"VB C++" 검색결과 341-360 / 1,108건

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  [화학실험][일반화학실험]a+ 화학 실험 보고서 산 염기 적정 예비 보고서

  약은 분석용액의 양을 알려주게 된다.당량점: 적정에서 분석 물질의 양과 화학적으로 정확히 일치하는 양의 표준시약이 가해진 지점이다.당량점은 다음과계가 성립된다.Na*va*=nb*vb종말점 ... 출발상당한 양의 염기와 짝산이 존재하는 완충영역에서 ph값이 서서히 줄어든다.완충구역 이후에는 곡선이 수직으로 당량점까지 떨어진다.약산 약염기Ch3cooh+nh4oh->hcl+ch3coonh4액성은 ... 약산성중성->약염기성으로 변한다종말점 부근의 ph변화가 작아 적당한 지시약이 없으므로 ph메터를 사용해 중화점을 구한다중화점에서 생성된 ch3coonh4는 물에 녹아 거의 중성을

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.03.02 | 수정일 2016.03.26

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  수증기 증류 실험보고서

  식(3)Pb°Vb = gb/MbRT ????? ... 식(4)(3) ÷ (4)Pa°Va ga/MaRT------ = ---------Pb°Vb gb/MbRTga Pa°Ma gwater 717 x 18---- = -------- → -- ... 측정값(99°C)Table 3.

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2016.01.14

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  [무기화학]연료감응형 태양전지의 원리와 구조

  mechanism - Diffusion process - Light intensity-dependent D e  V OC = E F - E REDOX D*/D + D/D + CB VB ... Recombination 2e - (TiO 2 CB) + I 3 -  3I - e - (TiO 2 CB) + h + (HOMO of dye)  heat n-SC (TiO 2 ) CB VB ... I 3 ¯ /I ¯ surface states V oc TiO 2 Dye  inj  cc  r anode cathode 염료감응형 태양전지 작동원리Solar cell 의 효율을

  리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2015.03.20

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  전압분배 바이어스 공통 에미터 증폭기 결과보고서

  접지에 대하여 VC, VB, VE, VR5의 전압을 측정하고 VR1, VR3, VR4, VCE 전압을 계산하여 다음 표에 기입하시오.① 전압이득ⅰ) 중역주파수 전압이득을 계산하여라.AV ... 근사적으로 1에 가깝다.따라서`i _{E} =i _{C} {beta +1} over {beta }이기 때문에 전류I _{C} =I _{E} 로 표현할 수 있으며 베타의 변화로 인한 ... beta ={i _{c}} over {i _{b}}이고, 베타값이 폭넓은 변화를 보이더라도 알파값은 변동이 거의 없다.

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.11.30

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  유출 결과보고서 종합

  이유는 Va=0.05m/20s ~ 0.05m/115s 정도로 Vb에 비해서 매우 작은 값을 가졌기 때문이다.2)급축소에 의한 마찰 손실과 표면마찰 손실이 관을 통과하는 유체의 유출속도에 ... over {C-B}} = sqrt {{g(Z _{a} -Z _{b} )} over {{1} over {2} LEFT ( {4fL} over {D} +K _{f} +K _{c} + alpha ... 수조에서 물의 높이가 5cm 줄어드는데 걸리는 시간과 그 높이를 각각 육안으로 측정하였다.

  리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.04.13

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  트랜지스터 베이스 바이어스, 이미터 바이어스 - 예비

  VOM 또는 DMM으로 각각 VB 와 VCE를 측정하고 표 9-1에 기록하라.4. ... 트랜지스터는 3개의 반도체 층으로 구성된다.① 이미터(emitter: E) : 전기 반송자를 방출한다.② 컬렉터(collector: C) : 전기 반송자를 다시 끌어 모은다.③ 베이스 ... NPN형 트랜지스터의 특징을 조사하였다.NPN형 트랜지스터의 이미터(E) 층에는 불순물을 많이 도핑하고, 컬렉터(C) 층은 적게 도핑한다.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.11.13

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  BJT고정 및 전압분배기 바이어스 예비레포트

  순서2의 결과를 이용하여 Vb,Vc,Ve,Vce 값을 계산하라.c. 회로 9-1의 회로에 전원을 인가하고 Vb,Vc,Ve,Vce 측정하라.d. ... + R_TH over beta_dc } simeq I_C을 얻는다. ... 순서 1에서 결정한 2N3904 트랜지스터의 를 이용하여, 그림 9-2회로에서 모든 V의 이론적인 값을 계산하라.c.

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2015.05.25

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  전자회로실험 예비 - 11. MOSFET CS, CG, CD 증폭기

  (V _{DD}=15V, R _{D}=1.5㏀, R _{G1}=10㏀,R _{G2}=1.5㏀,R _{L}=10㏀, C _{C1}=C _{C2}=0.1㎌ )(2) V _{sig}= 20 ... 출력 저항은 RD에 의해 ROUT=RD(또는 load 저항 RL이 연결된 때, RD//RL)이 된다.의 Vb는 VDD와 저항 2개를 이용한 전압분배 방식에 의해 조절할 수 있다. ... 게이트의 전압은 DC Vb로 고정되어 있을 때 만약 입력 전압이 작은 값V 만큼 증가한다면 MOS의 게이트-소스 사이의 전압(VGS)은 V만큼 감소하고 따라서 MOS의 Drain에

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.04.20

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  SICU case study 성인 간호학 실습 외과계 중환자실 케이스 스터디 Schawannoma, spinal nerve

  nerve root.ㅡ with sacral body scallopingㅡ with reactive BM edema in S1 VBㅡ extef bony erosional mass ... nerve root.ㅡ with sacral body scallopingㅡ with reactive BM edema in S1 VBㅡ extension to presacral spaceㅡ ... and extraforaminal mass→ Benign schwannoma at Rt S1 nerve root with internal hemorrhagic change, more

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2016.09.18

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  CE 증폭기의 bias와 이득 결과 REPORT

  실험절차 11, 13, 14를 반복하라.실험절차VB, p-pVC, p-pVE, p-p이득170.904V7.99V0.291V{V _{C}} over {V _{B}} ~=~ {7.99V ... 문제1) Bias 안정화가 사용되는 이유를 설명하라- 전압분배 바이어스에서는 베이스 전압 VB를 일정하게 하고, 이미터 전압은 VE = VBE+VB라는 관계가 성립되므로 바이어스가 ... 베이스와 접지 사이의 ac 신포파형 (VB)와 콜렉터와 접지 사이의 ac 신호파형 (Vc)을 도시하고, peak-to-peak 전압치를 측정하여 표 5.3에 기록하라.

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2016.06.26

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  [무기화학실험]Spin-coating 법에 의한 film 제조

  , 이로 인하여 VB 는 정공 (hole) 이 형성된다 . ... 반도체의 일종인 TiO 2 에 Band gap( 약 3.2eV) 이상의 에너지를 가지는 UV 광 ( λ 400nm) 을 조사할 경우 , VB  CB 로 전자 의 전이가 일어나게 되고 ... 를 이용하여 2.5cm x 2.5cm 크기로 자른다 . 3) 정확한 실험을 위해 Ethanol 로 깨끗이 닦는다 . ● Coating 하기 1) Spin coater 의 정중앙에

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2015.03.20

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  프로그래밍과 알고리즘의 사용과 중요성, 알고리즘 수업

  이와 같은 언어 외에도 C나 VB같은 더 많은 언어들이 있다. ... 자바의 구문 구조와 기본 개념은 C/C++ 언어와 매우 유사하다.’ ... 우선 알고리즘에 사용하는 언어는 유사코드(pseudo-code)라는 언어로 크게 정해진 것이 없는 알아보기 쉬운 언어를 사용한다.

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.03.26 | 수정일 2023.02.20

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  전력 3상평형

  {B} (t)+V _{C} (t)=0 이 된다.2) 파형 이용위 그래프는 3상 교류전압의 순시값의 합을 나타낸 것이다. ①,②,③을 예로 보아도 VA, VB, VC의 합이 0임을 알 ... (t)=` sqrt {2} ` BULLET V BULLET sin(2 PI ft-120 DEG )VA, VB, VC는 전압의 크기와 주파수, 시간이 같고 위상만 다른 전압이다.3상 ... 전압에 상수값을 정의//#define PI 3.141592 //pi값을 정의//#define f 60 //주파수에 상수값을 정의//void main(){int t;double va,vb

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.09.05

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  탄도진자

  )) 이를 속도의 항으로 풀면 vb = M/m√(2gRcm(1-cosθ))실험 장치Ballistic Pendulum/Projectile Launcher 장치실험 방법1. ... (M = 공의질량+진자의 질량 Δh = 높이의 변화량)∴ Δh = R(1-cosθ) , ΔPE = MgRcm(1-cosθ)(Rcm = 진자의 고정축으로부터 진자와 공의 합쳐진 중심점까지의 ... 운동량으로 풀면 Pp = √(2M(KE)) 운동량은 충돌 전의 공의 운동량 Pp=Mvb와 같고, 운동에너지와 퍼텐셜에너지는 같으므로 두식을 연립하면 Mvb = √(2M2gRcm(1-cosθ

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.05.04

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  A급 및 B급 전력 증폭기 예비보고서

  Emitter Follower를 사용한 푸시-풀 증폭기 형태상보 증폭기(Complementary Amplifier) 라고도 함실험회로 및 시뮬레이션 결과A급 증폭기 : DC 바이어스VB ... /710hsy/220295147678" http://blog.naver.com/710hsy/220295147678예비보고서 전자 회로 설계 및 실험2 실험일: 2016 년 11 월 ... 2V일 때Pi = 10 x 0.2 = 2PO = 22 / 20 = 0.1%ŋ = 100 x (0.1 / 2) = 5%참고문헌[1] HYPERLINK "http://blog.naver.com

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.12.15

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  공통 소스 회로 실험결과레포트

  식을 이용해V _{D}를 계산하라.V _{D} =V _{DD} -I _{D} R _{D}=20V-2.2mA TIMES 2.392kΩ=14.73VV _{D}(계산값) = 14.73Vb.R ... _{G} =1M OMEGA ,R _{S} =510 OMEGA ,R _{D} =2.4k OMEGA ,V _{DD} =`+20V 로 설정하고 그림 20-2의 회로를 구성하라.c. ... _{D} = {V _{S}} over {R _{S}}={1.682V} over {510Ω} =3.29mAI_D = 3.29mA순서 2(a)에서 계산한 직류 바이어스 값과 순서 2(c)

  리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.10.31

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  화학공학실험 CSTR 결과보고서

  = 0.0205MCA0 : NaOH 유입농도CA : NaOH 유출농도CB0 : Ethyl acetate 유입농도CB : Ethyl acetate 유출농도VA0 : NaOH 유입속도VB0 ... = 0.015MCA0 : NaOH 유입농도CA : NaOH 유출농도CB0 : Ethyl acetate 유입농도CB : Ethyl acetate 유출농도VA0 : NaOH 유입속도VB0 ... /L+ {0.1mol/L TIMES 60cc/min-0.1mol/L TIMES 70cc/min} over {60cc/min+70cc/min}C _{B} =0.0223mol/L두 가지

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2015.05.23

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  24과 전류원 및 전류미러회로 예비

  VB = R1 / R1+R2 (-VEE) 에 근거하여 다음식이 성립된다. ... ://www.alldatasheet.co.kr/" \t "_blank" www.alldatasheet.co.kr/ '데이터 시트 및 부품'[3] 전자회로 실험 제 10판, pp.301 ... Razavi, “Fundamentals of Microelectronics,” John Wiley, 1st Edition, 2007, chapter 5[2] HYPERLINK "http

  리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2015.10.26 | 수정일 2016.08.09

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  에미터바이어스회로 결과보고서

  위의 실험결과를 빗대어 보았을 때, 실제beta 값이 100보다 큰데beta 값을 100으로 낮춰 설정하면 IB값이 IC,IE에 비해 상대적으로 커지고, VB전압이 증가한다. ... C} -V _{E}##V _{CB} =V _{C} -V _{B}2.실험결과 및 비교2.1 에미터 바이어스 회로2.1.1 실험결과V _{E}V _{RE}I _{E}V _{C}I _{C ... :V _{RC} =`I _{C} R _{C}iii)```I _{B}를 계산하여라.

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.11.30

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  op-amp 실혐 결과 보고서

  노드 B와 노드 C 사이에 흐르는 전류를I _{1}이라 할 때I _{1}은 Vb/2R1 으로 정의되며 Vd는-I _{1} TIMES R _{2}로 정의된다. ... 도표작성 :VD/VB(이론치)VAVDVBVX(a)-5V/V9.99V-0.436V0.088Vx(b)-20V/V9.99V-1.636V0.081Vx(c)-4.99V/V9.99V-0.466V0.092V0.046 ... 도표 작성VA가 각각 0V, 10V, -10V 일 때 VA, VB, VC, VDVA[V]VAVBVCVDVD/VB(실험치)VD/VB(이론치)00.004mV0.005mV0.095mV0.007mV1.4V

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.10.06

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