"갈륨비소" 검색결과 321-340 / 574건

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  마이크로 과제1-2

  설계 과정 중 사용한 장비 및 특징토글스위치버튼을 손가락 끝으로 세우고 눕히고 하여 조작하는 소형 스위치.푸쉬 스위치버튼을 누름으로써 온-오프 하게 되어 있는 스위치.LED갈륨비소

  리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.04.01

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  LabVIEW를 이용한 핸드드라이기 project

  신호발생 장치 및 측정 장치 등의 거의모든 분야에 사용되고 있다.⑦ 로드셀 - 특정한 방향으로 힘이 작용할 때 전압신호를 발생하는 변환기이다.⑧ LED - 발광다이오드(LED)란 갈륨비소

  리포트 | 9페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.12.26

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  화합물 반도체

  알루미늄의 혼성결정을 이용하여 초격자를 만든 것이며 실리콘의 10∼20배의 스위칭속도를 얻을 수 있다.자전변환용 홀소자에는 3-5족의 비소 화 인듐·인듐안티몬(안티몬 화 인듐) InSb이 ... 있고, 펠티에소자로서 전자 냉동에 이용된다.비소화갈륨과 비소화갈륨알루미늄의 이종 금속 간 접합을 이용한 태양전지는 실리콘 발전효율의 2배이므로 인공위성·손목시계 등에 사용되고 있다 ... GaAs·인화갈륨 GaP, 2-6족의 황화카드뮴 CdS·텔루르 화 아연 ZnTe, 4-6족의 황화납 PbS, 4-4족의 탄화규소 SiC 등이 있다.

  리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.01.02

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  마이크로 과제1-1

  설계 과정 중 사용한 장비 및 특징토글스위치버튼을 손가락 끝으로 세우고 눕히고 하여 조작하는 소형 스위치.푸쉬 스위치버튼을 누름으로써 온-오프 하게 되어 있는 스위치.LED갈륨비소

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.04.01

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  제5세대 컴퓨터

  종래의 컴퓨터는 인간이 부여 한 명령 ( 프로그램 ) 에 따라서 주어진 데이터를 처리할 뿐이지만 , 제 5 세대 컴퓨터는 조지프슨 (Josephson) 소자 · 갈륨비소 소자 등을

  리포트 | 15페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.10.12

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  생활속의 화학 중간고사 요약

  (AS)가 첨가된 규소p-형 반도체 : 갈륨(GA)이 불순물로 첨가된 규소□ 연습문제1. a. ... 방법 : 황산과 아연의 반응H₂SO₄+ Zn → ZnSO₄+ H₂■ 물의 분해 → 전기분해로 O-H의 결합을 끊기 위해서286KJ + H₂O → H₂+½O₂■ n-형 반도체 : 비소

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.06.14

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  응용 실험(adaptor제작) 예비/결과 레포트

  반도체로서는 실리콘 ·게르마늄의 단결정들이 사용되고 있었으나 근래에는 갈륨비소(비소화갈륨:GaAs)와 같은 전자이동도가 큰 화합물 반도체를 사용함으로써 밀리(mm)파의 영역까지 사용할 ... 셀렌 정류기와 같은 전자현상을 이용한 이른바 금속정류기 등도 다이오드의 일종이지만, 보통 정류기라고 한다.반도체 다이오드는 게르마늄이나 실리콘[비소]과 같은 반도체 결정표면에 텅스텐

  리포트 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2008.12.19 | 수정일 2015.06.12

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  전기전자회로응용실험 예비레포트 모음입니다.

  발광다이오드(LED)란 갈륨비소 등의 화합물에 전류를 흘려 빛을 발산하는 반도체소자이다. ... 점접촉 다이오드는 게르마늄이나 규소[비소]과 같은 반도체 결정 표면에 텅스텐 또는 백금합금과 같은 금속제 침의 첨단을 접촉시킨 구조로 되어 있다.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.20 | 수정일 2016.08.27

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  한일그룹

  신발을 만드는 국제상사 내에 전자사업부를 세우고 갈륨비소반도체 사업에 나서는 한편, 6월에는 부산 하얏트호텔 개관을 계기로 전국적인 관광 네트워크망을 형성할 계획으로 서울, 부산 등

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.12.17

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  반도체의 특성과 역사

  .원소주기율표2주기-B(붕소),C(탄소)3주기-Al(알루미늄),Si(실리콘),P(인),S(유황)4주기-Zn(아연),Ga(갈륨),Ge(게르마늄),As(비소),Se(셀렌)5주기-Cd(카드늄 ... 도체, 10[/m]이하의 물질을 절연체, 그리고 전도율이 도체와 전열체의 중간에 위치한 물질을 반도체라 한다.도체-은, 구리, 알류미늄, 백금, 비스무스반도체- 게르마늄, 실리콘, 갈륨비소 ... , 갈륨인, 유화카드뮴절연체- 유리, 산회니켈, 다이아몬드, 유황, 용융, 석영4.도체물질의 성질물질비저항10Ω비저항의 온도계수10K은1.63.8구리1.73.9알루미늄2.83.9텅스턴5.64.5니켈6.86.0철105.0망가닌440.015

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.07.15

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  연세대 전기전자 기초실험 4. 다이오드 종류 및 특성 (예비보고서)

  갈륨, 인화갈륨, 갈륨-비소-인, 인화인듐, 인듐갈륨-인 등의 화합물 반도체를 사용한다. ... 원리에 대해 조사하여라.LED(Light Emitting Diode)는 반도체에 전압을 가할 때 생기는 파장이 가시영역에 속할 때 이를 활용하여 발광 효과를 내도록 하는 장치로써 비소화

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.12.30

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  이슬점 온도 측정(예비)

  검출기를 만드는 데 주로 사용되는 반도체 재료로는 실리콘과 갈륨비소 등이 있다.

  리포트 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.05.04 | 수정일 2022.07.06

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  피비엘 설사

  전해질불균형- 나트륨, 염화물, 갈륨, 중탄산염- 저장성 또는 고장성 용액 사용 시 전해질의 보상이 부적절함? ... 흡수불량→삼투성 설사)약물항생제(앰피실린, 아목시실린, 페니실린, 세팔로친, 세파클로 등→장내 정상 상주 균 변화→당질의 극심한 흡수부전, 삼투성 설사), 완하제독성중금속(납, 수은, 비소

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.06.26

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  [전자회로]LED(발광다이오드)의 설명과 이해

  GaAs, 인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 GaAs1-xPx, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP, 인듐-갈륨-인 ln1-xGaxP 등 3 B 및 5 B족인 ... 갈륨-비소-인에서는 인의 함유량 증가에 따라 Eg가 증가하므로 가시발광 다이오드가 된다.한편, ②에서는 발광파장은 반도체에 첨가되는 불순물의 종류에 따라 다르다. ... 전광판등의 광원으로 쓰인다청색 LED는 아직 가시광선내에서의 파장이 미형성, 세계적으로 처음 선보이고 있는 시제품도 휘도가 크게 떨어져 상용화가 안되고 있었으나 최근 일본에서 질화갤륨비소와

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.11.29 | 수정일 2022.04.01

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  이슬점의 온도 측정 예비

  검출기를 만드는 데 주로 사용되는 반도체 재료로는 실리콘과 갈륨비소 등이 있다.

  리포트 | 10페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.11.08 | 수정일 2022.07.06

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  MESFET의 특징

  MESFET는 비소화 갈륨, InP, 또는 SiC과 같은 고품질 표면 안정화가 모자란 화합물 반도체 기술들에 대체로 조립되고, 규소 JFET 또는 MOSFET보다 더 빠르고 더 고가입니다

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.04.26

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  기계공학실험_멀티미터실습

  재료로 서는 갈륨비소(GaAs) 갈륨인(GaP) 등의 화합물이 사용 된다 발광 다이오드의 극성의 확인 방법은 신품의 경우에는 리드선이 긴 쪽이 애노드(ANODE), 짧은 쪽이 캐소드

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.04.27

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  [ FET ]에 대하여

  극초단파이상에서는 실리콘보다 캐리어의 이동도가 빠른 갈륨 비소(GaAs)와 같은 화합물 반도체를 이용한 FET가 사용되고 있다.4단자형(MOS(metal?oxide?

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.17

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  [전기]PN 접합 다이오드 특성

  특성곡선5) 실리콘, 게르마늄의 전류-전압 특성곡선...PAGE:31.n형 물질①실리콘에 최외각 전자수가 5개인 불순물을 첨가하여 만듬.②5가 원소로는 안티몬(Sb), 인(P), 비소 ... (As) 등.③실리콘에 n형 불순물을 첨가하면 자유전자의 수가 크게 증가.④전도도가 크게 증가...PAGE:41.n형 물질도너(donor) : 5가 원소안티몬(Sb), 비소(As), ... 불순물을 첨가하면 정공의 수가 크게 증가.④전도도가 크게 증가...PAGE:62.p형 물질억셉터(Acceptor) : 3가 원소붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In)P-형 물질내의

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.05.22

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  [공과]발광소재 LED

  GaAs, 인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 GaAs1-x Px, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP, 인듐-갈륨-인 ln1-xGaxP 등 3 B 및 5 B족인 ... 갈륨-비소-인에서는 인의 함유량 증가에 따라 Eg가 증가하므로 가시발광 다이오드가 된다.한편, 발광파장은 반도체에 첨가되는 불순물의 종류에 따라 다르다. ... 인화갈륨인 경우, 아연 및 산소 원자가 관여하는 발광은 적색(파장 700nm)이고, 질소 원자가 관여하는 발광은 녹색(파장 550nm)이다.

  리포트 | 27페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.06.12

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