"GAA공정" 검색결과 161-180 / 434건

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  광학적 특성과 초전도 재료

  현재 GaAs 다이오드 레이저의 가장 흔한 사용은 콤팩트 디스크 이다 . p 와 n 층은 넓은 띠 갭을 가지고 있고 , 낮은 굴절지수를 가지고 있으며 , 활성 p- GaAs 층 사이에 ... 근거리통신망 LAN 광케이블 데이터 전송케이블 옥내용 광케이블 장거리 무중계 전송 데이터 광케이블 특징 낮은 광손실 내 환경특성 값 싸고 제작용이 2 중 코팅형 그 림광섬유제조 개량화학증차공정 ... 강의 절단 , 용접에 사용반도체 레이저 : 레이저 작동을 하기에 충분한 에너지띠 갭을 가지는 GaAs 와 같은 반도체 복합물로 만들어진 pn 접합이다 .

  리포트 | 56페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.15

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  MOSFET/Capacitor/반도체 신소재실험보고서

  쉽게 말해 주로 쓰이는 산화물 반도체나 GaAs 등을 증착시킬 때, PVD 방법은 그 화합물들을 우선 소결하거나 녹여서 고체상태의 target으로 제조해서 열이나 전자빔으로 휘발시켜서 ... Photoresist에 피복되어 있지 않은 산화막을 제거하는 공정이 다. ... 실험 목적- 기본적인 반도체 공정 방법을 습득하고 이를 바탕으로, 실리콘 기반의 간단한 capacitor 구조를 제작하여 동작원리를 이해하고 capacitance-voltage 특성을

  리포트 | 23페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.12.03 | 수정일 2013.12.05

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  LED 표준화 사례 조사

  LED(Light Emiting Diode) 는 화합물 반도체 ( 예 : GaP , GaAs ) 의 pn 접합 다이오드에 순방향 전류가 흐를 때 빛을 발하는 현상을 이용한 소자를 말한다 ... 셋째 , 정부 및 관련 기관 협회는 우리나라 LED 발전을 위해 공정한 경쟁의 규칙을 만들고 운영해야 한다 .Thank you {nameOfApplication=Show} ... 최근에는 13 족과 15 족의 화합물반도체라 하여 갈륨질소 ( GaN ), 갈륨비소 ( GaAs ), 인듐인 ( InP ) 등이 있는데 순방향으로 전압을 가하면 n 형 반도체의 전자가

  리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.05.01

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  반도체기술동향, 반도체, 최신기술동향, 물리전자, 반도체공학

  실리콘 공정은 종종 GaAs 공정보다 더 많은 층(layer)을 요구한다.GaAs 칩 메이커들은 오랜 동안 GaAs만을 고집해왔으나 이제는 실리콘 외에도 SiGe나 InP와 같은 다른 ... 뿐만 아니라 GaAs는 공정상에 어려움을 가지고 있어 재료 및 생산 비 용이 더 높다. ... 긍정적인 면에서는 GaAs 디바이스는 마스크 공정 수 면에서 생산 비용의 이점을 가지기도 한다.

  리포트 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.01.05

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  발광다이오드, LED

  물리학에서는 에너지보존의 법칙에 따라 위치에너지만큼의 동일한 에너지가 나오는데 이것이 빛일 수도 있고 열일 수도 있다.LED를 만드는데 쓰이는 대표적인 화합물로는 갈륨 아세나이드(GaAs ... GaAs1-XPX의 조성비 x를 적색 LED보다 크게 취함으로써 단파장화한다. x값이 0.65 및 0.75에서는 각각의 발광 피크파장이 630㎚ 및 610㎚의 등황색 LED로 된다.⑤ ... 발광효율에 한계가 있고 저 전류에서의 사용에 적합하기 때문에 표시소자는 포터블 타입을 비롯해 옥내용 각종 기기에 많이 이용되고 있다.③ GaAsP계 적색 LEDGaAsP 결정은 GaAs1

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.12.18

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  HEMT의 정의와 기술 동향 모든것[High Electron Mobility Transistor, 통신용 초고속 반도체 소자]

  위한 에어 브리지 공정, 노출된 소자 채널을 보호하기 위한 Si3N4 적층 공정 등의 순으로 적용된다.< MMIC 증폭기 >InGaAs/InAlAs/GaAs Metamorphic ... 소자의 전기적 격리를 위한 MESA 식각 공정, AuGe/Ni/Au 계의 금속층을 이용한 오믹 공정, E-beam 시스템을 이용한 0.1μm gate 공정, 격리된 소스 전극을 상호연결하기 ... HEMT는 undoped GaAs층에 계발될 수 있는 2차원적 전자gas의 초고 특성을 보인다.

  리포트 | 17페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.02.17

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  epitaxy

  VPE법은 전자 소자나 광전자 소자의 제조에 있어 반도체 박막 결정을 형성시키는 매우 중요한 공정기술이다.특히 GaAs를 포함하는 일부 화합물 반도체는 다른 방법보다는 VPE법을 사용하여 ... CVD 공정과 마찬가지로 VPE 공정에서도 반응기 내부의 유체유동이 성장되는 결정의 특성에 지대한 영향을 미칠 수 있으므로 이러한 유체유동은 적절히 조절되어야 한다. ... 또한 OMVPE법은 혼합 기체를 공정 중에 매우 손쉽게 바꿀 수 있어(기체 교환장치를 사용하여) 다중 박막층을 성장시키는데도 유용한 기술이다.OMVPE 공정은 주로 저온 벽 반응기에서

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.10.09

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  화합물 반도체(Compound Semiconductor)

  Ⅴ화합물 반도체⇒GaAs, InP, InAs, GaSb등Ⅱ? ... VPE법은 전자 소자나 광전자 소자의 제조에 있어 반도체 박막 결정을 형성시키는 매우 중요한 공정기술이다.특히 GaAs를 포함하는 일부 화합물 반도체는 다른 방법보다는 VPE법을 사용하여 ... 화합물 반도체의 특징.① Silicon은 수광 기능만 갖고 있으나, GaAs는 가시광선 영역에서 발광 및 수과 기능을 갖는다.② GaAs는 0.87㎛ 파장의 빛을 낼 수 있다.③ 전자는

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.29

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  나노 태양전지의 종류와 발전방향

  태양전지의 반도체공정(고온공정이나 진공공정 등)으로 인한 가격 인하에 한계한계의 극복은 유기물 이용!!! 1. 폴리머박 제조방법 응용, 쉽게 제조 2. ... 계열, 적층형 등(2) 위성용 태양전지 - IV족 : 단결정 실리콘, Ge(저온용) - GaAs 계열 : GaAs, InP 등 - 적층형 : GaAs/Ge, GaInP/GaAs, ... 상온에서 폴리머와 nano-molecule spin cast 등의 방법 통한 활성층 형성 ☞ 고가의 공정 불필요! 제조 공정이 대형화에 유리!

  리포트 | 26페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.08.01

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  LED 제조 공정

  ■ 화합물 반도체란두 종류 이상의 원소화합물로 이루어진 반도체 질화갈륨(GaN), 갈륨비소(GaAs), 인듐인(InP), 갈륨인(GaP) : 3-5족 화합물반도체가 주로 이용. ... 성장방법LPE : Liquid Phase Epitaxy(액상증착법) 결정재료가 녹아 있는 포화용액을 기판과 접촉시켜 결정을 성장 → 1963년 Nelson에 의해 최초로 구현 Si, GaAs ... 에틸 등 알킬기를 갖는 유기금속 화합물을 원료로 사용 → 3-5족 화합물 반도체로는 1960년에 InP성장이 최초 반응가스 종류를 달리해서 물질의 조성을 쉽게 바꿀 수 있으므로 GaAs나

  리포트 | 46페이지 | 5,000원 | 등록일 2009.06.08

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  LTCC 새로운 조성에 대한 동향 조사 레포트 입니다.

  세라믹 기판 상에 반도체 Bare Die를 바로 실장하는 WLP(Wafer Level Package)용 패키지 기판으로 사용되어 왔다.최근에는 자동차용 전장 부품의 WLP와 SMD 공정을 ... 선단의 부품 (듀플렉서, ASM, FEM 등)이나 Bluetooth 모듈 등의 MCM 용 (Multy Chip Module)다층 세라믹 기판으로 사용되어 왔다.또한 Si, SiGe, GaAs

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.01.03

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  태양광 발전 및 사례

  기기의 발판하중이 크기 때문에 설치장소의 구조 강도 마무리공정 등을 확인 검토한다 .CompositionCOMPOSITION 태양전지의 종류 태양전지는 전기적인 성질이 다른 N 형 ... 초고층건물에 적용USE _BIPV 대규모 태양광 발전시설CASE STUDY _BIPV 호텔 옥상개수에 적용USE _ 플렉시블 태양전지 구조와 장점 구조 태양 전지층은 PN 접합을 가지는 GaAs

  리포트 | 27페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.06.02

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  태양전지

  CIS층은 진공증착 또는 금속막을 증착한 후 selenization공정을 거치는 2단계 방법 등으 로 만들어진다. ... 반면에 가격은 아직 높은데, 그 해결방안으로 보다 저급의 실리콘을 이용하는 방법, 대량생산 및 공정 개선에 의한 방법 등이 시도 또는 계획되고 있다. ... 이들 는 대규모 전력용으로 사용하기 위한 실증시험 중에 있다④ 화합물 태양전지GaAs, InP 등의 단결정으로부터 만든 화합물 태양전지는 결정질 실리콘 태양전지 보다 더 높은 효율을

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.12.18

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  LED의 개념 및 특징

  .* 반도체의 분류반도체단원소반도체(Si, Ge)전자소자DRAM,SRAM,ASIC,Microprocessor,Flash,DSP수광소자PD, Solar Cell화합물반도체(GaAs,InP ... 구분된다.1) 반도체 광원공정: 기판 단결정 제조공정, 에피웨이퍼 제작공정, 칩 제조공정, 패키지공정, 모듈조립공정 이다.2) 패키지/모듈공정: 웨이퍼에서 생산된 LED 칩을 이용하여 ... LED 백라이트 부문의 3단계 제조공정은 반도체광원 공정, 패키지/모듈공정, 시스템 및 응용공정이며좀 더 넓게 나누면 LED 제조부문과 백라이트 부문(BLU) 제조공정의 2단계공정으로

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.08.06

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  실생활에 쓰이는 신재생에너지

  집열판에서 물을 40~100 도 ( oC ) 가까이 되게 가열해 건물의 온수 , 난방 , 흡수식 냉방 , 산업공정열 등에 활용하고 있다 .2. ... 태양전지는 구성 소재 및 기술에 따라 단결정실리콘 , 다결정실리콘 , 비결정형 박막실리콘 , 다층의 무기박막 (CIS, CIGS, CdTe 등 ), 반도체화합물 ( GaAs 계 ),

  리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.12.02

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  LED 개요

  LED 제조 공정별 생산업체LED 제조공정명공정 내용생산업체기판 (Substrate)현재 상용화된 LED기판은 사파이어, SiC(탄화규소), GaAs(갈륨비소)등이 있음. ... 반도체 소자이다.LED 원리양과 음의 전기적 성질을 가진 두 화합물이 접합하여(PN접합) 전기가 흐르면 빛이 발생되는 원리를 이용한 것으로 LED의 소재가 되는 물질인 비소화갈륨(GaAs ... LED 정의 및 구동원리 LED 역사 LED 종류 LED 적용분야 LED 제조 Flow LED 제조 공정별 생산업체 LED 장,단점 LED vs 타 광원 LED 특성 백색 LED 구현방법

  리포트 | 24페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.08.17

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  발광다이오드 LED 원리 역사 기술동향

  본론1)개발과 전개2)LED의 시대별 도입 배경3)LED 의 개요 및 구조4)LED 발광원리 및 발광 물질5)LED 제조공정6)LED의 종류와 특징7)각광 받고있는 LED의 종류 및 ... GaAlAs, GaAs와 GaP의 혼합 결정인 GaAsP가 주로 사용되어 왔다. ... , 인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 GaAs1-x Px, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP, 인듐-갈륨-인 ln1-xGaxP 등 3 B 및 5 B족인 2원소

  리포트 | 32페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.08.26

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  나노튜브

  CIS층은 진공증착 또는 금속막을 증착한 후 selenization공정을 거치는 2단계 방법 등으 로 만들어진다. ... 현재 단일 접합으로 28.7% (200 sun concentrator) 이 기록이며 GaAs/GaSb 중첩전지로는 34.2% (100 sun concentrator) 가 기록이다. ... GaAs는 최적의 밴 드갭(1.45eV) 및 높은 광 흡수계수와 가장 높은 이론 효율치(39%) 등의 장점과 In, Al등과 쉽게 합금을 형성하여(InGaAs, AlGaAs) 밴드갭을

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.05

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  LED 개요 및 제조 공정

  LED 제조 공정 및 기술Introduction LED 개요 및 이론 LED Epi 성장 기술 LED 소자공정 기술 LED PKG 기술Introduction반도체 산업 영역 분야III ... 기술LED Chip 제작 공정GrindingLappingPolishingScribingBreakingFab-out waferLED Chip 후공정LED Chip Technology ... IV V화합물 반도체 산업 분야LED 제조 Process기판 (웨이퍼) Sapphire, GaN, SiC, Si, GaAs에피웨이퍼 (In,Al)GaN (청, 녹, UV), InAlGaP

  리포트 | 29페이지 | 5,000원 | 등록일 2008.07.24 | 수정일 2016.11.16

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  LED 산업육성을 위한 구체적인 방안

  LED의 제고공정6. LED의 장점 및 단점Ⅲ. LED의 국내산업현황 및 응용분야Ⅳ. LED 산업육성을 위한 추진과제Ⅴ. LED 산업육성을 위한 구체적인 방안Ⅵ. ... 310-20----GaP:ZnOGaP:NGaPGaPGaPGaPLPELPELPE빨강초록순녹7005655552-40.3-0.40.1-0.20.4-0.81.95-2.600.68-1.36GaAs0.6P0.4GaAs0.35P0.65 ... 그러나 고휘도 LED를 구현하기 위해서는 직접천이 형 반도체의 사용이 필수적으로 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체가 이에 해당한다.적색 LED의 경우에는 GaAs와 AlAs의 혼합

  리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.08.05

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