e^(VD/nVr)-1)로 정해지고 ID=다이오드전류, VD=다이오드 전압, IS = 포화전류, n = 방출계수, Vr = 열전압 = kT/q= T/11600이다. ... 순방향 바이어스된 실리콘 다이오드가 바이어스될 충분한 전류를 가지고 있다고 가정하고, 0.7V의 전압강하를 가정하였다. ... 역방향 전류는 역방향 바이어스전압이 역방향 항복(breakdown)전압이라고 하는 VBR의값에 접근하면 이상적인 다이오드 방정식에 의해 예상되는 값과 차이가 나게 된다.