• 파일시티 이벤트
  • LF몰 이벤트
  • 서울좀비 이벤트
  • 탑툰 이벤트
  • 닥터피엘 이벤트
  • 아이템베이 이벤트
  • 아이템매니아 이벤트
  • 통합검색(4,092)
  • 리포트(3,746)
  • 시험자료(192)
  • 자기소개서(62)
  • 논문(42)
  • ppt테마(23)
  • 방송통신대(18)
  • 서식(8)
  • 이력서(1)

"Si3N4" 검색결과 201-220 / 4,092건

  • 전자회로실험 예비보고서 - 접합 다이오드의 특성(pn 다이오드의 특성) ( A+ 퀄리티 보장 )
    재결합과 생성은 계속 일어나고, 외부회로에는 일정한 전류가 유지된다.반도체 접합 다이오드의 동작 원리그림 1-3 과 같이 p,n형 실리콘을 서로 결합시 접합다이오드가 생성된다. ... 대부분의 반도체 소자는 Ge보다 열에 덜 민감한 Si 로 만들어지고 있다. ... Si은 반도체 물질로 사용되기 전 아주 고순도로 정제되어야 한다. 순수한 반도체는 매우 낮은 전기전도도를 갖는다. 즉 비저항이 크다.
    리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.12.03
  • A+ 레포트 / 신소재공학실험 / XRD 사전 및 결과 보고서 / XRD / X-Ray Diffraction
    Peak List와 Hanawalt Index를 이용하여 ‘3.14x 1.926 1.643 1.366 1.251 …’과 가장 Match되는 시료를 찾으면 ‘(Si)8F’ 이다.Si의 ... " 산업과학기술연구소 분석실)[2] X선회절및결정학 강의자료[3] 재료공정실험 강의자료[4] XRD 분석법, 네이버 블로그 New journey, Hyperlink "https:// ... 시료의 회절각, 면간격, 면지수결 론XRD 분석 실험에서 분석한 시료는 Hanawalt Index와 Data Reference와 Indexing 했을 때 (Si)8F, Si와 가장
    리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.05.20
  • 건강기능식품회사에서 HPLC(육방전환밸브)로 비타민D 분석하는 방법(METHOD)
    피로갈롤:에탄올(1→10) 용액3. 95% KOH4. 1N KOH5. 0.5N KOH6. 증류수7. 페놀프탈레인 시액8. 증류플라스크9. 비커, 메스실린더10. ... 사용기기 : 시세이도나노스페이스 SI-22. ... 다시 n-hexane 50ml를 넣고 진탕11) 이제 아래층은 비커에 받아 버림12) 8),9)과정 3번 반복11) 분액깔대기①에 모인 헥산층에 1N KOH 100ml 넣고 진탕12
    리포트 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.04.10 | 수정일 2023.04.25
  • 반도체 공정 레포트 - high-k(학점 A 레포트)
    [사진4] EOT 식위 식에 따르면 k가 7.6인 Si3N4를 10nm로 사용할 경우 SiO2의 5.13nm와 같은 효과를 나타낸다는 것을 알 수 있다.High-K 물질을 적용하는 ... 물론 Poly-Si은 grain boununction metal은 4eV대의 Al은 etching이 수월하지만 500°c에서 malting이 되는 이슈가 발생한다. 5ev의 높은 work ... [사진9] 기존의 MOSFET(좌) 과 HKMG MOSFET(우)그동안 MOSFET에서는 다양한 이유로 poly-Si을 사용했었다. poly-Si의 장점은 metal에 비해 녹는점이
    리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.12.29
  • 일반화학실험 A+ 레포트_기체의 몰질량
    62.924 g = 0.273 g- 둥근 바닥 플라스크의 부피 :{128.3``mL`+`129.4``mL} over {2} =128.8``mL (1회 : 128.3 mL, 2회 : ... SI 단위는 kg/mol, 하지만 보통 g/mol을 사용한다.이때 몰(mole)은 원자와 분자의 개수 즉 물질의 양의 SI 단위이며, 몰(mole, mol)을 사용한다.아보가드로 수 ... 이때 기체의 압력은 대기압과 같게 하고 온도를 측정한 후M= {mRT} over {PV}를 이용하여 기체 분자의 몰질량을 구한다.4-3.
    리포트 | 8페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.04.06
  • 물리학 실험 - 14. 다이오드 1
    배경 및 이론실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)은 4족 원소로서 대표적인 반도체이다. 순수한 상태의 Si나 Ge는 진성반도체라고 불린다. ... )을 첨가하면,3가 원소 원소의 최외각 전자가 3개이므로 최외각에 한 자리가 비게 된다. ... 반도체에 양의 전압을 걸어준 역방향 바이어스에서는 전류가 흐르지 않는다.2. p형 및 n형 반도체의 차이를 설명하라.p형 반도체는 진성반도체에 미량의 3가 원소(붕소, 알루미늄, 은
    리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.11.24
  • 반도체에 관한 정보입니다.
    이루게 되는데, 이러한 결합을 공유결합이라고 한다.▲ Si의 최외각 전자 4개가 서로 이웃한 Si 전자와 공유 결합된 상태이런 순수한 실리콘에서는 원자핵에 결합되어 있는 전자가 움직일 ... 특성 및 기능일반적으로 반도체는 주기율표의 4족에 있는 원소 반도체와 3족, 5족 원소들의 결합으로 이뤄지는 화합물(Compound)반도체가 있다. ... 이 상태에서 실리콘에 전압을 걸어주면 제자리를 못 찾은 이 잉여전자가 자유전자가 되어 전류가 흐르게 되는 것인데, 이를 n-type반도체라고 한다.4.
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.09.23
  • [전자회로실험] 쌍극성 접합 트랜지스터 특성 결과보고서(A+)
    ,`I _{B} ``=`10 muA2)V _{RB} `=`6.6V,`I _{B} ``=`20 muA3)V _{RB} `=`9.9V,`I _{B} ``=`30 muA4)V _{RB} ... 또한, 2와 1, 2와 3을 역방향으로 연결했을 때에는 OPEN이므로 npn 트랜지스터임을 알 수 있다.i.베이스2트랜지스터 형태npn컬렉터 단자1이미터 단자3트랜지스터 재료Si2. ... 트랜지스터는 두 개의 n형 재료 층 사이에 하나의 p형 재료 층이 놓이거나(npn), 두 개의 p형 재료 층 사이에 하나의 n형 재료 층이 놓이는(pnp) 구조를 갖는다.
    리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.12.13
  • 부경대학교 유압공학 족보
    ⇒ 비례· 2장 [문제 6]· 2장 [문제 7]· 2장 [문제 8]· 2장 [문제 9]· 2장 [문제 10]·2장 [연습문제 2-4]· 3장 [문제 12]· 기름 폐입현상이란? ... .· SI 단위와 중력단위의 차이점- SI 단위 : 국제단위, 기본적으로는 “MKS”단위와 흡사.- 중력 단위 : 중력 가속도를 포함한 단위- 힘과 질량의 단위가 다르다.- 무게(중량 ... · 잠수 높이 구하기(hpa=100pa, pa=N/m ^{2} 중력단위로 바꾸고 p=gamma BULLET H 수두공식 이용)- 1177hpa일 때 물 속에서 잠수하고 있는 잠수부의
    시험자료 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.07.13
  • 울산대학교 전자실험결과1 PN접합 다이오드 특성곡선 측정과 기준전압
    (계산값) rd= 5.2Ω3. (계산값) rd= 20.04Ω4. ... (V)3.6293.64.6414.65.6475.66.6526.77.6677.7표 1-3 Si 다이오드의 VD 와 ID- 그림 1-5. ... 다이오드 테스트(b) 저항으로 측정테스트순방향 바이어스역방향 바이어스상태SI4.72[kΩ]OL양호Ge4.89[kΩ]OL양호표 1-2 다이오드 저항 측정(2) 순방향 바이어스 다이오드
    리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.03.20
  • [방통대 유아교육과 4학년 심리검사 및 측정 공통] 워크넷 사이트(www.work.go.kr)의 성인용 심리검사 중 자신에게 필요한 검사를 2개 선택하여 실시하고 아래 내용(1~5)을 모두 포함하여 과제를 작성하십시오.
    검사결과 요약1) 나눠주는 사람2) 내성적I 또는 외향적E3) 느낌S 또는 직감N4) 생각T 또는 느낌F5) 판단 J or 인식 P5. ... 성격유형검사 : MBTI3. 해당 검사를 선택한 이유4. ... 다면적 인성검사 : MMPI3. 해당 검사를 선택한 이유4. 검사결과 요약5.
    방송통신대 | 20페이지 | 5,000원 | 등록일 2020.09.21
  • 조건법간략한정리(아주간단)
    가정의 상황3. 불확실성/가능성의 표현4. 간접화법에서의 시제일치(과거에서 본 미래)-조건법현재의 형태-#단순미래 어간+반과거 어미Je ?ais Nous -ionsTu ? ... 불가능한 가정말하기3. 비난하기, 탓하기4. 이미 실행됐지만 확인되지 않은 정보 말하기-조건법과거의 형태-#조동사의 조건법현재+과거분사#avoir, etre 조동사 사용Je ? ... Si je gagnais le gros lot, jeferais le tour du monde.-1등에 당첨되면, 세계일주를 하겠어요.3.
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.03.28
  • 전자회로실험 제11판 예비보고서 실험2(다이오드 특성)
    따라서 DC저항이 AC저항보다 더 큼을 알 수 있다.7) 이 문제에서 얻어진 데이터로부터 D1N4148은 Si와 Ge중에서 어느 다이오드인가? ... Si 다이오드 -> LED로 대체한 시뮬레이션 결과VR(V)0.10정값) = 8.0776mVIs(측정값) = 8.0770nA(3) - A. ... 실험을 통해 확인하고자 하는 내용1) 다이오드 DC 저항 / AC 저항2) Si소재, Ge소재 다이오드에 대한 Vd, Id3) 다이오드 순방향, 역방향 바이어스2.
    리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.03.18
  • 강구조 재료 특성
    2.4Ⅹ9.8 Ⅹ103+4 N/m2 = 235 MPa 2.1Ⅹ106 kgf/cm2 = 2.1Ⅹ9.8 Ⅹ106+4 N/m2 = 206 Gpa1 tf •m = 9.8 kN •mN •mkgf ... •m모멘트1kgf = 9.8 N 1tf = 1000 kgf = 9800 N = 9.8 KNN(Newton) 1kg (SI단위)의 질량에 1m/s2의 가속도를 일으키는 힘Kgf(kg ... m2 = 9.8 kPa 1 kgf/mm2= 9.8Ⅹ104+2 N/m2 = 9.8 MPa 1 tf/cm2= 9.8Ⅹ103+4 N/m2 = 98 MPa 2.4Ⅹ103 kgf/cm2 =
    리포트 | 44페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.06.25 | 수정일 2020.10.16
  • [컴퓨터로 하는 물리학 실험 (북스힐)] 13. 다이오드 1 결과보고서 (A+)
    정공이 사용되는 반도체이다.Si(실리콘), Ge(게르마늄) 등의 결정 중 붕소, Ga(갈륨), In(인듐) 같은 원자가가 3가인 원소를 정당히 가한 불순물 반도체이다. ... .· 교류 전류와 직류 전류의 차이를 이해하고 교류를 여과하고 정류하는 과정을 이해한다.실리콘이나 게르마늄은 4족 원소(최외각 전자가 4개)로서 대표적인 반도체이다. ... PASCO Capstone를 실행하고, 디지털센서에 채널 A와 붉은색, 검은색 코드에 전기 실험 회로판과 각각 연결한다.Step 3.
    리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.12.31
  • 박막 굴절률 측정
    진공 속에서 빛의 속도를 c라고 하면 굴절률이 n인 매질에서는 속도가 이 된다.4. ... 이때는 식 9 t를 구하는 식에서 과 가 작아지고 결국 SI test의 굴절률 또한 SI보다 작다고 추측해볼 수 있다.또한 Wo3의 투과율이 SI의 투과율보다 작은 것은 위와 같은 ... 하며 그림 3과 같이 빛이 진행할 때의 경계조건은 다음과 같다.
    리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.06.18 | 수정일 2022.07.15
  • 2장 다이오드 특성 예비보고서
    .- 실리콘(Si) 다이오드와 게르마늄(Ge) 다이오드실리콘 다이오드는 P형 반도체와 N형 반도체를 결합한 PN접합 다이오드로 정방향에서는 낮은 저항으로서 작은 전압으로도 전류가 흐르고 ... Si 다이오드는 약 0.7V, Ge 다이오드는 약 0.3V 이상에서 전류가 급격히 증가하며 이 때의 전압을 문턱전압(threshold voltage)라고 한다.실험회로 및 시뮬레이션 ... 2)m = 39Ω / (0.319 – 0.294) / (2-1)m = 25Ω(b) rd = 2 * (26mV / 2m) = 26Ω(3) 문턱전압Si : 약 0.64V / Ge : 약
    리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.12.22 | 수정일 2022.03.28
  • 생활프랑스어 ) 다음 문장을 프랑스어로 옮기시오. 계산은 어떻게 하시겠습니까 카드로 고기는 어떻게 익혀 드릴까요 그것으로 당신은 수신자가 우편물을 잘 받았다는 것을 확신할 수 있습니다.
    당신이 그 외투를 세탁했다면, 더 이상 어쩔 수가 없습니다.Si vous avez lave votre manteau, je n'ai plus d'autre choix.19. ... Je n’ai prevu rien pour demain. ... Le mieux est de prendre un taxi.- 없음.4. A quel jour partez-vous pour Paris?
    방송통신대 | 5페이지 | 5,000원 | 등록일 2021.03.05
  • 감염병 조사 레포트 - 신종 인플루엔자 (A+자료)
    되어 공식 표기를 변종 돼지 독감에서 인플루엔자 A로 변경했다.A형 인플루엔자 바이러스는 다양한 아형 변화를 보여 H, N의 종류에 따라 H1N1, H3N2 등으로 표기한다. ... 발견 초기에는 SI(Swine Influenza, 돼지 독감)와의 DNA 유사성 때문에 SI라고 불렀으나 WHO는 국가간 용어표기가 너무 혼란하고, 발병원인이 돼지가 아니라고 확정하게 ... 바이러스 폐렴, 세균 폐렴이 발생한 경우, 면역기능이 저하된 사람에서 발생한 경우, 고령에서 발생한 경우에는 사망에 이르기도 한다.4.
    리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.05.25
  • 2008년 국가직7급 수리수문학 해설
    연직하향으로 4.9 m/sec2의 등가속도로 용기를 이동 시킬 때, 원통바닥에 작용하는 정수압[kN/m2]은?① 4.9③ 0.5② 14.7④ 1.5문 3. ... 단위는 N․sec/m2이다.④ 점성유체라도 인접한 층 사이에 상대운동이 없는 경우, 겉보기 전단응력은 생기지 않는다.문 2. ... 점성(viscosity)이란 전단에 저항하려는 유체의 성질이다.② Newton의 점성법칙에 의하면, 전단응력은 주어진 유체의 각변형가속도와 점성계수에 정 비례한다.③ 점성계수의 SI
    시험자료 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.04.14 | 수정일 2024.01.02
  • AI글쓰기 서비스 오픈
  • 파트너스 등급업 이벤트
AI 챗봇
2024년 08월 17일 토요일
AI 챗봇
안녕하세요. 해피캠퍼스 AI 챗봇입니다. 무엇이 궁금하신가요?
7:20 오후
New

24시간 응대가능한
AI 챗봇이 런칭되었습니다. 닫기