"epitaxial 웨이퍼" 검색결과 121-140 / 180건

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  pvd,cvd

  생산장치에는 여러 장의 wafer에 균일하게 증착할 필요가 있고 이 경유는 자공전이 가능한 wafer지지 장치를 써서 회전하면서 증착한다. ... Sputtering), 전자빔증착법 (E-beam evaporation), 열증착법 (Thermal evaporation), 레이저분자빔증착법 (L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy ... 행해지고 있다.CVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.09

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  SOI와 TFT 기판제작방법

  Cut(UNIBOND)기술, 그리고 다공질 실리콘 위의 에피택시 및 웨이퍼 접합 후 절단 공정을 특징으로 하는 ELTRAN (Epitaxial Layer TRANsfer) 기술 등이 ... 발전 과정을 살펴보면, SIMOX 가 기술을 주도하여 왔으나, 최근 1990 년대에 들어서면서 웨이퍼 접합(wafer bonding)기술이 발달되면서 접합 후 가공을 특징으로 하는 ... der Waals 힘에의해 이상에서 열처리 과정을 거치는데, 이러한 공정은실리콘 웨이퍼 직접 접합(Silicon wafer Direct Bonding: SDB)으로 알려져 있다.접합

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.09 | 수정일 2018.11.24

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  진공(vacuum) 진공펌프(vacuum pump) 진공게이지(vacuum gauge) 조사

  저항열이나전자beam, laser beam 또는 plasma를 이용하여 고체상태의 물질을 기체상태로 만들어 기판에 직접 증착시키는 박막제조 방식이다.PVD 방식으로 름을 gas 형태로 웨이퍼 ... MAGNETRON, OF MAGNETRONBIAS, REACTIVEION PLATING화학적 박막 형성(by CVD>분무법(SPRAY)화학증착법(CVD)APCVD, LPCVD, PECVD, EPITAXY

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.03.26

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  [박막공학]박막공정

  증착법(Physical Vapor Deposition, PVD) 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD) 분자 빔 결정법(Molecular Beam Epitaxy ... Epitaxy-결정 구조의 성장기판 위에 추가된 물질 성분의 새로운 층이 생성됨.정의 고 진공 상태의 적정온도에서 결정 작용으로 생긴 표면과 반도체 성층을 구성하는 요소의 분자 빔 ... 사이의 작용에 의해 반도체 성층을 성장 시키는 방법.기본적인 epitaxy 과정의 개념도.분자 빔 형태로 기판에 반도체성 물질을 가함.분자 빔 결정법고체 또는 가스 형태의 소스를 직접

  리포트 | 43페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.12.29

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  금속의 표면저항

  (실리콘 웨이퍼의 [110]면이 잘 깨지는 성질을 이용하여 최초 가로 등분을 시작으로 가로 세로를 반복적으로 자른다.)? 절단한 시편들은 산화물이 잘 침전되므로 세정한다. ... 실험해야 하는 것이다.CVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy ... Sputtering), 전자빔증착법 (E-beam evaporation), 열증착법 (Thermal evaporation), 레이저분자빔증착법 (L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.10.16

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  노광공정 및 식각공정

  한 번에 여러 장의 웨이퍼를 처리하는 장점이 있다.습식식각의 종류 및 특징매엽식(Single wafer type) 한 장의 웨이퍼를 회전시키면서 에칭 매번 새 용액을 웨이퍼 표면에 ... 적층 성장(Epitaxy) 화학 기상 증착법을 이용해 순도가 매우 높은 실리콘 결정층을 웨이퍼 위에 성장시키는 것 웨이퍼 두께의 약 3% 그림에서 짙은 색깔 부분이 적층 성장된 층임 ... 기판인 웨이퍼 위에 원하는 패턴을 구현하는 기술 2.

  리포트 | 29페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.05.09

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  Solid state lighting using semiconductor light emitting diodes (LEDs)

  LED 조명의 5단계 제조공정첫번째로 에피(Epitaxy) 공정은 단결정 웨이퍼 기판 위에 하부 결정 구조와 동일한 단결정 박막을 성장시키는 공정이다.

  리포트 | 26페이지 | 5,000원 | 등록일 2011.07.07

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  박막 증착 기술 (Thin Film Deposition Technology)

  Layer Deposition TechnologyALD (Atomic layer Deposition) previously known by the name ALE (Atomic Layer Epitaxy ... of Thin Film Technology Application of Thin Film TechnologyTrend of Micro Device0.18 – 0.25um 200mm wafer ... Integrated Process Single Wafer Process MIM with High k Low temperature Process High K Gate / SiGe Raised

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.03.21

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  증착법, 스퍼터링, 박막 공정 (THIN FILM PROCESS)의 기초

  증착법(Physical Vapor Deposition, PVD) 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD) 분자 빔 결정법(Molecular Beam Epitaxy ... 웨이퍼 또는 웨이퍼와 웨이퍼 간의 균일한 두께를 가져야 함. 좋은 step coverage를 가져야 함. 증착된 부분에 빈 공간(void)이 없어야 함. ... 금속의 증기를 사용하는 증발(evaporation) 증착법 물질에 물리적인 충격을 주는 방법인 Sputtering 증착법진공시스템진공가열기증발체웨이퍼웨이퍼 홀더배출물리 기상음.

  리포트 | 41페이지 | 5,000원 | 등록일 2007.10.17 | 수정일 2014.08.27

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  SiO2 박막의 식각 및 PR 제거_예비

  Crystal Growth: Epitaxial Silicon Wafer Growth? ... Wafer 제조 공정: Slicing → Wafer Polishing → Circuit Design → Mask Design? ... 이때 박막이 형성된 기판(웨이퍼) 위에 불필요한 부분을 제거해 회로 패턴이 드러나도록 하는 과정이 바로 식각(etching)공정이다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.11.07

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  [박막공학]여러가지 박막 제조 공정

  (standup wafers)플라즈마 원리를 이용 화학 기상 증착 낮은 증착온도를 가짐 박막의 질이 낮음. ... 스퍼터 증착 이온빔 증착 * 이온 플레이팅 고주파 이온 플레이팅 활성화 증착 아크 이온 플레이팅 * 이온화 크러스터빔 증착 * 이온빔 증착분자선 에피탁시 (Molecular Beam Epitaxy ... 필요 박막생산 과정에서의 여러 가지 측정이나 정보를 얻기 위한 장치들로 인하여 매우 복잡기판 위에 추가된 물질 성분의 새로운 층이 생성됨분자 빔 형태로 기판에 반도체성 물질을 가함Epitaxy-결정

  리포트 | 30페이지 | 3,000원 | 등록일 2005.11.16

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  LED개요,역사,최신 국내외 시장동향, 경쟁구도, 국내외 업체 소개,LED전문자료

  생산 위한 전문 벤처업체 Epitaxy 기술 바탕으로 차세대 조명, 디스플레이로 각광 받는 고휘도/고신뢰성 백색 LED용 에피 웨이퍼와 광통신,이동통신 등에 사용되는 VCSEL, ... 제조, 칩가공, 패키징 등 3단계 공정 -웨이퍼 제조는 LED 종류에 따라 갈륨비소, 사파이어 등 소재 사용, 웨이퍼 증식 공정 -칩 가공은 도금,세척,절단, 검사 등 수행 -패키징은 ... , 디스플레이나 휴대폰 등에 사용되는 청색 및 황록색 LED용 에피웨이퍼를 주력 생산Epiwafer,chip옵토웨이퍼테크휴대폰 슬라이드 Hinge와 LED 제조 최근 S/V LED

  리포트 | 23페이지 | 10,000원 | 등록일 2007.09.11 | 수정일 2015.10.13

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  그래핀(Graphene)

  이 방법을 이용하면 결정성이 웨이퍼 크기정도까지 균일한 그래핀 필름을 합성할 수 있지만 기계적 박리법이나 CVD 방법에 의해 성장한 그래핀보다 상대적으로 전기특성이 좋지 못할 뿐 아니라 ... 촉매의 종류와 두께, 반응시간, 냉각속도, 반응가스의 농도 등을 조절함으로써 그래핀 층수를 조절하는 것이 가능하다.4) 에피택시 합성법 [Epitaxy]이 방법은 고온에서 결정에 흡착되어

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.09.18

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  [공학기술]Thermal Evaporation법을 사용하여 발광박막의 제조

  자유행정을 길게 하고 금속의 산화를 방지하며 또 불순물의 혼입을 피할 수 있기 때문이다.화학적 박막 형성분무법(SPRAY)화학증착법(CVD)APCVD, LPCVD, PECVD, EPITAXY ... 웨이퍼 표면 및 웨이퍼 사이에서 증착막의 두께가 불균일해지지 않도록 웨이퍼를 회전시키는 기구가 설치된다.최근의 진공 장치는 진공용기 내의 진공을 일정하게 유지하면서 웨이퍼를 용기에서 ... 웨이퍼는 수매에서 수10매까지 적재된다.

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.06.02

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  단결정 성장 방법에 관한 조사 입니다.

  박막 형태의 단결정 성장 방법1. laser-MBE(laser molecular beam epitaxy)- MBE(Molecular Beam Epitaxy)는 양질의 반도체 박막을 ... 그러나 주로 (111)방향으로 결정 성장이 용이하여 (100) wafer를 얻기 위해서는 경사절단을 해야 하는 단점이 있다.

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.11.09

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  [실험보고서] 표면저항측정

  증착법(Physical Vapor Deposition, PVD)화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD)분자 빔 결정법(Molecular Beam Epitaxy ... , MBE)증착의 요구 조건원하는 구조, 적은 이물질, 전기적·기계적 성질의 우수성을 가져야 한다.웨이퍼 또는 웨이퍼와 웨이퍼 간의 균일한 두께를 가져야 한다.좋은 step coverage를 ... 1.서론실험 목적우리는 실리콘 웨이퍼의 표면 저항을 측정하는 방법 중의 하나인 Van der pauw을 이용하여 실리콘 웨이퍼의 온도에 따른 표면 저항 값을 구하고, 증착법(evaporation

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.06.27

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  결정성장

  위에 5∼20μm 두께의 규소를 기체상에서 적층 성장시킨 에피택시얼 웨이퍼(epitaxial wafer)를 사용합니다. ... 전력용 소자나 소신호 증폭용 개별 소자용은 지름 76∼125mm, 두께 0.4∼0.6mm 정도로 가공한 웨이퍼가 사용되고 있다.결정을 성장시키는 데 있어서 문제되는 것은 모양과 질의 ... 성장 등이들 중 어떠한 경우이든, 결정화의 과정은 ①핵(결정의 중심이 되는 극히 미소한 입자, 크기는 nm 정도)의 발생, 핵의 삽입 또는 종자의 삽입, ②그 위에 원자자는 이 웨이퍼

  리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.06.28

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  PVD와 CVD

  ) 공정 기판 웨이퍼 위에 같은 방향성을 갖는 단결정 막을 기르는 기술 호모에피텍시(homoepitaxy) :성장되는 결정이 기판 결정과 같은 물질인 경우 헤테로에피텍시(heteroepitaxy ... 원소들을 가속시킨다 Atomic Layer Deposition (ALD) 개별 원자를 여러 층에 걸쳐 증착하는 기술로 막의 박층화 및 미세구조화에 따라 최근에 각광을 받고 있다에피텍시(epitaxy

  리포트 | 22페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.10.27

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  수직 공진형 표면 광 레이저(VCSEL)

  특히 VCSEL은 웨이퍼를 쪼개지 않고도 그 특성을 측정할 수 있다. 그리고 공진 거리는 매우 짧게 만들어지므로, 임계 전류는 감소하고, 전체 출력도 감소한다. ... 이런 구조는 대부분의 경우 MBE(molecular beam epitaxy)나 MOCVD(metalorganic chemical vapor deposition)공법으로 단결정의 형태로

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.04.28

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  화합물 반도체

  이동하는 현상은 1978년 미국 Bell연구소가 발견했으나, 전자를 제어하는 방법을 찾지 못해 소자 화를 하지 못했다.그 후 후지츠가 개발한 방법은 MBE(Molecular Beam Epitaxy ... 가격이 높음기계적 강도가 낮아 웨이퍼의 대구 경화가 어려움생산 기술이 성숙되지 못하고 각 제조 회사들의 독자적 개발로 세계 표준화가 되지 않음고주파 영역에서 전기적 특성 검사가 용이하지 ... Access) 등의 마이크로파 디지털 시스템에서 성능 및 효율이 뛰어남.생산 기술이 아직 개발 단계에 있어서 생산비가 높지만, 양산 기술이 진전되면서 실리콘보다 저가격의 실현이 가능함-단점웨이퍼

  리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.01.02

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