"갈륨비소" 검색결과 301-320 / 574건

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  다이오드의 특성 및 동작원리

  전기를 많이 가지고 있는 n형 물질을 접합하여 만든 것으로서, 한쪽 방향으로는 쉽게 전자를 통과시키지만 다른 방향으로는 통과시키지 않는 특성을 가지고 있다. p는 인듐(In)이나 갈륨 ... (Ga)과 같은 물질을 규소에 합성하여 "+"성분(hole:정공)이 많게 만든 물질이고, n은 비소(As)나 안티몬(Sb)과 같은 물질을 규소에 합성하여 "-"성분(electron:

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.04.03

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  자연계의 여러가지(17가지) 물질들의 구조와 그 용도에 대한 리포트..

  GaAs (Zinc Blende 구조)갈륨 아세나이드는 갈륨과 비소로 이루어진 화합물로서, 반도체의 중요한 재료며, 또한 마이크로 웨이브파 집적회로와 레이저 다이오드와 같은 기기들을 ... 갈륨 아세나이드는 알루미늄 아세나이드 등과 복잡한 구조로 결합을 하는데 이것은 molecular beam epitaxy를 사용하여 성장시킬 수 있다.갈륨 아세나이드의 중요한 활용 중 ... 갈륨 아세나이드의 또 다른 장점은 직접 밴드갭을 가지고 있어서 발광용도에 사용될 수 있다.

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.12.12 | 수정일 2021.11.21

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  저항 다이오드 캐패시터 인덕터에 대하여

  (입력전압이 변화하여도 제너 다이오드 양단의 출력 전압은 일정함 단 입력 전압에 비례하여 전류는 변동함)2) 발광다이오드흔히 led라불리우며 1923년에 비소화 갈륨 pn 정합에서의 ... 권선형이므로 대전력형을 만비소(As)나 안티몬(Sb)과 같은 물질을 규소에 합성하여 "-"성분(electron:전자)이 많도록 만든 물질이다.

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.09.23

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  마이크로 과제1-4

  설계 과정 중 사용한 장비 및 특징가변저항저항 값을 바꿀 수 있는 저항기LED갈륨비소 등의 화합물에 전류를 흘려 빛을 발산하는 반도체소자.직렬통신선USART통신을 하기 위한 선Ⅳ.

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.04.01

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  LCD, Laser Diode, LED의 원리와 특징

  갈륨과 비소의 p형 반도체와 n형 반도체를 접합시킨 반도체로 p-n접합 다이오드에 전류를 흘려 들뜨게 하여 레이저를 발진시키게 된다.갈륨과 비소의 p-n접합 다이오드에 순방향(p형으로부터

  리포트 | 27페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.11.08

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  시장은 기회의장인가 불평등의 장인가

  국내 유일의 갈륨 비소 반도체 제조 및 판매회사로서 독자적인 통신용 갈륨 비소 반도체 제조기술 개발. 97.3월 KOSDAQ 등록 시 1만2천원이었던 주가가 현재 8만 5천원에 거래 ... 비소 반도체 학회 학회장인 김혜봉 사장과 창업. ... 96.1월 주식 상장 시 공모가액은 1만 3천원이었으나, 5개월 후 10만원대로 급등 (이사장은 119억 원의 평가차익 획득)CTI 반도체: 현대전자 전문경영인 출신인 김훈 사장이 미국 갈륨

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.11.27

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  반도체 다이오드

  *에너지 다이어그램*n-형 물질내의 안티몬 불순물 도너(donor) : 5가 원소 안티몬(Sb), 비소(As), 인(P) 전자(electron) 전류P-형 물질내의 붕소 불순물 억셉터 ... (Acceptor) : 3가 원소 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 정공(hole) 전류P형 반도체와 n형 반도체에너지 구조에서 도너 불순물의 영향Fermi Energy : 전자가

  리포트 | 35페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.07.26

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  LED(Light Emitting Diodes)

  (GaAs), 인화갈륨(GaP), 갈륨-비소-인(GaAs1-x Px), 갈륨-알루미늄-비소 (Ga1-xAlxAs), 인화인듐(InP), 인듐-갈륨-인(ln1-xGaxP) 등 3B 및 ... 적다.발광다이오드의 특징① 발광파장이 가시(可視)영역 또는 근적외영역(近赤外領域)에 존재할 것, ② 발광효율이 높을 것, ③ p-n접합의 제작이 가능한 조건을 만족시키는 것으로서 비소화갈륨

  리포트 | 25페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.20

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  LED와 고휘도 LED란?

  화합물 반도체 중에서도 많이 쓰이는 것이 3족과 5족인데 주기율표에 의하면 3족은 알루미늄, 갈륨, 인듐이고 5족이 질소, 인, 비소등이 있다. ... 휴대폰에 들어가는 L로D를 보면 갈륨나이트라이드(GaN)란 물질을 이용해 만들고 있다. ... 그리고 빨간색보다 파장이 긴 장파 램프부터 적외선까지는 갈륨아사나이드(GaAs)를 이용해 만들고 있다.LED라는 것은 사실 언뜻 보면 단순하다.

  리포트 | 18페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.05.02 | 수정일 2018.04.26

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  [공학]단결정 성장법, NPN접합의 특성, 학회 감상문

  과정은 우선 비소화갈륨과 비소화갈륨의 종자결정 및 과잉비소를 석영앰풀에 봉입하고, 온도 조절을 한 과잉비소를 공급하면서 녹는점에서의 비소화갈륨의 비소압을 유지하여 비소화갈륨의 분해를 ... Bridgeman법 (Bridgeman Method)- 로 안에서 온도구배를 이용하여 단결정을 성장시키는 방법으로 주로 비소화갈륨(갈륨비소)의 단결정 제조에 응용되고 있는데, 제조 ... 예컨대 인화갈륨(갈륨인)의 녹는점(1467℃)에서 인의 증기압은 35기압이므로, 인화갈륨용액에서 인화갈륨반도체의 결정을 만들기 위해서는, 그와 같은 고온·고압하에서 결정을 성장시키지

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.25

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  원자재 자원관리 및 자원 재활용을 통한 산업경쟁력 강화 전략

  IT·자동차등 미래 성장동력산업의 핵심소재, 국내생산기반 미흡자동차디스플레이휴대폰- 희토류(모터)- 니켈(배터리)- 인듐(액정표시)- 비소(전극)- 리튬(배터리)- 갈륨(안테나)* ... 주요기능을 결정하는 핵심요소물질< 용도별 희유금속 수요량 현황 >철강, 자동차전기전자에너지환경항공기화학니켈(106), 몰리브덴(14), 망간(250)인듐(80), 희토류(3.3)갈륨

  리포트 | 26페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.03.13

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  반도체 소자의 기초

  MOSFET, CMOS, PMOS, ROM, EP-ROM 등 다양한 형태의 Device를 만드는데 이용된다 웨이퍼는 원재료에 따라 실리콘(Silicon) 웨이퍼, 게르마늄(Ge)웨이퍼, 갈륨비소 ... 진성 반도체에 주입하면 전기적 성질이 변한다(도체가 된다) Dopping-진성 반도체에 불순물을 주입하는 방법 N형 반도체 제 5족 불순물 첨가(1/106) : 안티몬(Sb), 비소 ... P형 반도체 제 3족 불순물 첨가 (1/106) : 인듐(In), 갈륨(Ga) 최외곽전자가 7개가 되어 받개 특성의 정공 생성 : 받개 불순물 추가된 정공에 의해 도전체로 변한다.In

  리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.10.23

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  사업 계획서 - 횡단보도 안전보행 LED

  LED의 개념Light Emitting Diode의 약자로 갈륨비소 등의 화합물에 전류를 흘려 빛을 발산하는 반도체 소자이다.

  리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2012.12.06

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  반도체소자 및 이론

  수 + 주개전자의 수Donor level energy전자의 흐름 (majority)정공의 흐름 (minority)N형 반도체제 3족 불순물 첨가(백만분의 1) - 인듐(In), 갈륨 ... SiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSi전자의 흐름정공의 흐름SiSiSiSiSiSiSiSiSi반도체의 특정 온도에서 전자의 수 = 정공의 수(ni=pi)제 5족 불순물 첨가(백만분의 1) - 안티몬(Sb), 비소

  리포트 | 29페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.11.27

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  발광다이오드(LED:light emitting diode)

  GaAs, 인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 GaAs1-x Px, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP, 인듐-갈륨-인 ln1-xGaxP 등 3 B 및 5 B족인 ... 발광다이오드의 발전사발광다이오드(LED)는 1923년 반도체에 전압을 가할 때 생기는 발광 현상 즉, 전기 루미테이션(전기장발광)의 관측으로 발명 될 수 있었다. 1923년 당시, 비소화갈륨 ... 발광파장이 가시(可視) 또는 근적외영역(近赤外領域)에 존재할 것, 두 번째, 발광효율이 높을 것, 세 번째, p-n접합의 제작이 가능할 것 등의 조건을 만족시키는 것으로서 주로 비소화갈륨

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.03.13 | 수정일 2014.07.11

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  다이오드 소자의 작동원리및 종류

  또 이 소자는 그 형상을 광학적 공진기(共振器)를 구성할 수 있게 만들면 레이저 발광도 가능하다.소재로서는 갈륨인[燐化갈륨:GaP) ·갈륨비소 등의 3족~5족 간의 화합물 반도체가 ... 반도체로서는 실리콘 ·게르마늄의 단결정들이 사용되고 있었으나 근래에는 갈륨비소(비소화갈륨:GaAs)와 같은 전자이동도(電子移動度)가 큰 화합물 반도체를 사용함으로써 밀리(mm)파의 ... -갈륨비소 단결정 내에서의 전자의 이동도(移動度)는 전자속도가 어느 한계를 넘으면 전기장의 세기에 반비례하여 감소되며, 이로 인하여 이 단결정의 전압─전류 특성에는 음성저항이 나타나게

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.02.21

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  LED 의 기본 원리

  GaAs, 인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 GaAs1 Px, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP, 인듐-갈륨-인 lnGaP 등 3 B 및 5 B족인 2원소 또는 ... 갈륨-비소-인에서는 인의 함유량 증가에 따라 Eg가 증가하므로 가시발광 다이오드가 된다.한편, ②에서는 발광파장은 반도체에 첨가되는 불순물의 종류에 따라 다르다. ... 인화갈륨인 경우, 아연 및 산소 원자가 관여하는 발광은 적색(파장 700nm)이고, 질소 원자가 관여하는 발광은 녹색(파장 550nm)이다.

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.05.24

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  실험자료(정전기유도)

  반도체에는 n형 반도체와 p형 반도체가 있는 데 그림 1과같이 14족 원소(Si, Ge등)의 결정에 최외각 전자가 5개인 15족 원소(비소, 인, 안티몬 등 )를 소량 첨가하면 이것은 ... 의해 전류가 흐르게 되는 반도체를 n형 반도체라고 한다.[ (주) 청문각 물리II P138 ]그림 2와 같이 14족 원소 (Si, Ge)의 최외각 전자가 3개인 13족 원소(인듐, 갈륨

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.11.21

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  반도체에 대하여

  통하지 않지만 빝이나 열, 또는 불순물을 가해주면 전기가 통하고, 조절도 할 수 있는 물질로 전기를 잘 통하는 전도체와 전기를 통하지 않는 절연체의 양방향적 성격을 지닌 실리콘이나 갈륨비소 ... 이 다이오드도 p-n접합을 이용하고 있는데, p-n접합의 p 및 n형 두 영역 건(Gunn)효과의 발견이다.갈륨비소 단결정 내에서의 전자의 이동도(移動度)는 전자속도가 어느 한계를 ... 그 구조도 p-n 접합형, 쇼트키 배리어형 및 이종(異種)반도체의 접합으로 이루어지는 것 등이 있으며, 소재로서는 실리콘 ·갈륨비소 등의 결정체, 기타 각종 반도체가 광범위하게 이용되고

  리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.07.29

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  고분자공학(태양전지에대하여)

  무기태양전지는 실리콘이나 갈륨비소 같은 무기물을 사용하지만, 유기태양전지는 반도체성 고분자 플라스틱으로 만든다.

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.09.24

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