"GAA공정" 검색결과 101-120 / 434건

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  전기전자실험 - 전압제어발진기 (Voltage–Controlled Oscillator)

  여기서 VCO는 PLL의 핵심 요소로서 동작하게 된다.발진기는 직류 전력을 교류 전력으로 변환하는 에너지 변환 회로로, 오늘날 대부분의 초고주파용 발진기들은 GaAs FET나 BJT ... 종류가 있는데, DR의 경우 가격이 저렴하고 높은 Q 값을 갖지만, 집적화가 용이하지 않고, YIG의 경우 옥타브 이상의 넓은 조정 범위를 가지지만, 실온에서 제어가 어렵고, 제조 공정

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.11.20 | 수정일 2018.11.26

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  LPE, VPE, MBE 장비

  (실리콘 기상 에피택시 반응기) (할로겐 화합물 공정 GaAs Epi 성장 개략도)분자 빔 에피택시(MBE:Molecular Beam Epitaxy)MBE는 원자 분해능의 두께를 갖는 ... 이런 공정은 충돌 없이 증발 공정실을 통해서 단결정 웨이퍼 표면에 증착된다는 점이 유사하다. ... 예를 들어 GaAs 용융점은 1238℃이나 금속 Ga와 GaAs의 혼합물은 상당히 낮은 용융점을 갖는다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.04.12

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  아주대 분야별실험 기계설계실험 LDV, Gap sensor를 이용한 변위측정

  출하검사 및 출하LED칩의 계열별 제작공정은 ①InGaAIP/GaAs 계열의 공정과 ②InGa(AI)N/GaN 계열의 공정으로 분류한다.① InGaAIP/GaAs 계열은 N+-GaAs ... 칩 공정은 전 공정과 후 공정으로 나뉘어 있다. 전 공정은 P,N전극형성 공정, 식각공정, 보호막 형성 공정이 있다. ... 기판을 사용 하고 그 위에 N형 반도체와 MQW 구조의 활성층 및 P형 반도체와 콘텍층의 에피층으로 구성되어 있다.② P+GaAs 기판SET/SILICON GRAVURO TRANSFER

  리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.03.31 | 수정일 2014.04.07

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  [화공실험]태양전지 실험 보고서

  이렇게 할 경우 태양광 전체의 스펙트럼을 여러 부분으로 나누어 효율적으로 흡수할 수 있게 되어 높은 효율을 나타낼 수 있다.그림 7 GaAs태양전지? ... 상대전극의 촉매를 통과하여 전지 내부에 있는 전해질에 전달되고, 전해질은 산화 환원 반응을 통하여 다시 염료 분자에 전자를 전달하는 회로가 구성된다.DSSC는 반도체 태양전지에 비하여 공정이

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.03.23

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  신재생에너지(태양에너지)

  경우 흡수체 공정을 제외하고는 동일한 절차를 통해 제작된다 . ... 이론적으로 이상적인 값을 갖고 있으며 전기적 및 광학적 특성이 태양전지재료로서 적합한 것으로 알려져 있으나 무엇보다도 중요한 성질은 물질의 합성이 쉽다는 점이다 .태양전지 종류 (GaAs ... 지멘스 공법보다 실리콘 석출 속도가 빠른 대신 품질은 다소 떨어진다 속기판 , 폴리머 등도 사용이 가능하다일반적으로 박 막 태양전지 공정은 매우 유사하고 , 특히 화합물 반도체 태양전지의

  리포트 | 54페이지 | 3,500원 | 등록일 2018.06.07 | 수정일 2019.09.26

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  [무기합성화학] 다양한 무기합성법

  (Si, GaAs, SiC), 절연막(SiO2, Si3N4), 금속박막(W, AI), 유기박막 등의 박막을 형성하는 대표적인 방법이다.화학기상합성(CVD)법은 원하는 물질을 포함하고 ... 생성물의 조성과 입도의 조절이 가능▶ 단점 - 공정 제어가 힘들다.? 주요 4대 합성법- 고온-고상법? ... 다양한 기상법*기상법 개념도- 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition)반응기에 주입된 기체들이 가열된 기판 위에서 화학반응을 통해 박막을 형성하는공정으 로 반도체

  리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.06.22

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  인하대 공업화학실험 PEMFC/DSSC 예비 보고서

  등 연료 공급에 대한 수소 저장 기술이 개발되었다.태양전지의 종류와 특징무기물 태양전지(inorganic solar cell): 실리콘 계열 태양전지가 여기에 속하며 CdTe, GaAs ... 이것은 높은 광 흡수율과 단순한 제조공정, 낮은 원가, 유연성 등의 장점을 통해 실리콘 태양전지를 대체할 차세대 태양전지로서의 입지를 가지게 되었다.태양전지는 그 원천 에너지가 태양광이므로

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.09.25

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  cu를 이용한 박막 증착 실험보고서

  좀 더 풀어서 말하자면, 많이 쓰이는 산화물 반도체나 GaAs 등을 증착시킬 때 PVD 방법들은 그 화합물들을 우선 소결하거나 녹여서 고체 상태의 target으로 제조해서 열이나 전자빔으로 ... 공정이다. ... 주로 용융점이 높은 금속 (W, Nb, Si)과 유전체( SiO2)의 박막을 기판 위에 증착 할 수 있는 장비로써, 반도체 공정 및 MEMS 공정에 필요한 전극 제작에 주로 사용되는

  리포트 | 19페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.06.20

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  84화합물 반도체 공정 [2조] 성장기술 (HVPE,LPE)

  위에 성장됨 2GaCl + 1/2As4 → 2GaAs + Cl2 (GaAs 단결정 박막 형성) Cl2+ H2→ 2HCl마지막 공정3. ... 반응하여 GaAs 단결정 박막이 기판 위에 성장됨 2GaCl + 1/2As4 → 2GaAs + Cl2 (GaAs 단결정 박막 형성) Cl2+ H2→ 2HCl마지막 공정반응식2AsCl3 ... 에피택시 (Epitaxy) 공정이란?

  리포트 | 35페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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  PLED 소자제작 예비레포트

  PATh계 PLED의 경우는 GaAs나 InGaP 반도체 diodes와는 반대로 온도가 올라감에 따라(20-80℃) 발광 강도가 증가함을 보여주는데, 그 이유는 주쇄 구조의 변화에 ... sealing cover 세정, 건조제 & film 부착공정, UV sealant dispensing, 성막공정이 끝난 panel과의 합착, UV light curing의 순서로 ... 실험목적고분자 발광물질을 이용하여 PLED의 제작 방법을 알아보고 PLED의 봉지공정을 통해 제작된 소자를 수분과 산소로부터 보호한다.3.

  리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.07.15

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  LED에 관한 고찰 리포트

  패키징 공정은 제조된 칩과 리드(lead)를 연결하고 빛이 최대한 외부로 방출되도록 패키징 하는 단계이며 모듈 공정은 패키징이 완료된 LED를 이용하여 일정한 프레임에 LED를 부착시키는 ... 용액으로부터 결정을 성장시키는 것이 유리하다.(4) GaAsP 계 적색 LEDGaAsP 의 등황색 LED는 기판결정에 GaP를 이용하여VPE법에 의해 발광용 P-N 접합을 형성한다.GaAs ... 성장시킬 수 있어 비교적 간단하게 서로 다른 불순물 농도를 갖는 다중 기능층(functional layer)들을 기D가 제작되었다.(8) 적외 LED적외선 LED의 재료는 주로 GaAs로

  리포트 | 17페이지 | 2,400원 (35%↓) 1560원 | 등록일 2013.12.10

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  박막 태양 전지를 이용한 태양에너지 변환 및 활용, 박막 태양전지에 관한 ppt

  - 기술적으로 가장 성숙- 생산되는 태양전지 90%이상2세대박막 태양전지- 박막형태의 태양전지- 1세대에 비해 생산단가 낮음- 원재료가 차지하는 비중 낮음초고효율 태양전지- 주로 GaAS ... 표면을 매끄럽게 다듬는 공정(제거공정)2. ... 일체형 박막태양전지의 조건Flexible 특성저렴한 가격공정 기술의 용이성1.

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.11.25

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  60습식식각

  중 이 기체를 떨어뜨리기 위한 추가 장치 필요GaAs 식각표면연마 공정에 주 목적으로 함Ga와 As의 (111)면에서의 표면 활성도가 달라서 Ga면보다 As면이 식각속도가 빠르다2GaAs ... 공정의 기본순서Wet etch 의 장단점SiO2 식각Si3N4 식각Si 식각Al 식각GaAs 식각PSG 식각Wet Etching ? ... 세척, 선폭이 넓은 반도체 소자 제작 등과 같은 공정등 광범위하게 사용되어진다.등방향성, 이방향성 식각이란?

  리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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  VLSI 설계의 여러가지 현상들

  반도체 집적도의 한계 문제를 근본적으로 해결하기 위해서는 이제부터는 선폭 축소가 아니라 새로운 재료를 찾는 등의 방법을 연구해 나가야 한다.5.CMOS 제조공정 기술1)CMO ... 그러나 이것은 고비용을 요구하는 공정이므로 생산가격의 상승을 초래한다.③Retrograde Well을 이용하는 것으로 Gummel수를 높여 베이스의 전계를 줄임으로써 수직 바이폴라트랜지스터의

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.06.20

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  태양광 발전의 개요 및 전기적 특성

  실리콘, Ge(저온용)GaAs 계열GaAs/GaAs, GaAs/Ge, InP 등적층형(Tendem)GaAs/Ge, GalnP/GaAs, GaAs/GaAs,GalnAs/InP, GalnAs ... /화합물 계열GaAs/InP,GaAlAs/GaAs,GaAs/CulnSe2 등2. ... 이러한박막 제조공정을 이용할 경우 제조가격을 보다 저렴한 방법으로 태양전지의 대량생산이 가능하다.박막 태양전지 중에 초기에 개발된 것이 비정질 실리콘으로 기존 결정질실리콘 태양전지의

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.06

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  26MOCVD_발표

  표면에 가스를 골고루 증착 시켜주는 장점이 있다.장점웨이퍼 대량생산이 가능. - 낮은 온도에서의 증착이 가능. - 기판이나 결정 표면에 손상을 가하지 않음. - 증착 속도가 빨라 공정 ... GaAs 성장Surface chemistry-**Hydride source** - NH3(암모니아)같은 기체를 의미.Ga(CH3)3 +AsH3 --- GaAs + 3CH4MOCVD법을 ... MOCVD의 Growth System - GaAs 성장법 - GaN 성장법 MOCVD의 장점과 단점 MOCVD의 응용분야MOCVD 란?

  리포트 | 19페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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  CVD method를 통한 ZnO NWs synthesis 예비보고서[1].

  C2H4 ⇒ AC + HX2SiH4 + C2H4 → 2SiC + 6H2⑥ 합성 반응 (Synthesis Reaction).AX + H2O ⇒ AO + HX(CH)3Ga + AsH3 → GaAs ... 공정조건의 제어범위가 매우 넓어서 다양한 특성의 박막을 쉽게 얻을 수 있음.★CVD 단점:? 기판과 증착 재료간의 열팽창 계수차이 고려.? ... 이들 반응 장치의 대부분은 RF 전력을 이용한 냉벽(cold wall) 공정이며, 반응실 내부의 열판을 가열시켜 가스를 열적으로 활성화시킨다.

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2015.07.26 | 수정일 2022.09.02

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  LED의 발전과정, 최신동향, 기초이론, 제조 및 측정분석 방법 ppt

  P-N 1960 년 발광 관측 시작 계기로 , GaAs , GaP , GaAsP , ZnSe 결정성장기술 주입발광현상 에 대한 많은 연구발표 이루어짐Ⅱ LED 발전 과정 1900 ... 1952 년 발광 관측Ⅱ LED 발전 과정 1900 2010 G.A WOLFF GaP 에서 1955 년 발광 관측Ⅱ LED 발전 과정 1900 2010 Jacques Pankove GaAs ... 공정 Epi 공정 FAB 공정 Module PackagingⅣ LED 기초 이론 Wafer 공정 Epi 공정 FAB 공정 Module Packaging 발광 원리Ⅳ LED 기초 이론

  리포트 | 75페이지 | 8,000원 | 등록일 2013.04.22 | 수정일 2022.11.21

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  화합물반도체의 금속공정(Metallization Process)

  탈지작용과 금속이온 제거효과를 겸비하고 있어 전공정 처리가 한번에 끝남 7. ... Ohmic contact for p-GaAs – Ti/Pt/AuTernary Phase Diagram for Pt-Ga-As at 600℃Hypothesis 1 Pt diffused ... Sub to Source 간의 거리 및 증착 하고자 하는 Material (Mass)의 특성 및 Film Stress 에 의해 일반적인 공정에서는 이러한 수치까지의 사용은 불가능

  리포트 | 19페이지 | 2,500원 | 등록일 2012.11.14

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  LED 발전 과정, 최신 동향, 기초 이론, 제조 공정, 측정 분석

  P-N 1960 년 발광 관측 시작 계기로 , GaAs , GaP , GaAsP , ZnSe 결정성장기술 주입발광현상 에 대한 많은 연구발표 이루어짐Ⅱ LED 발전 과정 1900 ... 1952 년 발광 관측Ⅱ LED 발전 과정 1900 2010 G.A WOLFF GaP 에서 1955 년 발광 관측Ⅱ LED 발전 과정 1900 2010 Jacques Pankove GaAs ... 공정 Epi 공정 FAB 공정 Module PackagingⅣ LED 기초 이론 Wafer 공정 Epi 공정 FAB 공정 Module Packaging 발광 원리Ⅳ LED 기초 이론

  리포트 | 82페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.12.24

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