘 규명 연구, 고효율 양면 보호막 접촉 실리콘 태양전지용 스핀온 도핑을 이용한 붕소 도핑 폴리실리콘 연구, 4단자

  자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.04.05

  다운로드 장바구니
• 

  신소재공학 대학원 (카이스트) 면접 기출 및 예상문제

  Phonon과 열용량 관계 설명.2. p-type과 n-type 반도체의 원리 및 밴드 구조, junction 형성 원리 등3. ... Si Au 혼합 시 그래프 상 온도 (eutectic)2. 플라즈마, 사용 기체 설명3. 유전6. 순수 H2O에 전압 가할 시, 내부 에너지 변화7. ... 확산(구동력, fick's law, steady state) 설명+1. n-type p-type 반도체 설명, 도핑 법2. diffusion 공식, 문제3. phase diagram

  자기소개서 | 2페이지 | 5,000원 | 등록일 2023.05.03 | 수정일 2023.05.10

  다운로드 장바구니
• 

  화학적특성평가 조직보고서

  :Si(OR) _{4} +nH _{2} O->Si(OR) _{4-n} (OH)+nROH (n=1,2,3,CDOTS )5) 졸겔법 출발용액 화합물 종류화합물예특징금속유기화합물금속알콕사이드Si ... }Si+2Cl _{2} ->SiCl _{4}SiCl _{4} +4H _{3} CH _{2} OH->Si(OH _{2} CH _{3} ) _{4} +4HCl※ 메니스커스 눈금읽기메니스커스 ... Si(OR) _{4} +H _{2} O->Si(OR) _{3} (OH)+ROH?Si(OR) _{3} (OH)+H _{2} O->Si(OR)(OH) _{3} +ROH?

  리포트 | 13페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.11.25

  다운로드 장바구니
• 

  2주차_2장_예비보고서_다이오드특성

  EC%85%98-03%EB%8B%A4%EC%9D%B4%EC%98%A4%EB%93%9C-%ED%8A%B9%EC%84%B1%EA%B3%A1%EC%84%A0" https://deo ... DMM을 다이오드에 제대로 연결하면 DMM은 약 2mA 전류에서 다이오드 순방향 전압(Si는 약0.7V, Ge는 약 0.3V)을 나타낼 것이고 역방향 바이어스로 연결하면 개방회로를 ... 이 부분에 있어선 실험을 통해 더욱 정밀하게 분석할 예정이다.문턱 전압V(Si) = 0.65VV(Ge) = 0.3V온도영향(데모용)가열기가 존재하지 않아 작성하지 못했습니다.본 실험

  리포트 | 20페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.11.30

  다운로드 장바구니
• 

  유기소재실험1_siloxane_중합

  H3Si－(O－SiH2)nO－SiH3, n＝0인 것을 디실록산, n＝1인 것을 트리 실록산이라 한다.- polysiloxane의 종류 3가지(구조식)*Polysiloxanes, di-Me ... : 68.4 - 58.8958 = 9.5g(CH3CH2O)Si + 4H2O → (OH)4Si + 4CH3CH2OH(OH)4Si → SiO2 + 2H2O따라서 TEOS 1mol 반응할 ... Si-H의 결합을 불포화 결합을 통해 결합시킨다.하나의 폴리오르가노실록산의 알케닐기와 폴리오르가노실록산 또는 실란과 같은 또 다른 실리콘 함유 물질의 Si-H기의 반응이다.결과레포트

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.08.17

  다운로드 장바구니
• 

  강동성심병원(의) 전산직 시설관리직 기술직 전기기사직 공무직 기출문제 자기소개서작성성공패턴 인성검사 직무계획서 입사지원서작성요령

  내용을 말해야 합니다.4) 시스템 셧다운 문제가 발생하는 원인을 3가지만 말해 보세요.5) 병원시스템의 솔류션을 다루어 본적이 있나요? ... 6) 컴퓨터시스템에서 신호선들의 집합을 기능으로 분류한 기본 버스 3종류는 무엇인가요>n 데이터버스n 주소버스n 제어버스7) 컴퓨터시스템에서 신호선에 버스를 사용하는 이유는 무엇인가 ... 진성반도체 중에서 같은 원소로 이루어진 Si, Ge는 공유결합을 하고 여러 원소로 이루어진 GaAs, GaN, InP 등은 이온결합을 한다.

  자기소개서 | 356페이지 | 9,900원 | 등록일 2022.09.03

  다운로드 장바구니