"MRAM" 검색결과 121-140 / 189건

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  나노바이오기술에 관한 설명, 당면과제 및 향후 전망

  응용예(3~4가지)(1) 나노 기능소자나노기술을 이용하여 정보저장 소자 (MRAM), 연산소자 (SET), 정보입출력 양자점소자 (LD), 정보표시소자 (CNT-FET), 전원 (CNT

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.09.04

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  Sputter Deposition System을 이용한 박막 증착

  System을 이용한 박막 증착과 목 : 신소재 창의 설계 1담당 교수 :학 과 명 : 신소재 공학과이 름 :학 번 :제 출 일 : 08. 03. 27.비 고 : 3조◎ 실험 목표 : MRAM

  리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.01

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  [전자정보] 테라급저장기술

  선진 각국의 MRAM의 선두는 미국이라고 볼 수 있고, 특히 MRAM이 우주항공분야에 필수적이라는 상황이 있었다. ... MRAM을 상용화 할 예정이다.MRAM은 SRAM만큼 빠르고, 비휘발성이고, 저전력 소모가 가능하여 SRAM + DRAM + Flash를 통합한 Unified 메모리로서 각종 소형 ... IBM은 2004년에 256M MRAM을 사용화 할 예정이며, Motolora는 2002년 6월 1M급의 MRAM을 발표하였고, 2004년 180 nm, 2006년 90 nm급 프로세스의

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.07.09

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  p-ram

  메모리가 갖는 높은 구동전압,느린 기록속도 및 재기록 횟수에서의 제한과 같은 성능상 열위를 개선하고 DRAM 급의 성능특성을 구현 할 수 있는 차세대용 유망 메모리로는 FeRAM,MRAM ... 선행하고 있지만 에칭공정이 용이치 않고 셀크기 감소에 따라 사발분그의 신호마진이 감소하므로 캐패시터를 소형화하기곤란한 DRAM과 같은 Scalability 에서의 난재를 안고 있다.MRAM은

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.09.28

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  [공학]반도체란!

  박막성장 - 리소그라피 - 페키징 - 외부 회로 연결반도체 소자 제작430 nm전자소자 (electronic devices) - Diode, transistor, DRAM, FRAM, MRAM

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.05.14

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  반도체

  메모리는 셀이라 불리는 장소에 전기를 축적, 정보를 기억하는 데 비해 자기메모리는 전자 자전스핀의 차이로 기억하는 것이 특징이다.GMR이후 전자의 터널링 현상인 TMR을 이용한 MRAM이

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.10.30

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  스핀밸브 소자의 측정 및 재료의 자기적 특성 (예비레포트)

  자기저항 물질인 퍼머로이계 박막에 비해 수 배에서 수십 배 큰 자기저항을 가지므로 2000년대의 10 Gbit / in2 기록밀도 기술에 필요한 새로운 자기재생헤드, MR 센서 및 MRAM

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.12.23

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  IT(정보기술)분야의 향후 동향 및 전망

  또한 MRAM(Magnetic RAM), FeRAM (Ferroelectric RAM) 등의 소자, 차세대 반도체 개발 및 생산에 필수적인 반도체 공정 장비산업 및 수동부품 분야도 ... 또한 집적도 및 비휘발성의 가능성이 큰 FeRAM 및 MRAM도 재료 및 소자분야에서 활발하게 연구가 진행되고 있다.(2) 비메모리 반도체 기술비메모리 반도체기술로 인터넷 단말기 등과

  리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.12.06

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  나노기술에 대해서 조사한 자료

  ㆍ휴대전화적층 콘덴서ㆍ고활성 및 고선택성 촉매 ㆍ나노고분자 ㆍ인텔리젼트재료 ㆍ나노 세라믹스 ㆍ나노글래스 ㆍ폴리머 ㆍ나노메탈나노입자 나노박막 나노벌크 나노코팅나노소재ㆍ메모리소자 (MRAM포함

  리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.06.25

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  박막 증착 기술 (Thin Film Deposition Technology)

  Displays - Organic Light Emitting Diodes (OLED) Interconnect BarriersInterconnect Seed Layer DRAM and MRAM

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.03.21

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  차세대 비휘발성 메모리

  뛰어난 동작특성을 갖는다.차세대 메모리는 바로 이런 특징을 갖도록 개발되고 있는 메모리를 말하는데, 현단계에서 상업화가 가능할 것이라고 내다보고 있는 메모리는 PRAM, FRAM, MRAM

  리포트 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2009.07.18 | 수정일 2018.11.24

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  FeRAM의 원리 및 특징

  FeRAM에 대해서1, FeRAM이란?FeRAM 이란 Ferroelectric Random Access Memory의 약자로서, 기존의 DRAM과 거의 똑같은 구조와 동작원리를 가진 기억소자이다. DRAM과 다른 점은 강유전체 (Ferroelectrics) 라는 재료를..

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.08.17

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  [나노] 나노 스핀트로닉스

  256Mb MRAM의 개발을 완료하겠다고 발표하였다. ... 대만의 반도체 업체인 USTC도 MRAM foundry에 관심을 표명했다. ... 그러나 MRAM의 고집적도와 수율, 신뢰성 등을 이루기 위해 해결하여 할 기술적인 문제점들도 노출되고 있다.

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2002.12.19

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  [기억장치] 메모리(MEMORY) 프리젠테이션 자료

  전력소모 많음 →DRAM(Dynamic RAM) -주기적으로 재충전하지 않으면 기억된 내용 소멸 -전력소모 적고 회로 간단함 -집적도 높음 →주기억장치로 많이 사용차세대 MEMORY→ MRAM

  리포트 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2005.05.25

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  RRAM 페로브스카이트 동작원리 Resistance Random Access Memory

  PRAM (phase change RAM), NFGM (nano floating gate memory), RRAM (resitance RAM), PoRAM(polymerRAM), MRAM

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.03.31

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  [화학]나노

  및 나노구조의 ITO(In, Sn)소결체 개발LG 전자- Nano Data 저장시스템(NDSS)- 오염물 제거용 TiO2 광촉매- CNT 디스플레이 등Hynix- MRAM용 MR소자 ... 용 붕대(nm 크기 Ag)국내 나노 기술 개발 현황{업체개 발 현 황삼성 전자- 초고집적, 초저소비전력, 고속 단전자 메모리 개발- Tera 비트급 탄소나노튜브 메모리소자 개발- MRAM

  리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.06.09

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  [나노 기술]나노 테크놀로지 소개 - 나노 기술에 대한 개요 및 연구 현황과 발전 대책 고찰

  상용화는 이른 감이 있다 GMR분야 GMR 은 감도가 매우 높아 높은 자계 센서에 응용될 수 있음 1000 억 불에 이르는 RAM(Random Access Memory) 시장에서의 MRAM

  리포트 | 28페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.09.01

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  나노기술에 대해서.

  나노기술의 응용나노기술을 이용하여 정보저장 소자 (MRAM), 연산소자 (SET), 정보입출력 양자점소자 (LD), 정보표시소자 (CNT-FET), 전원 (CNT Battery) 등을

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.12.08

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  [신소재공학] 자기메모리 기술에 관하여

  Radiation)환경에서도 환벽히 작동하는 16k비트 GMR MRAM 개발에 성공했다. ... 이런 기술발전 추이로 볼 때 21세기 초 G비트급 MRAM 소자가 개발될 것으로 예상된다.. ... 이 MRAM이 성공하면 오늘날 반도체 SRAM의 빠른 속도와 고밀도의 DRAM의 장점을 겸비한 비휘발성 메모리가 실현될 것이다.

  리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.03.23

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  플래시 메모리 소자의 종류와 특징

  .● 비휘발성 메모리비휘발성 메모리는 전원이 끊겨도 정보가 남아있는 메모리를 말한다.1) PRAM : 위상변화를 이용해서 그 상태의 변화로 데이터가 저장되는 방식이다.2) MRAM

  리포트 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.12.15

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