"Si3N4" 검색결과 181-200 / 4,092건

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  A+ 광통신 - 7. Optical Fiber(광섬유)의 종류와 모드

  수평 광선 : 근거리, 고굴절률 영역(1) NA = a 와TRIANGLE에 의해 결정(2) GRIN = 광섬유 축으로부터 멀어질수록 감소(3) SI = 균일(4) 수광각 = 광섬유 ... 축으로부터 멀어질수록 감소(5) 결합 효율 비교 = 코어 크기가 같고 동일한TRIANGLE일 때, SI > GRIN- Parabolic profile의 경우※ 광섬유 N축으로 부터의 ... 멀티모드 전송은 비교적 짧은 거리에서 사용되는데, 그 이유는 멀티모드를 장거리에서 사용하면 빛이 분산되는 경향이 있기 때문.3.

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.02.05

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  X선결정학 보고서 dspacing 을 이용한 XRD data 보정 후 격자상수 구하기 신소재공학과

  이는, 조건에 따라 2가지 공식을 사용해 구할 수 있는데, 첫 번째는 브래그법칙인 nλ=2dsin2Θ 이다. ... - Applied voltage : 40V3. ... )} = {sqrt {0 ^{2} +0 ^{2} +4 ^{2}}} over {2sin(10.625+x)}위와 같은 식을 계산하면 Inse-Si doped의 보정값은x=0.0782˚

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.10.29

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  재료공학실험(세라믹) 박막 증착된 웨이퍼들의 XRD 분석

  튜브 출력, 모노크로미터, 필터 부착여부를 확인한다.3. X선 파장을 선택하고, 적당한 슬릿을 선택한다.4. Sample을 슬릿에 끼운뒤 XRD에 장착5. ... (n=1, d=a/(a2+b2+c2)1/2)Bragg’s law110면을 계산해보면, θ=22.24 즉, 2θ=44.48°로 그림과 같이45도 근처에서 회절면을 이룬다.주어진 데이터들을 ... (Ex.monochromater)3) Detector : Target에 부딪히고 나온 X ray를 검출하여, 데이터를 산출하는 역할을 함.

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.09.08

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  [A+ 4.5 예비레포트] 기초전자공학실험 - 발광 및 제너 다이오드

  DMM 4. LED2. 저항 (100OMEGA , 220OMEGA , 330OMEGA , 2.2k OMEGA , 3.3k OMEGA 1k OMEGA ,) 5. 제너(10V)3. ... 다이오드 ( Si )이론< 발광 다이오드 >1. ... P-N접합된 다이오드에 전류가 흐르면 P형 반도체의 정공은 N형 반도체 쪽으로, N형 반도체의 전자는 P형 반도체 쪽으로 확산되면서 각각의 영역에 남아 있던 정공과 전자가 재결합하는

  리포트 | 3페이지 | 5,000원 | 등록일 2021.04.20

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  세라믹공정 중간고사 족보

  .· Si3N4 의 제조방법 3가지.Si3N4 (질화규소) 제조질화규소는 화학반응을 통해 얻는 합성원료이다.SiO2의 열탄소 환원3SiO2 + 6C + 2N2 → Si3N4 + 6COSi의 ... 직접 질화3Si가지.AlN 의 열탄소 환원Al의 직접 질화CVD 화학기상증착법을 이용하면 Al(C2H5)3· 세라믹 분체의 요구조건을 서술하시오.분말들이 뭉쳐져 있지 않고 잘 펼쳐진 ... 구형도는 3차원, 진원도는 3차원을 사진찍어서 2차원으로 표현하는 것이다. 측정의 편의성을 고려하여 진원도를 더 많이 사용한다.

  리포트 | 5페이지 | 3,500원 | 등록일 2022.11.25 | 수정일 2024.04.30

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  전자전기개론-에어텍

  P형 반도체는 Si에 3가 원소인 B, Al, Ga, In등의 불순물을 넣어서 만든 반도체로서 외부로부터 가해진 에너지가 가전자를 더 높은 에너지준위로 이동 시킬 때 가전자가 뛰어나간 ... N형 반도체란 Si나 Ge의 순수한 단결정에 원자가가 5가인 불순물을 P, As(비소), Sb(안티몬)등을 넣은 것이 N형 반도체로 이와 같이 반도체에 불순물을 첨가하는 것을 도핑이라고 ... 한다. 5가 원소는 4개의 실리콘 원자와 공유결합하여 한 개의 전자가 남는다.

  리포트 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.02.15

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  [고려대학교 일반화학실험 결과보고서] 아보가드로수의 측정 (A+)

  N= {8V} over {a ^{3}} ```# `n(Si)`=` {N} over {N _{A}} = {m(구의`질량)} over {M(실리콘의`몰질량)}# N _{A} =` {N} ... = 탄소 1몰의 평균 질량(12.011 g)/다이아몬드 밀도(3.51 g/cm ^{3}) 3.42 아보가드로수 ( N _{A}) = {V _{m}} over {V _{1}}구 4.75 ... over {n(Si)} = {8V} over {a ^{3}} {M(실리콘의`몰질량)} over {m(구의`질량)}# Ⅶ.

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.03.14 | 수정일 2024.07.03

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  <건축설비>급수설비 SI단위계, 표준기압, 연속의 법칙, 베르누이의 정리

  2 1 2 3 4 5 밀도, 비중량 , 비체적 , 비중은 무엇인가? SI단위계란? 연속의 법칙이란? 베르누이의 정리란?01 SI단위계란? ... 체적유량 Q[m 3 /s]은 단위시간당 단면을 통과하는 유체의 체적, 질량유량 q m [kg/s] 은 단위시간당 단면을 통과하는 유체의 질량, q w [N/s] 은 단위시간당 단면을 ... 압력 : 단위 면적에 가해지는 힘의 크기 국제단위계 (SI) 에서 압력의 단위를 Pa( 파스칼 ) 을 사용하기로 약속 1Pa 는 1㎡ 의 면적에 1N( 뉴턴 ) 의 힘이 가해지는 압력

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.05.24

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  반도체에 대해서

  실리콘(Si) 또는 게르마늄은(Ge) 최외각 전자가 4개이다. ... 진성 반도체는 게르마늄(Ge)이나 실리콘(Si) (진성 반도체)을 깨끗하게 정제하여 이들의 결정처럼 4개의 가전자로 공유 결합하고 있는 반도체이다. ... 이러한 진성 반도체에 3족 원소나 5족 원소와 같은 불순물을 첨가하게 되면 공유결합을 이루는 전자들의 개수가 맞지 않아서 자유전자를 생성하게 된다.

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.11.29

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  용접공학 실험보고서

  토치 케이블4) 송급 모터3. ... FeO를 Fe로 환원시키기 위하여 CO를 제거4) 와이어에 탈산원소를 포함 : Si(규소)나 Mn(망간)이 FeO에 작용2FeO + Si → 2Fe + SiO22FeO + Mn → ... 용접방법1) 토치 끝에서 TIP(팁)에 의해 통전되어 아크 발생2) NOZZLE(노즐)에서 탄산가스 방류3) 보호가스로 CO2 사용4.

  리포트 | 23페이지 | 5,000원 | 등록일 2020.09.11

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  전기전자공학기초실험-직렬 및 병렬 다이오드 구조

  (I = 1/R)4. ... .- 다이오드는 한쪽 방향으로 전류가 흐르도록 제어하는 반도체 소자이다.- 다이오드는 n형 반도체와 p형 반도체를 접합하여 만든 반도체 소자이다.3. ... Si 다이오드(천이 전압 즉 점화 전위가 0.7V)에 대해서 다이오드가 on 상태가 되려면 다이오드 양단 전압은 그림 3-1(a)에 표시된 극성으로 적어도 0.7V 가 되어야 한다.

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.09

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  인하대 VLSI 설계 2주차 inverter

  well, Poly-Si, P+ diffusion, N+ diffusion, contact, Metal]로 총 6개의 Mask를 사용하여 그릴 수 있다.1) N well: PMOS ... 0 dc 1.8V2 1 0 Pulse(0 1.8 0 10p 10p 1u 2u)M1 2 1 3 3 pch_tn w = 8 l = 2M2 2 1 0 0 nch_tn w = 4 l = 2 ... 이는 Gate를 장벽으로 하여 Diffusion부분이 Gate의 양쪽으로 자동 정렬되는 Self-aligned 방식을 따른다.4) N+ diffusion: N+ diffusion을

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.03.15 | 수정일 2023.03.18

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  Transparent Display에 적용될 수 있는 다양한 기술 논문 정리(한글)

  물질이 비정질임에도 불구하고, 전자의 높은 이동도는 통합 된 중금속 양이온의 전자 구조 (n-1)d10ns0 (n>=4)에 기인한다. ... 결과적으로, 전자 밀도 n ... 투명 Si 기반 TFT는 투명 AMOLED 디스플레이에 제한적으로 사용된다. 이전의 a-Si TFT 를 사용한 투명 OLED 디스플레이는 단지 20 %의 투과율로 보고되었다.

  리포트 | 12페이지 | 3,900원 | 등록일 2021.11.08

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  유기소재실험1_자기조립형 분자박막(Self-Assembled Monolayer, SAM)을_이용한_소수성_표면_제조

  ODTS 40μl와 TCE 20ml를 페트리디쉬에 용해시킨다.4. 플라즈마 처리된 Wafer를 용액에 담근다.5. ... 표면 관찰- 실험 결과- 결론 및 고찰표면 성질이 친수성에서 소수성으로 바뀐 이유와 원리실험물질로는 ODTS를 썼다.첫 번째로 Si-Cl의 결합이 가수분해 되어 Si-OH결합이 생성된다 ... Self-Assembled Monolayer, SAM)을 이용한 소수성 표면 제조- 배경 및 이론Organosilane을 이용한 자기조립형 분자박막SAM은 반응기에 따라 phosphonic acid, n-alkanoic

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.08.24

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  A+받은 접합다이오드 예비레포트

  이와 반대로 3족 원소를 4족 원소인 실리콘에 도핑하는 경우 양전하를 가진 캐리어(정공)의 수가 증가하므로 실리콘의 전기 전도도가 증가한다. ... 대부분의 반도체는 밴드갭이 게르마늄(Ge)보다 비교적 커 열에 의한 변화에 덜 민감한 실리콘(Si)로 만들어지고 있다. ... 이러한 5족 원소로 도핑된 실리콘을 N형 실리콘이라 한다. 대부분의 캐리어가 전자이며, 소수 캐리어는 정공(hole)이다.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.06.23

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  [재료공학실험]열전대

  열전대는 84%Ni-14.2%Cr-1.4%Si / 95.5%Ni-4.4%Si-0.1%Mg의 배합으로 호주 국방성의 재료 연구 실험실에서 처음으로 개발했습니다. ... Nicrosil (84Ni-14Cr-2Si)Nisil (95.5Ni-4.4Si-0.1Mg)③ 특수열전대(Other Type Thermocouple)TYPECombination of ... N형 열전대는 600℃에서 1,250℃의 높은 온도 범위에서 사용시 K형 열전대 보다 오랫동안 안정되고 산화에 우수한 저항력을 보여 줍니다.Si 및 Mg의 첨가로 Cr(Chromiun

  리포트 | 9페이지 | 3,600원 | 등록일 2020.11.08

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  [컴퓨터로 하는 물리학실험] 다이오드1

  -배경 및 이론● 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)은 4족 원소로서 대표적인 반도체이다. 순수한 상태의 Si나 Ge는 진성반도체라고 불린다. ... 클릭해서 Voltage sensor를 연결한다.4. ... 실리콘 다이오드는 0.6~0.7봍트 정도이며, 쇼트 키 다이오드는 0.2~0.4볼트, LED의 경우에는 1.4볼트 정도(종류와 전류의 양에 따라 달라짐)이다.● 순방향 바이어스와 반대로

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2019.10.24 | 수정일 2021.10.28

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  전자회로실험 예비보고서 - 접합 다이오드의 특성(pn 다이오드의 특성) ( A+ 퀄리티 보장 )

  재결합과 생성은 계속 일어나고, 외부회로에는 일정한 전류가 유지된다.반도체 접합 다이오드의 동작 원리그림 1-3 과 같이 p,n형 실리콘을 서로 결합시 접합다이오드가 생성된다. ... 대부분의 반도체 소자는 Ge보다 열에 덜 민감한 Si 로 만들어지고 있다. ... Si은 반도체 물질로 사용되기 전 아주 고순도로 정제되어야 한다. 순수한 반도체는 매우 낮은 전기전도도를 갖는다. 즉 비저항이 크다.

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.12.03

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  전자기적특성평가_다이오드 결과보고서

  P형, N형 반도체intrinsic semiconductor에 사용되는 대표적인 원소 Si는 최외각 전자 4개가 서로 공유결합하고 있으며 0K에서는 최외각 전자가 모두 공유결합에 참여하고 ... PN 접합Si에 절반은 P형 반도체로 도핑하고 나머지 절반은 N형 반도체로 도핑되었을 때 PN 접합이 형성된다. ... 정류 다이오드1) 정류 다이오드가 설계된 브레드보드를 연결한다.2) 한 명은 정방향으로 0~2V까지 천천히 0.2씩 증가시킨다.3) 한 명은 측정되는 전압과 전류를 영상 촬영한다.4

  리포트 | 10페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.01.11

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  경희대학교 일반대학원 정보전자신소재공학과 학업계획서

  공학적 전도성 나노필라멘트 확산에 의한 자기선택적 유기 멤리스터 연구 등을 하고 싶습니다.저는 또한 스크래치 회복성이 우수한 불소계 기능성 고분자의 자가치유 특성에 관한 연구, Nb-Si ... 크기가 20 nm 미만인 Ag 코팅 Cu 나노입자의 제조 및 산화 거동 연구, LED용 선발광 K2SiF6:Mn4+ 형광체의 광학적 특성 및 수명 연구 등을 하고 싶습니다.저는 또한 ... 산소 감소를 위해 F 및 N 도핑된 탄소 양자점의 도움을 받는 MOF 유래 Co 나노입자 촉매 연구, 메모리 창 및 저전력 작동을 향상시키기 위한 티타늄 카바이드 MXene Memristor의

  자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2024.03.16

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