"VB C++" 검색결과 401-420 / 1,108건

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  태양전지 DSSC (Dye Sensitized Solar Cell) 원리, 이론, 동향, 특허, 논문 정리 ppt

  쌓이 면 광전효율 감소 반도체입자 - 전해질 계면 반응 투명전극 - 나노입자 계면 ohmic contact 투 명전극 CB VB n-type 반도체 (TiO 2 ) dye h v ... ell S ensitized S olar D ye 21투 명전극 상대전극 CB VB n-type 반도체 (TiO 2 ) dye h v e - e - 전해질 e - e - S+hv → ... ell S ensitized S olar D ye 22투 명전극 상대전극 CB VB n-type 반도체 (TiO 2 ) dye h v e - e - 전해질 e - e - S+hv →

  리포트 | 50페이지 | 10,000원 | 등록일 2013.04.22 | 수정일 2023.04.24

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  산화티타늄 광촉매에 의한 분자분해 예비보고서

  하지만 반도체의 경우는 가전자대(vb)는 전자가 채워져 있지만, 전도대(cb)에는 전자가 채워져 있지 않다. 이런 반도체의 성질을 이용하여 광촉매의 원리를 설명하고자 한다.? ... Beer-Lambert법칙T : 투광도 a : 몰 흡수도 (1/mol×cm) A : 흡광도 jb : 광로의 길이c : 시료의 농도 (빛이 지나가는 셀의 길이)Io : 입사광의 세기 ... ② 그 뒤 Beer가 흡광도는 빛이 지나가는 시료의 농도 (c)에 비례함을 발견!

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2015.07.26 | 수정일 2022.09.02

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  전자회로 프로젝트 Pspice를 이용한 Amplifier 설계

  M6100um/0.25um7um/0.25um8um/0.25um100um/0.25um100um/0.25um100um/0.25umDC BiasGain Bandwidth ProductVb1Vb2Vb3Vin40.009 ... M8(W/L)100/0.257/0.258/0.25100/0.25100/0.25100/0.2554.85/0.25100/0.25DC BiasGain Bandwidth ProductVb1Vb2V ... 0.54V이므로 이 값과 시뮬레이션에서 측정한 node voltage를 이용해서 각 Transisto의 동작영역이 Saturation에서 동작하는 지를 확인할 수 있다.또한 M6과 Vb1을

  리포트 | 14페이지 | 3,500원 | 등록일 2013.10.29

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  전자전기컴퓨터설계실험1 6주차 Prelab MATLAB

  사이의 전위를 Va, Vb, Vc라고 한다면, Va, Vb, Vc와 R값을 이용하여 KCL을 만족하는 방정식을 만들 수 있다.Node b :Node c :Va=Vs이고 위의 두 방정식을 ... 해도 엄연히 C언어와는 차이가 있다. ... Current & Voltage for L, Ci(C) = C*(dV(t)/dt)V(L) = L*(di(t)/dt)3) Hypothesis of this Lab & Basis of

  리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.03.11 | 수정일 2014.03.17

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  기초회로실험 예비 - 분압기와 분류기 [2013년 성균관대]

  이 때 그림속의 회로에서 전류는 각 저항값에 비례하므로,A단자에서 측정할 수 있는 최대 전압 : 10mV*(199+1) = 2VB단자에서 측정할 수 있는 최대 전압 : 10mV*(199 ... 전류 분배기(current divider)회로망에서 병렬로 모든 저항을 연결하면 같은 전압이 각 저항에 나타난다. 이때 저항을 흐르는 전류는 저항에 역비례한다. ... 병렬 회로 실험(1) 실험책 24쪽 [그림 3-2]의 회로를 결선하라.(2) 그림에서 각 저항 양단의 전압을 측정하라.(3) 그림에서 A, B, C, D의 전류 It, I1, I2,

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.01.05

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  15. 복합 구조

  βDCRE 이므로,Base에서 접지까지의 전체 저항 = R2∥βDCRE∴ by 전압분배 법칙.VB =?VCCif βDCRE ≫ R2, VB ?? ... VCC한편, VB = VBE + VE 이므로, VE = VB - VBE이때 IE =?IE를 알면, 다른 모든 회로 변수값을 구할 수 있다.∴ IC ? ... by KVL for C-E 회로,VCC - RCIC - VCE - REIE = 0∴ VCE ? VCC - RCIC - REIE이때 IC ? IE 이므로.VCE ?

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.05.02

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  실험4 식초중의 아세트산의 정량

  VbMb)/(Va+Vb)Ka= [H+]x{VbMb/(Va+Vb)}/{(MaVa-MbVb)/(Va+Vb)}=[H+]xMbVb/(MaVa-MbVb)KaMaVa-KaMbVb=[H+]MbVbKaMaVa ... H+ + A-Ka: 산 이온화 상수(acid ionization constant) 산의 이온화에 대한 평형상수=[H+][A-]/[HA]=[H+]x[A-]/[HA]-logKa=-log ... /Mb-KaVb=[H+]VbVeq=MaVa/MbVb[H+]=KaVeq-KaVb[H+]=10-pHGran plot 식: Vb10-pH=Ka(Veq-Vb)기울기: Kax절편: Veq4.

  리포트 | 14페이지 | 8,000원 | 등록일 2012.05.27

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  [증권분석][벨류에이션] 안철수연구소 주식 기업가치평가

  연혁안랩은 1995년 3월 15일 안철수컴퓨터바이러스연구소로 회사를 설립하였고 1997년 12월 인터넷 웹 사이트 ( Hyperlink "http://www.ahnlab.com" www.ahnlab.com ... 장영실상, 신소프트웨어상품대상과 같이 국내에서의 수상 뿐만 아니라 체크마크 인증 ,VB100%어워드 등 세계적인 상 역시 수상하여 그 우수성을 입증하였다.

  리포트 | 12페이지 | 3,300원 | 등록일 2017.06.21

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  VB기초(visual basic 기초 )

  비주얼 베이직의 역사 및 특성 비주얼 베이직 통합개발환경 VB 통합개발환경 둘러보기 VB 통합개발환경 사용하기 비주얼 베이직 프로그램 맛보기 비주얼 베이직 기본 용어 비주얼 베이직 ... 언어, 자바, C++ 언어, 비주얼 베이직 저급 언어 : 기계어, 어셈블리어 기계어(Machine Language) 컴퓨터의 기본동작원리에 이용되는 0과 1로 이루어진 2진 신호로 ... 언어 언어별로 다양한 문법과 구조로 구성자연어기계어프로그래밍 언어프로그래밍 언어프로그래밍 언어의 분류 1 기계어와 가까운 정도에 따라 저급 언어와 고급 언어로 구분 고급 언어 : C

  리포트 | 38페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.11.28

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  저주파 증폭기의 주파수 응답

  주파수가 낮아짐에 따라 결합 커패시터의 리액턴스는 무시될 수 없으므로 Vb는 다음과 같이 된다.위 식에서 분모의 허수부분과 실수부분이 같을 때 Vb의 값이 중역주파수에서의 크기의 0.707배로 ... 3dB점의 주파수는 다음과 같다.f _{ICE} =1/2 pi C _{E} R _{eq}여기서 Req = RE // Ro 이다. ... Rg는 신호발생기의 내부저항 또는 앞단 출력의 테브난 등가저항이다.중역 주파수 대역에서는 결합 커패시터의 리액턴스를 무시할 수 있으므로 트랜지스터의 베이스에서의 전압 Vb는 다음과

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.05.24

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  홀효과

  P-type의 hole은 음극 쪽으로 움직여가므로 마치 양전하(positive charge)에 의해 전류가 흐를 것처럼 이해할 수 있다.[2]그림 3. ... 이러한 전기장에 의해 전하에 작용되는 힘의 크기는F_E = q E이며, 자기장(B)에 의해 전하에 작용되는 힘(로렌츠 힘)의 크기는F_B =- q vB이다.

  리포트 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2015.10.23

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  염소이온 농도측정

  )000normality of AgNO30.2820.2820.282volume of sample(mL)202020equivalent weight of chlorine35.4535.4535.45chloride ... Cl-이온 형태의 염소이온(chloride)은 상수와 폐수 내에 존재하는 무기 음이온의 하나로 자연 광물, 해수 침투와 산업폐수 오염 등에서 유래한다. ... (Vs-Vb)xnormalityX35.45X1000/20여기서 35.45는 염소이온의 분자량이고 20은 사용한 sample의 부피이다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.08.24

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  기초회로실험) 예비 평형브리지회로 및 중첩의원리

  그래프에서 원으로 표시된 부분은 전류가 해당 부분 전류가 0 일 때 나타나는 저항의 값을 의미한다.Resistor123456{R}_{3},OMEGA5.6kRated(color code ... 전압이 똑같다면 Va와 Vb 사이의 Galvanometer는 중심에 위치하게 된다. ... 실험에서 사용되는 평형 브리지 회로는 Va와 Vb 사이에 Galvanometer를 설정한다. 이는 바늘을 통해 a 와 b 사이의 전압의 비교를 도와준다.

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.01.06

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  분석화학 적정곡선

  =10^-B4D4=$A$12/C4E4=C4/(C4+$A$10)F4=(E4+(C4-D4)/$A$4)/(1-(C4-D4)/$A$6)G4=F4*$A$4*$A$8/$A$6pKb=8Cb=pH ... 부피가 Vb인 약한 염기(초기 농도 Cb)를 농도가 Ca이고 부피가 Va인 센 산으로 적정pKb=10Cb=pH[H+][OH-]Alpha[A-]PhiVa(mL)0.0211.137.41E ... 030.015458832Ca=10.53.16228E-113.16E-042.40E-012.24E-012.2373417710.1101E-101.00E-045.00E-014.95E-014.945055Vb

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.07.09

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  화학공학실험 1 Reynolds 실험(배관계의 유체 마찰손실 측정 실험) 결과보고서

  or Cvcdischarge velocityu0 or Vb(m/s)discharge Reynolds numberRe0 or Revdischarge coefficient from referenceCor ... {bar{V _{b} ^{2}}} over {2}K _{c} ` : contraction - loss coefficient- 층류 →K _{c} `〈 0.1 이며, 따라서h _{fc ... f == {tau _{w}} over {rho bar{V} ^{2} /2g _{c}} ``=` {2 tau _{w} g _{c}} over {rho bar{V} ^{2}}① 유체의

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.10.25 | 수정일 2015.11.13

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  반응현상현상실험 PFR 레포트

  2 H_5 OH초산에틸에 대하여 물질 수지를 구하면V_b b_o ~+~rV ~=~(V_a ~+~V_b )b_1(1)Va는 NaOH 수용액V_a의 부피 유속Vb는 초산에틸 수용액의 부피 ... {dF _{A}} over {dV} =(-r _{A} )=kf(C _{A} ,C _{B} )여기서F _{A} =C _{A} v=C _{A0} (1-X)v이고,C _{A} =C _{A0 ... {dF} over {dV} =(-r _{a} )=kC _{CH _{3} COOC _{2} H _{5}} C _{NaOH} 따라서C _{Ao} =C _{Bo} 이고C _{A} =C _

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.12.17 | 수정일 2016.12.15

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  피스파이스를 이용한 8bit 가산기 설계(vlsi 텀프로젝트)

  CJSW = 300E-12 MJSW = 0.5** Vcc **vcc 3 0 dc 5v** 입력단 a1, b1 **va 1 0 pulse(0 4v 0 0.1p 0.1p 100n 200n)vb ... 두 번째 자리를 더할 때에도 가수, 피가수 및 C 플립플롭의 내용(첫 번째 자리에서 올라 온 자리올림 수)을 더하여 합은 S 레지스터에 저장하고 자리올림 수는 C 플립플롭에 저장한다 ... 또, C 플립플롭은 자리올림 수를 저장하는 곳인데, 초기에는 0을 넣어둔다.전가산기는 먼저 가수와 피가수의 첫 번째 자리 및 0이 들어 있는 C 플립플롭의 내용을 더하여 합은 S 레지스터에

  리포트 | 30페이지 | 10,000원 | 등록일 2015.06.23 | 수정일 2015.09.07

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  전자전기컴퓨터설계실험1 7주차 Postlab Nodal Analysis & Superposition

  사이의 전위를 Va, Vb, Vc라고 한다면, Va, Vb, Vc와 R값을 이용하여 KCL을 만족하는 방정식을 만들 수 있다.Node b :Node c :Va=Vs이고 위의 두 방정식을 ... Node에 들어오고 나가는 전류의 합은 0인 성질을 이용하여 방정식을 만들어 회로를 해석할 수 있다.예를 들어, 다음 그림에서 Reference node와 각 node a, b, c

  리포트 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.03.11 | 수정일 2014.03.17

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  [E-비즈니스] 전사적자원관리 (ERP) 리포트

  C/C++, VB, ABAP4, Developer 2000등의 도구가 사용된다. ... 신속히 대응할 수 있는 유연성 있는 기업시스템이 요구된다.4) 생산 품질의 고급화품질의 고급화에 따른 제품의 품질보증시스템을 요구하게 되며, 고객 개개인의 기호와 감성에 적합한 customization의

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.10.07

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  lab1

  C, D를 측정하라.c) 노드 A에 -10V가 연결되어있다; B, C, D를 측정하라.• 도표작성 : VA가 각각 0V, 10V, -10V 일 때 VA, VB, VC, VDVA[V] ... R1VBVCVDVD/VB(이론치)VD/VB(측정치)(a)0.0840.0850.51066.07(b)0.0810.0821.7592121.72(c)0.0840.08411이론치 계산저항이 ... 노드 D, B, X의 전압을 측정하시오.• 도표작성 :VD/VB(이론치)VAVDVBVX(a)-59.965-0.4490.088x(b)-209.965-1.6340.081x(c)-59.964

  리포트 | 25페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.12.07

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