"atomic layer deposition." 검색결과 141-149 / 149건

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  [정보저장공학, 반도체재료]광메모리(optical memory)와 상변화메모리(phase change memory) 기반기술

  그림에서 보듯이 통상 하부 유전체층(dielectric layer) 위에 상변화형 물질인 기록막이 입혀지고 다시 그위에 상부 유전체층을 입히고 그 위에 반사막을 입힌다.막의 증착(deposition ... )방법으로는 기화 증착(evaporation deposition), 화학기상증착(CVD:chemical vapor deposition), 플라즈마 증착(plasma deposition ... (a) 비정질과 과냉된 액상에서 원자 운동력(atomic mobility)이 커야한다. (b) 비정질 상태에서 결정질 상태로 바뀔 때 원자확산 거리가 짧아야 한다.

  리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2004.12.06

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  CVD

  최외각 깊이분석(depth profiling)에 의하여 각 원소의 원자비율(atomic concentration)을 측정한다.5. ... 박막은 물리기상증착(Physical Vapor Deposition)과 화학기상증착(Chamical Vapor Deposition)등의 다양한 방법으로 성장되며, 일단 형성된 박막은 ... CVD 공정은 여러가지 방법으로 분름이 가열되고, 점성에 의해 속도가 떨어지며, 조성의 변화가 생기기 때문에 열, 운동량, 화학조성의 boundary layer가 형성된다.

  리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2003.06.15

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  [전기전자] 반도체제작법

  특히 GaAs, InPbulk crystal 의 실험 data를 실례로 소개하며 또한 MOVOE 의 변행된 형태인 Atomic Layer Epitaxy (ALE) 의 소개도 덧붙인다 ... 한편 active layer를 GaAs대신 bandgap energy가 작은 InGaAs가 사용하고자 하는 연구가 최근 활발히 진행되고 있다. ... Ⅲ족 혹은 Ⅴ족의 금속 원소를 이용한다는 것을 강조하기 위하여 metalorganic이라는 이름을 썼으며 또한 물리적인 성장법과는 구별하기 위한 목적으로 chemical vapor deposition

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.07.13

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  [latch up]Well formation in cmos

  Gate Poly Deposition -. N+ Poly Implant (HC Phos) -. N+ Poly Anneal (900℃, 20min) -. ... STI Liner Oxide – Glue Layer로서 SiO2와 Si의 접착 용이,STI Coner에서 발생되는 Leakage 방지-. STI FILL – 소자간의 절연-. ... Hot Carrier Effects*.Impact Ionization 고체격자 내에서 Electric field에 의해서 가속된 electron과 atom이 충돌하여 electron-hole

  리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.12.11

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  [물리] PZT

  증착표면 근처에서는 기체흐름이 가열되고, 점성에 의해 속도가 떨어지며, 조성의{변화가 생기기 때문에 열, 운동량, 화학조성의 boundary layer가 형성된다. ... 본 연구에서는 원자력현미경(Atomic Force Microscpoy)을 이용하여 두께 1000Å이하의 얇은 PZT 박막의 domian 구조를 관측하고 거시적인 grain 구조와 미시적인 ... current at 5V (A/cm2)10-710-910-7Process temperature(℃)500∼600750∼850650∼700About CVD (Chemical Vapor Deposition

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.06.22

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  반도체에 사용되는 용어정리

  DEPOSITION6. PACKAGE7. ... 구별한다.)정량성 (AES의 감도는 원소의 종류나 시료표면의 Matrix에 대해 거의 변화가 없다.)고감도 (AES에 의한 표면 불순뭉 원소의 검출감도는, 역시 1원자층(~10 atom ... 미세 Pattern을 얻기 위해서는 막이 얇고 균일하고, Pin Hole이 없고 밀착성이 좋으며 내선성이 좋고 자외선 등에 대해 감도가 좋아야 한다.Reticle하나의 Device layer의

  리포트 | 18페이지 | 무료 | 등록일 2000.11.29

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  [박막 공정] 박막공정(스퍼터링, CVD)

  이때 W > 0▶ Stranski - Krastonov Mode : layer plus island growth mode1 첫째열 또는 몇 개의 later가 완전 smooth 성장하고 ... atomG+ : singly charged gas ion2 전하 교환 반응G1+ + G20 → G2+ + G10▶ Target 표면의 반응1 방출되는 species : neutral atoms ... Excellent film uniformity, particularly over large areas2 Surface smoothness and thickness control3 Deposition

  시험자료 | 5페이지 | 6,900원 | 등록일 2004.06.15 | 수정일 2014.06.30

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  [천문학] 화성의 비밀 - 탐사선 오디세이

  여름이 되면 극관은 점점 줄어 든다.Mars Odyssey의 영상Ganges Chasma Landslide (1 April 2002)Layered Deposits on the floor ... 2003년 6월 1일 - 도착예정일 : 2003년12월 26일 - 질량 : 1,042 kilograms (2,297 pounds) - 보유 장비 : Energetic Neutral Atoms

  리포트 | 29페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.05.26

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  흡착원자의 거동에 대한 연구동향과 미래

  이에 대해 PVD, CVD방법의 장점을 최대한 이용한 원자 층 증착기술(ALD : Atomic Layer Deposition)이 개발되었다.(2)◎본론1. ... Layer Deposition)이라는 원자 층 증착기술을 탄생시켰다. ... He이나 Ar 이온 스퍼터닝(sputtering)을 이용하여 미래의 연구기술에 큰 도움이 되고 있다.또한 이 연구를 좀 더 깊게 응용하여 기존의 PVD & CVD와는 다른 ALD(Atomic

  논문 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.11.16

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