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"Epitaxy" 검색결과 241-260 / 377건

  • 조혈 성장 인자
    hypersensitivity* long-term Tx: bone pain,musculoskeletal pain* splenic enlargement, thrombocytopenia, anemia, epitaxis
    리포트 | 11페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.06.23
  • MEMS (Micro Electro Mechanical Systems)
    반응을 수반하지 않는 증착기술로서 주로 금속 박막의 증착에 사용되며, 이에는 진공 증착(vacuum evaporation)법과 스퍼터링(sputtering)법 등이 있다.에피택시(Epitaxy
    리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.09.12
  • 그래핀(Graphene)
    촉매의 종류와 두께, 반응시간, 냉각속도, 반응가스의 농도 등을 조절함으로써 그래핀 층수를 조절하는 것이 가능하다.4) 에피택시 합성법 [Epitaxy]이 방법은 고온에서 결정에 흡착되어
    리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.09.18
  • 차세대 메모리
    Epitaxial film growth of ferroelectrics 4.
    리포트 | 25페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.10.27
  • pvd,cvd
    Sputtering), 전자빔증착법 (E-beam evaporation), 열증착법 (Thermal evaporation), 레이저분자빔증착법 (L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy ... 행해지고 있다.CVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.09
  • 자성 세라믹스
    형성 -자기 테이프 : 플라스틱에 의해 결합된 magnetic particle(주로 침상형 ) -하드 디스크 : 금속이나 산화물 박막의 증착 → Co(큰 보자력), Cr(Co의 epitaxial
    리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.10.06 | 수정일 2015.04.09
  • 박막재료와 그 증착공정의 종류
    진공증착장치의 기본구조④ 레이저분자빔 증착법(L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy)⑤ 펄스 레이저 증착법(PLD, Pulsed Laser Deposition ... Sputtering), 전자빔 증착법(E-beamevaporation), 열증착법(Thermal evaporation), 레이저 분자빔 증착법(L-MBE,Laser Molecular Beam Epitaxy
    리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.09.22
  • [박막증착]박막증착
    형성분무법 (Spray)화학증착법 (CVD)APCVD, LPCVD, PECVD, EPITAXY, MOCVDSOL_GELDIPPING물리적 박막 형성진공증착법 (Evaporation) ... Sputtering), 전자빔증착법 (E-beam evaporation), 열증착법 (Thermal evaporation), 레이저분자빔증착법 (L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy ... Deposition) 에 해당하는 증착법에는 MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy
    리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.04.20
  • 자기소개서(전자)
    Semiconductor)인 GaP(Galllium Phosphide) Meterial을 이용한 가시광선(Visible Wavelength)영역의 YG(Yellow Green) Color LED 용 Epitaxial
    자기소개서 | 2페이지 | 3,000원 | 등록일 2006.12.08
  • 반도체 공정의 이해
    제조 방법 : CZ法(Czochralski), FZ法(Floating Zone), EPITAXIAL法이 있으며 현재 주로 CZ法을 이용하고 있으며, SIZE는 8inch Wafer가
    리포트 | 27페이지 | 3,500원 | 등록일 2010.02.25
  • [금속공학]건식증착법
    변화이기 때문이다.CVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy ... Sputtering), 전자빔증착법 (E-beam evaporation), 열증착법 (Thermal evaporation), 레이저분자빔증착법 (L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy
    리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.04.30
  • LED 열역학 설계 프로젝트
    현재까지도 내부양자효율이 최고 50%대에 머물러 있기 때문에 LED 기술적 발전를 위 해서는 저가형 호모기판이 불가피한 것으로 보이며 기존의 HVPE(hidride vapor phase epitaxy
    리포트 | 25페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.19
  • [반도체공정설계] Silvaco사의 T-CAD를 이용한 BJT설계 (Bipolar Junction Transistor)
    x=17 y=1etch done x=17 y=-10diffuse time=100 temp = 1000 c.phosphor=1.0e19etch oxide all3) n-epi 생성EPITAXY
    리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.12
  • 실리콘웨이퍼의 전기적특성 변화
    .- SOI wafer : 2장의 wafer를 산화막으로 결합시킨 wafer- Epitaxial wafer : 기존 wafer표면에 CVD법을 이용, 새로 운 단결정실리콘을 증착시킨
    리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.12.13 | 수정일 2021.11.24
  • 공통 베이스 및 이미터 폴로워(공통 콜렉터) 트랜지스터 증폭기
    함수발생기, 오실로스코프부품 - 저항 - 1k(2개), 3k(2개), 10k, 33k(1개)커패시터 - 1(2개), 100(1개)트랜지스터 - NPN 2N3904 (2개)NPN Epitaxial
    리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.10
  • [공학기술]박막
    구조의 성장기본적인 epitaxy 과정의 개념도. ... MBE)분자 빔 에피택시 (MBE)초고 진공 상태의 적정온도에서 결정 작용으로 생긴 표면과 반도체 성층을 구성하는 요소의 분자 빔 사이의 작용에 의해 반도체 성층을 성장 시키는 방법.Epitaxy-결정
    리포트 | 38페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.05.23
  • 나노구조물을 합성하는 방법중 저항가열에 의한 물리적 기상증착을 적용한 방법
    나노 구조물을 제작하기 위한 방법(1)- 전자선 식간 (Electron Beam Lithography) - 분자선 적층성장 (Molecular Beam Epitaxy) - 스퍼터링
    리포트 | 15페이지 | 5,000원 | 등록일 2007.02.14 | 수정일 2014.08.11
  • PVD와 CVD
    원소들을 가속시킨다 Atomic Layer Deposition (ALD) 개별 원자를 여러 층에 걸쳐 증착하는 기술로 막의 박층화 및 미세구조화에 따라 최근에 각광을 받고 있다에피텍시(epitaxy
    리포트 | 22페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.10.27
  • 반도체의 제조공정
    작업은 CLEANING이라 하며, 다음 GROWING에 지 Wafer Edge는 매우 날카롭게 되어있어 후공정 진행시 Edge에 발생할 수 있는 Chip이나 Broken을 방지하고, Epitaxial
    리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.08.06
  • BJT의 고정 바이어스 및 전압분배기 바이어스
    Transistor부품 - 저항 - 680(1개), 2.7k(1개), 1.8k(1개),6.8k(1개), 33k(1개), 1M(1개)트랜지스터 - 2N3904 (1개), 2N4401(1개)NPN Epitaxial
    리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.10
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2024년 09월 22일 일요일
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- 작별인사 독후감
방송통신대학 관련 적절한 예)
- 국내의 사물인터넷 상용화 사례를 찾아보고, 앞으로 기업에 사물인터넷이 어떤 영향을 미칠지 기술하시오
5글자 이하 주제 부적절한 예)
- 정형외과, 아동학대