"mim capacitor" 검색결과 1-20 / 21건

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  Post annealing effect of BaTiO3-based MIM capacitors for high capacitance 실험 레포트

  및 원리MIM (metal-insulator-metal) 캐패시터는 아날로그 RF 집적회로에서 매우 중요한 요소이다. ... 따라서 Ta2O5 (tantalumoxide), Al2O3 (alumina) 또는 HfO2 (hafnium oxide)등의 High-k 물질들이 MIM 캐패시터에 많이 사용 되어지고 ... 최근 scaledown으로 인한 추세에 맞게 더욱 더 작은 소자들의 면적이 요구되고 있으며 아날로그/RF 집적회로에 상당부분을 차지하고 있는 MIM 캐패시터의 면적 또한 축소의 필요성이

  리포트 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.11.08

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  ZrO2 MIM 캐패시터의 구조, 표면 형상 및 전기적 특성

  한국재료학회 김대규, 이종무

  논문 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  반도체공정 Report-3

  여기서MIS, MIM은 각각 metal-insulator-semiconductor, metal-insulator-metal 구조를 의미한다. ... DRAM의 고집적화가 진행될수록 cell 당 할당되는 면적은 감소하는 반면, 소자가 동작하기 위해 필요한 정전용량은 cell의 크기에 관계없이 25fF/cell 의 일정한 값을 유지해야 ... HfO2는 트랜지스터의 gate oxide의 후보 재료로서 많이 연구되어온 물질로 유전율은 약 20 - 25 정도로 비교적 낮은 값을 가지나 band gap이 5.7eV 정도로 비교적 크기

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.04.11

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  히타치하이테크 CS엔지니어 합격자소서 / 인증 有

  그 결과 입자의 크기, 실험 온도, 건조 기간이 방수성과 큰 연관이 있음을 알 수 있었습니다. ... ‘DRAM Capacitor의 전기적 특성’을 주제로 졸업논문을 작성하였습니다. ... ALD를 사용하여 MIM 소자를 제작하고 Probe Station, XRD, XPS를 통해 소자의 특성을 평가해본 경험이 있습니다.

  자기소개서 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.07.14

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  차세대메모리 반도체(MRAM, PRAM, RRAM) 발표자료

  문제가 있다 • 비휘발성 특성의 신뢰성 부족의 문제 는 것 • 용융온도 이상으로 가열한 후 급랭 • n 에서 Off 상태로 변하며정보 기록 • 크게 0 에서 1 으로 바꾸는 것 • 크기가 ... 에 전류를 흘려 보낼 때를 ‘ 1’ 전류를 흘려 보내지 않을 때를 ‘ 0’ 으로 정해 데이터 값 을 정의 • 1 Cell = 1 Transistor + 1 Capacitor • 수십억 ... ) 구조 • MIM 구조의 비휘발성을 보이는 저항 스위칭 현상을 이용 ❖ 구조 ❖ 동작원리 • RRAM 의 모든 과정을 pulse 전압을 인가하며 작동 • 저항이 작은 상태를 on,

  리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.03.08

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  [반도체 공정1] 1차 레포트 - ITRS 2005 PIDS

  캐패시터는 스케일링에 따라 물리적으로 작아지기 때문에 EOT는 스케일링과 함께 적절한 스토리지 캐패시턴스를 유지하기 위해 급격하게 스케일다운해야 한다. ... 결국 2006년 이후에는 Ta2O5와 Al2O3보다 k값이 훨씬 높은 MIM(Metal Instulator Metal) 구조와 유전 재료가 필요할 것으로 보인다.마지막으로, 로드맵 ... 한다.D램 용량(칩당 비트 수)이 증가함에 따라 칩 크기를 거의 일정하게 유지하는 것은 칩 비용 측면에서 매우 중요하다.

  리포트 | 27페이지 | 2,500원 | 등록일 2019.11.22

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  MLCC와 그 전망

  일반적으로 유전체로 알려진 절연체는 두 금속 층 사이의 전류 흐름을 막는 장벽의 역할을 하며 세 층의 조합은 축전기 구조의 전하 저장 특성을 가집니다. ... 이 high-k 물질은 MIM 뿐만 아니라 여러 Capacitor의 분야에서 빠질 수 없는 중요한 요소입니다. ... Equivalent Serial Resistance)을 낮추기 위해서 Cu, glass 복합재료로 형성하고, 최종적으로 도금처리하여 제품이 완성되는 구조입니다.설계적으로 보면 MLCC는 단위 캐패시터를

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.08.20

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  [반도체 공정 A+] High k(고유전체) 관련 레포트

  캐패시터는 MIM(Metal-Insulator-Metal) 구조를 갖는데, 전극간의 거리를 줄이면 Insulator층의 두께가 매우 얇아진다. ... 반도체 공정High-k dielectrics 레포트제출일 : 2018년 00월 00일00공학과000• Capacitors in DRAMDRAM은 셀이 하나의 트랜지스터와 하나의 캐패시터로 ... 그러면 캐패시터에 저장된 전하가 DL으로 빠져 나오게 된다.

  리포트 | 8페이지 | 3,500원 | 등록일 2018.12.07 | 수정일 2021.11.08

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  TiN 기판 위에 성장시킨 비정질 BaSm2Ti4O12 박막의 구조 및 전기적 특성 연구

  한국재료학회 박용준, 백종후, 이영진, 정영훈, 남산

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  차세대 메모리 종류와 특징

  기존의 DRAM 공정은 1T-1C 구조의 cell를 이루고 있는데 capacitor공정의 난이도가 점점 더 올라가게 되어, 높은 수율을 가지는 DRAM cell의 제작이 점점 더 어려워지고 ... RAM), MRAM(Magnetic RAM) 등이 있습니다.ReRAM (Resistance Random Access Memory)ReRAM 소자는 일반적으로 금속산화물을 이용한 MIM ... 특히 ReRAM은 간단한 구조, 나노 크기 소자제작, 단순한 공정 등의 장점이 있으므로 비휘발성 메모리 분야의 새로n이라 하고 1을 0으로 바꾸는 것을 RESET operation이라고

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.08.20

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  비휘발성 차세대 메모리

  기존의 DRAM 공정은 1T-1C 구조의 cell를 이루고 있는데 capacitor공정의 난이도가 점점 더 올라가게 되어, 높은 수율을 가지는 DRAM cell의 제작이 점점 더 어려워지고 ... RAM), MRAM(Magnetic RAM) 등이 있습니다.ReRAM (Resistance Random Access Memory)ReRAM 소자는 일반적으로 금속산화물을 이용한 MIM

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.08.20

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  Metal-Insulator-Metal 캐패시터의 응용을 위한 비정질 BaTi4O9 박막의 전기적 특성

  한국재료학회 홍경표, 정영훈, 남산, 이확주

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  DRAM에 관한 레포트입니다.

  Capacitor란? ... 대한 연구 ● Ta2O5를 고유전물질로 사용하고 Ru를 전극으로 활용(MIM구조) ⇒ 30nm~40nm의 기술노드에 적합 ● 유전율이 50~100인 SrTiO3 혹은 BST 고유전체와 ... Capacitor란?(1) CVD (2) ALD5.

  리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.11.12

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  MOScapacitor 제작 및 특성 분석

  Introduction of MOS capacitor The MOS capacitor consists of a Metal-Oxide-Semiconductor structure as ... Figure 1 : The structure of MOS capacitor To understand the different bias modes of an MOS capacitor ... Purpose of Experiment The principle of operation could be obtained by fabricating MOS capacitor.

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.11.27

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  ReRam,RRAM,저항메모리 기능과메카니즘

  기존의 DRAM 공정은 1-TR/1Capacitor 구조의 간위 Cell을 이루고 있는데 소자의 크기가 작아짐에 따라 Capacitor 공정의 난이도가 점점 더 올라가게 되어 높은 ... Ionic 효과에 의한 mim 소장의 저항변화는 이온의 이동 및 산화환원 반응을 통하여 구현할 수 있다. ... Nanoionics 기반 저항변화 메모리 (ReRAM)3.1 개요MIM(metal insulator metal) 구조를 가지는 다양한 시스템에서 전기적 입력에 의하여 스윗칭이라고 해도

  리포트 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.03.07

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  RF sputtering

  특징① 결정구조 및 격자상수 측정 ⑦ 결정의 배향성 조사 가능② 결정의 방향성 측정 ⑧ 결정내부의 변형조사 가능③ 물질의 정성분석 가능 ⑨ 혼합물과 화합물의 구별 가능④ 미소결정 크기

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.12.06

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  DRAM&NAND

  접근 속도 ◦ 누설전류에 의한 휘발성SRAM 과의 비교 SKKU ① SRAM 보다 접근 속도는 느림 ②내부 회로 구조가 간단하여 집적도 ( 기억 밀도 ) 가 높음 . ( 같은 크기의 ... + 유전막으로써 SiO2/ SiNx 를 채용한 SIS → 상부 Si 전극계면에 생기는 저유전층 형성 막고자 M(metal)IS → 하부전극의 저유전층 형성도 막고자 MIM (2) ... Dram Capacitor SKKU a) 기울어짐 b) 쓰러짐Dram Capacitor 구조의 변화 SKKU (1 ) 기존의 170nm 까지의 capacitor 상 하부 전극 poly-Si

  리포트 | 29페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.11.09

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  RRAM 페로브스카이트 동작원리 Resistance Random Access Memory

  (1T1R)구조의 단위cell을 이루고 있는데, 소자의 크기가 작아짐에 따라,capacitor공정의 난이도가 점점 더 올라가게 되어, 높은 수율을 가지는 DRAM cell의 제작이 ... resitance RAM), PoRAM(polymerRAM), MRAM (magneticRAM),분자전자 소자 등이 있다.특히 RRAM 은 그 구, 일반적으로 금속산화물을 이용한 MIM ... 저항 상태를 바꾸는 방법이다.RRAM 특성의 물질 중에 Cr도핑 SZO는 20× 106 정도의 ON/OFF ratio, 103이상의 switching 횟수, 1.1V의 입력 펄스 크기,

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.03.31

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  박막 증착 기술 (Thin Film Deposition Technology)

  Conventional TR0.15/0.13um ('01-'04) 0.1um ('03 – '05) 300mm wafer Integrated Process Single Wafer Process MIM ... Emitting Diodes (OLED) Interconnect BarriersInterconnect Seed Layer DRAM and MRAM dielectrics Embedded Capacitors

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.03.21

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  [재료 공학] 유전체 재료(MLCC 및 FILTER)

  이상적인 세라믹 분말의 물리화학적 성질을 살펴보면, 마이크론 미만의 미세한 입자 크기, 균일한 크기의 입자 분포, 균일한 형상의 모양, 뭉침 현상의 최소화, 화학적 고순도, 화학적 ... 용 수신기에 사용되는 것은 송신단과 수신단의 우수한 분리, 온도 안정성 및 넓은 주파수 범위를 갖는다.KEC 유전체 필터4. ... 이에 대한 대표적인 방법이 용액법(solution techniques)으로 사용되는 전구체의 특성을 살려서 입자 크기와 입도 분포, 입자 형상 등과 같은 분말의 물리적 특성 또한 제어할

  리포트 | 33페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.03.14

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