"MRAM" 검색결과 101-120 / 189건

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  나노입자(nano particle)

  아울러, 데이터 저장을 위한 전원이 필요하지 않다는 점과 방사 에너지에 대한 저항력이 강하다는 점 등도 장점으로 작용하고 있다. 2002년에 이르면 10~100 Mbit 금에 이르는 MRAM ... 340억불에 이르는 컴퓨터의 HD 시장을 점유하였다.GMR 구조의 또 다른 응용 분야로서 1,000억불에 이르는 RAM(Random Access Memory) 시장을 놓고 경쟁을 벌일 MRAM

  리포트 | 25페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.05.29

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  FeRAM

  2007 김기일 외 2 명 , “ 차세대 메모리 - 비휘발성 메모리 동향 및 가능성 ”, 한국과학기술정보연구원 , 2005 유병곤 외 2 명 , “ 유비쿼터스용 유니버설 메모리 기술 (MRAM

  리포트 | 19페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.24

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  나노센서

  TMR 박막은 MRAM(Magnetoresistive RAM)에 적합한 특성을 갖고 있어서 최근에 각광을 받고 있으며 박막연구는 주로 MRAM에의 응요을 목표로 진행 그러나 기본적으로

  리포트 | 24페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.08

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  [첨단기술]첨단기술과 경쟁, 첨단기술과 독점, 첨단기술과 가상현실, 첨단기술과 물리학, 첨단기술과 해양수산업, 첨단기술과 목재, 첨단기술과 네트워크게임, 첨단기술과 백남준 분석

  나노 전자 기술은 Nano-CMOS를 위주로, 단일전자소자(SET), Spintronics, MRAM, Nanotube, Nanosensor, Nanofiber, Molecular

  리포트 | 15페이지 | 6,500원 | 등록일 2013.03.29

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  ReRam,RRAM,저항메모리 기능과메카니즘

  하지만, 앞에서 언급한 FeRAM, MRAM, PRAM에 비해 아직은 연구개발 단계로서 상용화에 이루어지는 재료개발부터 해결해야 할 문제가 많다. ... 최근 1TRS에 따르면 차세대 메모리로 유력하게 대두되고 있는 소자는 PRAM, NFGM, ReRAm, PoRAM, MRAM 분자전자 소자등이 있다.2. ReRAM이란?

  리포트 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.03.07

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  반도체사업 기술개발 사업계획서 [A+]

  수준으로 인식되는 30나노 급에 다다름에 따라전혀 다른 기술 방식으로 반도체를 제작하는 차세대 메모리 개발 경쟁이치열해짐- 대표적인 차세대 메모리 반도체인 수직자화반전메모리(STT-MRAM

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.12.08

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  하이닉스기업조사,hynix,기업분석,반도체산업정의국내외적발전과정,국제적위상,향후전망,마케팅,STP,4P전략,물류체계 분석

  비휘발성이면서 자성체의 순ㆍ역 방향에 따른 저항차이를 이용하는 STT-MRAM, 외부 전압과 전류에 의해 저항이 변하는 물질특성을 이용하는 ReRAM, 물질의상변화를 이용한 메모리인

  리포트 | 31페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.07.02

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  나노자성재료와 응용기술

  -현재의 플래쉬 메모리는 그 사용수명의 한계가 있는 것에 반해, MRAM 의 수명은 훨씬 김. ... -MRAM에 입히는 박막의 두께가 1~2nm에 불과하기 때문에 재료를 나노 단위로 조작할 수 있는 기술이 필요함. ... 이러한 구조는 스핀의 방향에 따라서 저항이 변하는 가변 저항의 역할을 대신해 준다.MTJ (Magnetic Tunnel Junction)MRAM의 구조와 원리MTJ의 원리를 이용하여

  리포트 | 25페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.12.21

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  래핑실험 보고서.

  AlN)ㆍII-VI(In-P)족 소자ㆍSiGe, SiC 소자ㅇ 기타 비실리콘계ㆍSiGe,SiC,Diamond,ZnO 소자ㆍ양자ㆍ단전자 소자ㆍ스핀소자/자성반도체ㆍCNT소자ㆍ메모리소자 (MRAM포함

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.10

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  [공학]스핀트로닉스의 이해

  특히, IBM은 1999년 1 kbit MRAM칩을 성공적으로 개발하였고, 현재 0.18 μm CMOS 공정을 이용하여 1 Mbit 칩을 개발하였다. ... 이중 CPP 구조는 저항 값이 매우 작아서 측정이 용이하지 않았으나 Pratt 그룹은 CPP 구조에서 자기저항측정방법을 제활발히 연구하고 있는데, 이 구조는 자기기억소자(MRAM; ... (Honeywell)이 개발되었으며, 뒤이어 스핀분극된 전자의 터널링 현상인 TMR 현상을 이용한 MRAM(IBM, Motorola)이 연구 개발되어 새로운 차세대 메모리소자로서 각광을

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.01.29

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  PRAM이란 무엇인가?

  이 특징에 의해 PRAM은 WL과 BL의 2개의 라인만으로 기입과 읽어냄을 행할 수 있고, MRAM 이상으로 실장 밀도를 높여 집적도를 향상시킬 수 있다.

  리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.17

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  래핑4

  AlN)ㆍII-VI(In-P)족 소자ㆍSiGe, SiC 소자ㅇ 기타 비실리콘계ㆍSiGe,SiC,Diamond,ZnO 소자ㆍ양자ㆍ단전자 소자ㆍ스핀소자/자성반도체ㆍCNT소자ㆍ메모리소자 (MRAM포함

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.09.22

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  메모리반도체소자

  Random Access Memory)MRAM은 강자기성램으로 터널접합전극의 자화방향으로 데이터를 저장하는 메모리로, 막대자석과 같이 N극과 S극의 자성을 띤 물질의 방향에 따라 ... N의 자성을 가진 것을 `1', S의 자성을 가진 것을 `0' 등으로 표시해 데이터를 저장한다.MRAM 메모리2) FRAMFRAM은 강유전성램으로 강유전체라는 물질의 성질을 이용해 ... 메모리는 컴퓨터가 데이터를 빠르게 액세스할 수 ECD 순으로 출원분포가 형성되어 있는데 국내 출원에 비해 상대적으로 외국인 출원이 많지 않음을 알 수 있다.1) MRAM (Magnetoresistive

  리포트 | 37페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.12.04

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  TMR의 원리

  현재 proto-type의 MRAM을 발표하고 있는 수준…국내의 경우외국의 경우실험실적 TMR의 연구내용절연막(Al2O3)의 형성조건강자성체 변화절연막 형성시 산화시간 변화Al의 두께 ... magnetoresistance)CMR (Colossal) magnetoresistance)TMR (Tunneling magnetoresistance)2000년대의 10Gbit/in2 기록밀도 기술에 필요한 MRAM등에

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.11

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  스핀트로닉스 & TMR

  변하는 단점을 갖는다참고원및 문헌http://camars.kaist.ac.kr/~maeng/sep561/futuremem.pdf http://mse.gist.ac.kr/~afmp/MRAM.htm

  리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.09

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  [공학]나노기술의 시장동향과 개발사례

  나노구조의 ITO 소결체, SET-momory, 자성체의 스핀 배열을 이용한 MRAM개발? ... MRAM용 MR소자/소재 및 단위공정개발? 단전자 소자를 이용한 회로 기술연구(포항공대와 연구협력)SK 케미컬?

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.09.26

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  화상회의 제안서

  - 512MB 이상 (동시 접속자 30명)권장 CPU – Pentium II 이상 RAM - 64MB RAM 이상 최소 CPU - Pentium MMX 200MHz RAM - 32MRAM

  리포트 | 18페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.08.07

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  나노기술동향

  소자 : 나노미터 크기에서 발현하는 특이한 효과(양자효과) 응용소자 구현탄소나노튜브 (소재)분자배열 (공정)MRAM (소자)나노 개요왜 나노 기술인가? ... 생체의료 ㆍ 휴대전화적층 콘덴서나노 소자ㆍ CMOS 소자 ㆍ 양자 ㆍ 단전자 소자 ㆍ 터널링 소자 ㆍ 화합물 반도체(GaAs) ㆍ 스핀소자/자성반도체 ㆍ CNT소자ㆍ 메모리소자 (MRAM포함

  리포트 | 30페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.12

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  전자전기공학 - 반도체 산업 및 시장 규모와 주요 반도체 응용 제품 조사

  MEMORY - CCD메모리 제품 (1)메모리 제품 (2)1) 램(Ram) 가) DRAM, D램 나) SRAM, S램 다) VRAM, 비디오램 라) 고 속 DRAM 마) FRAM 바) MRAM메모리

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.09.19

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  반도체 제조공정의 이해

  반도체란 원래는 거의 전기가 통하지 않지만 빛이나 열 , 또는 불순물을 가해주면 전기가 통하고 또한 조절도 할 수 있는 물질반도체의 종류 메모리 비메모리 DRAM SRAM Flash MRAM

  리포트 | 54페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.04.10 | 수정일 2021.06.17

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