"Plasma Nitriding" 검색결과 41-60 / 139건

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  CVD 화학기상증착 PPT 발표 자료ㄱ

  장점 단점 좋은 순도 높은 온도 균일도 좋은 step coverage 낮은 증착률 대량으로 처리 가능PECVD(plasma e nhanced CVD ) – 플라즈마 보강 기상증착 RF ... Wafer 에 유리 , 낮은 효율APCVD( 상압 CVD) 압력 : 760 torr ( 대기 압 ) 동작 온도 : 400 ~ 500 도 주로 silicon oxide 나 silicon nitride ... - 열벽 CVD(hot-wall CVD) - 냉벽 CVD(cold-wall CVD) 2) 여기 에너지 에 따른 분류 ① Thermal Energy : APCVD, LPCVD ② Plasma

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.12.29

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  반도체제작공정-박막증착공정

  deposition by LPCVD Active area mask and etching Boron implant Thermal oxidation Remove nitride and ... adhesionmany grain orientationsfewer grain orientationssmaller grain sizelarger grain sizelow vacuum, plasma ... Better film coverage over steps Fewer defectsMaterials Processing LaboratoryPlasma enhanced CVD박막 증착 공정Plasma

  리포트 | 25페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.09.09

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  ICP-OES의 이론 및 분석방법

  Also, using inert gas (argon) makes oxides and nitrides harder to be generated. ... 또한 시료에는 존재하지 않고 측정원소와 유사한 분광특성을 갖는 원소가 적합하다 .Data analysis 3) 사용시기 ; 시료 조성이 표준물질과 달라 분무효율이 변동되는 경우와 플라즈마의 ... Description of ICP Optical Emission Spectrometry (ICP-OES )-SII Nano -Technology Inc. [ 기기분석 특집 ] 유도결합플라즈마

  리포트 | 19페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.10.24

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  반도체공정-유전체증착

  nitride 를 성장 시킬 때 - plasma enhanced CVD (PECVD) 공정 - interconnection 과 contact 을 위해 metal 과 metal silicide ... -IC 에서 device isolation 에 사용되는 local-oxidation 공정에서 block oxidation 을 위한 mask 로 질화규소 (Silicon Nitride ... 기본반응식 SiH 4 + 2O 2 → SiO 2 + 2H 2 O SiH 4 + O 2 → SiO 2 + 2H 2 2PH 3 + 4O 2 → P 2 O 5 + 3H 2 OPECVD (Plasma

  리포트 | 26페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.05.19

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  박막증착 공정과 식각 공정 자료입니다.

  Low pressure CVD (LPCVD) of polysilicon and silicon nitride is widely used in silicon technologies. ... Since some technologies require alloys to solid charge is placed in a crucible, typically made of boron nitride ... When depositing insulating materials such as SiO2, an RF plasma must be used.

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.23

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  이온질화처리된 Inconel 625 합금의 기계적 성질 및 마모 특성에 관한 연구

  한국기계기술학회 최인표

  논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  Thermal Evaporation법을 이용한 박막의 제조 결과

  최근에는 보다 저온처리가 가능한 플라즈마 CVD법도 이용하게 되었다.는 산소와 반응하기 쉽기 때문에 반응계에 조금이라도 공기의 누설이 있으면 Oxy-nitride를 만들게 되므로 산소의 ... 존재에 따라서 막의 성질은 큰 영향을 받는다.의 저온형성법으로서 가스를 방전하여 활성화해서 반응시키는 플라즈마 CVD법이 있다. ... 원료가스를 플라즈마 상태에서 분해하고, 화학적으로 활성화한 상태의 원자 및 분자로 있기 때문에 300°C전후의 저온에서 막의 형성이 가능하다.

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.03.08 | 수정일 2015.06.29

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  건식식각

  결합 이온화 원자와 반응 가스를 다양한 반도체 , 금속 , 산화물 , nitrides 및 기타 재료를 에칭하는 능력의 플라즈마를 만드는 고주파 에너지를 (RF) 이용한 드라이 에칭 ... (Inductive coupled plasma-reactive ion etching) 유도 결합형 플라즈마 - 반응성 이온 에칭 유도 결합형으로 생긴 고밀도 플라즈마를 소스원으로 하는 ... 화학적 방법 – Plasma Etching 3.

  리포트 | 25페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.06.13

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  Investigation on TiN+WC prepared by AIP and Magnetron sputtering

  10Cooling(fix.)Furnace coolingH2 : NH3 gas ratio(fix.)4 : 1Process pressure(fix.)1 torr2.3 시편분석Plasma ... 미소경도 측정플라즈마 라디칼 질화된 시편의 표면의 경도와 플라즈마 처리 결과 생성되는 확산 층에 의한 경화 깊이를 조사하기 위해 깊이에 따른 경도 값의 변화를 측정하였다. ... 일반적인 이온질화(플라즈마 질화)의 화합물 층의 생성과 금형모서리부분의 박리, 균열 등의 문제와 복잡한 형상의 균일한 표면처리가 어렵다는 단점을 개선한 것이 플라즈마 라디칼 질화이며

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.07.07

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  드라이에칭

  결합 이온화 원자와 반응 가스를 다양한 반도체 , 금속 , 산화물 , nitrides 및 기타 재료를 에칭하는 능력의 플라즈마를 만드는 고주파 에너지를 (RF) 이용한 드라이 에칭 ... (Inductive coupled plasma-reactive ion etching) 유도 결합형 플라즈마 - 반응성 이온 에칭 유도 결합형으로 생긴 고밀도 플라즈마를 소스원으로 하는 ... 화학적 방법 – Plasma Etching 3.

  리포트 | 25페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.06.02

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  PN 다이오드공정설계

  oxide p1.x=9.5 rightRATE.ETCH MACHINE=PLASMA1 SILICON U.M RIE ISOTROPIC=0.1 DIRECT=0.9ETCH MACHINE=PLASMA1 ... thick=0.25 div = 5etch nitride p1.x=0.5 leftetch nitride p1.x=9.5 rightetch oxide p1.x=0.5 leftetch ... 그리고 Oxide 절연층이 생길 부분의 Nitride와 Oxide Pad를 식각하고 RIE(reatii 기판까지 식각한다.식각시 손상된 epi층 때문에 얇은 Oxide층을 Themal

  리포트 | 10페이지 | 4,000원 | 등록일 2009.08.12 | 수정일 2015.07.13

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  박막 증착에 관한 진공장비(시스템) 소개 및 원리 숙지

  상태의 압력, 분자 밀도가 2.5*1019 분자/CM3 이하를 말하며 압력 차에 의한 힘의 발생, 극 청정 환경 제공, 단열효과, 입자의 장거리 비행가능, 증발과 승화작용, 안정된 플라즈마를 ... Getter pump티타늄(Ti)과 같이 화합물 형성이 쉬운 물질을 필라멘트나 덩어리 형태로 가열하여 진공 펌프 벽에 증착하면, 펌프내로 들어온 가스와 hydride, oxide, nitride ... atomshigher enery atomshigh vacuum path-few collisions-line of sight deposition-little gas in filmlow vacuum, plasma

  리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.04.21

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  PVD와 CVD의 비교 및 분석

  Plasma CVD3. ... Uncoated toll 보다 크게 우세하고 산업에의 적용성이 빨라진 Titanium carbide와 Titanium nitride CVD-coated carbide toll4. ... -CVD공정의 개요외부와 차단된 반응실 안에 Substate를 넣고 Gas를 공급하여 열, 플라즈마, 빛, 에너지 등에 의하여 열분해를 일으켜 기판의 성질을 변화시키지 않고 Solid

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.15

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  플라즈마, Chemical Vapor Deposition 와 Physical Vapor Deposition

  to be deposits atomistically on a suitably placed substrate. ( Chemical Vapor Deposition of Silicon Nitride ... Deposited layer Plasma Sheath region + + + + + TMP RP Cathode Target TC Substrate Ar gas DC POWER Ar ... reactive deposition can be easily accomplished using reactive gaseous species that are activated in plasma

  리포트 | 28페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.06.18

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  PVD와 CVD

  Ar이 excite되면서 전자를 방출하면, 에너지가 방출되며 이 때 glow discharge가 발생하여 이온과 전자가 공존하는 보라색의 plasma를 보인다.Plasma 내의 Ar ... Photo CVD 저온공정(Si₃n₄: photo nitride) De 모든 파장을 커버할 수 없기 때문에 일부 재료에서만 사용가능Plating 열속도보다도 큰 운동에너지로 가속된 ... CVD) 장점 탁월한 순도, 균일도 탁월한 step overage 단점 High temperature Low deposition rate 적용 High temp oxide Si nitride

  리포트 | 22페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.10.27

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  Thin film Deposition(박막 제조)

  methods (see also Plasma processing) Microwave plasma-assisted CVD (MPCVD), Plasma-Enhanced CVD(PECVD ... Silicon Nitride film : Used most in GaAs processing : High dielectric constant(=6-7) - Capacitor dielectrics ... GaAs processing 1) Silicon dioxide SiH4 + 2N2O → SiO2 + 2H2 +2N2, SiCl4 + O2 → SiO2 + 2Cl2 2) Silicon nitride

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.03

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  cvd

  반응온도는 100 ~ 1200℃ 범위로 광범위하게 사용되고 유입된 반응가스를 분해시키는데는 열, RF전력에 의한 Plasma 에너지, 레이저 또는 자외선의 광에너지가 이용되며 기판의 ... 대표적인 Carbides의 증착의 예는 다음과 같다.Nitrides의 증착은 일반적으로 암모니아를 이용한다. ... 암모니아를 사용한 예는 Silicon nitride의 증착에서 볼 수 있는데 이는 반도체 산업에서 널리 사용되고 있다.◎ CVD의 전조물질여러가지의 다양한 CVD의 화학적 반응들이

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.05.16

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  진공증착 (Sputtering)_pre

  플라즈마플라즈마란 ‘partially ionized g ... Ti은 화학적으로 매우 반응을 잘하는 물질이며, 그 흡착된 film은 쉽게 다른 가스와 결합하여 그것들을 titanium hydride, oxide, 그리고 nitride 같은 고체화합물로 ... 이 방법의 장점은 낮은 진공도에서도 쓸 수 있다는 점이다.다이오드 스퍼터링에서 타겟을 떠난 모든 전자가 이온화된 플라즈마 방전에 기여하는 것은 아니다.

  리포트 | 9페이지 | 5,000원 | 등록일 2011.06.10

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  나노기술 숙제입니다.

  mask로 사용하면서 thermal oxide의 두께를 0.3 μm 로 etching 된다.Disc에 metal을 제거하기 위해서 photoresist가 coating되고 O2 plasma에 ... 온도에서 산화되면서 silicon tips는 날카롭게 되고 silicon substrate와 산화물 사이에서 thermal oxide가 형성된다.다음 과정은 etchback과정으로 nitride ... Mask를 원하는 형상으로 에칭해서 다음과 같은 모양을 얻는다.The fabrication of 2-D porous structure using anode etchingsilicon nitride와

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.10.04

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  [뉴로칩][프로틴칩][DNA칩][셀칩][랩온어칩][중급속칩][블루투스칩]뉴로칩, 프로틴칩, DNA칩, 셀칩, 랩온어칩, 중급속칩, 블루투스칩 분석(뉴로칩, 프로틴칩, DNA칩)

  실리콘 wafer 위에 LPCVD silicon nitride 복합층을 형성시킨다. ... Photolithography로 패턴을 형성시킨 후 plasma와 isotropic silicon etching 등을 수행하여 실리콘 기판 위에 전극을 배열하고 접점 부분에 well들을

  리포트 | 6페이지 | 5,000원 | 등록일 2013.02.22

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