"Epitaxy" 검색결과 201-220 / 377건

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  엘지실트론 소개 및 취업자료

  4인치(100mm), 5인치(125mm), 6인치(150mm), 8인치 (200mm), 12인치(300mm) 추가공정에 따른 분류: 폴리시드(Polished)웨이퍼, 에피텍시얼(Epitaxial ... (Silicon on insulator) Wafer표면과 기층부 사이에 절연층을 인위적으로 형성시켜 기층부로 부터의 영향을 제거기존의 웨이퍼 표면 위에 단결정 실리콘을 증착시키는 Epitaxy ... 새로운 비전 선포 2005.10 월간 매출 최초 4,000만불 돌파 2005.11 친환경기업 환경부장관상 수상2005.12자체 브랜드 출범, CI선포식2000~ 새로운 도전제조 제품Epitaxial

  리포트 | 51페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.08.16

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  deposition 방법

  Deposition)CVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.06.05 | 수정일 2013.12.01

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  트랜지스터-의료기기사용

  트랜지스터의 종류(3)에피택시얼트랜지스터(Epitaxial Transistor) - 비저항이 낮은 반도체결정의 기판 위에 이와 똑같은 도전형인 적당한 비저항의 박층을 에피택시얼 성장

  리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.22

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  콜로이드화학법을 이용한 금속화학물(ZnO) 나노분말 제조

  MBE(Molecular Beam Epitaxy)고순도의 epitaxy(하나의 결정이 다른 결정 표면에 일정한 방위 관계를 취하여 성장하여 얇은 막을 만드는 일)한 박막을 성장시키기 ... 위해 가열된 기판위에 열적으로 evaporating하는 분자나 또는 원자빔들을 직접적으로 epitaxy하게 성장시키는 방법이다. ... Deposition)CVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.06

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  솔리톤에 대해서

  이 디바이스는 상업용 반도체 레이저를 만드는데 사용되는 분자빔 에피탁시 (molecular beam epitaxy) 방법으로 만들어졌다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.12.27

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  반도체 공정에 사용되는 가스들의 특징

  NH3, CH4, Cl2, MoF6 Carrier Gas는 고순도 H2, N2 사용에피탁시(Epitaxy)화학기상증착(CVD)공정N2, H2 혼합 Gas사용어닐링(Annealing) ... SUS 등 부식아세톤과 반응100℃ 이상일 때 공기 중에서 자연발화 (E.R. 4.1~98.8%)가수분해하여 염산과 포리시로키산 혼합물 생성SiH2Cl2디클로로 시란에 피 탁 시 (Epitaxy ... 분해TeH2수소화 텔루르NH3보다 강한 환원성 탄소강, SUS, 모낼, 하스테로이등 사용 가능Cl2 등의 할로겐 가스와 거세게 반응공기 중 자연발화수화물을 생성PH3포스핀에 피 탁 시 (Epitaxy

  리포트 | 16페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.12.09 | 수정일 2020.11.03

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  CVD 공정

  → 2P2O5 + 6H2 BPSG SiH4 + O2 → SiO2 + 2H2 400~480 4PH3 + 5O2 → 2P2O5 + 6H2 2B2H6+ 3O2 → 2B2O3 + 6H2 Epitaxy

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.31 | 수정일 2018.09.28

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  [물리]반도체 기초 , 결정격자

  : LPE) 진공에서의 원자증착(molecular beam epitaxy : MBE) 에피택셜 성장에서의 격자 구조 이종에피택시(heteroepitaxy) : 기판과 다른 에피택셜층을 ... ) : 기판웨이퍼 위에 방향성을 가진 단결정 막을 기르는 기술 화학기상증착(chemical vapor deposition : CVD) 용융액으로부터의 성장(liquid-phase epitaxy ... 마모작업(CMP) 도핑kd : 분포계수(disribution coefficient) CL : 액상 내에 있는 불순물 농도 CS : 고상 내에 있는 불순물 농도에피택셜 성장에피택셜 성장(epitaxial

  리포트 | 31페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.03.26

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  BJT와 저항을 이용하여 Inverter 및 Nor-gate 를 설계

  트랜지스터 그 응용의 간단한 설명예를 들어 사성 반도체 규격서에 의하면 KSC900은 일반저거인 용도와 저전압, 저전류의 오디오와 비디오 증폭기에 TM이는 소신호 NPN 에피택셜(epitaxial

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.06.07

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  [공학]PVD (Physical Vapor Deposition)

  Sputtering), 전자빔증착법 (E-beam evaporation), 열증착법 (Thermal evaporation), 레이저분자빔증착법 (L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy ... 있다.열증착법 (Thermal evaporation)의 특징은 간단히 말해서 열을 올려 증착시키는 방법이 특징이다레이저분자빔증착법 (L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.05.18

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  전자재료실험 - 열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석 결과보고서

  , 전자빔 증착법 (E-beam evaporation), 열 증착법(Thermal evaporation), 레이저분자빔 증착법 (L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.12.01

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  LED의 구조와 기본 원리, LED산업의 전망

  이 공정을 Epitaxy라고 하는데, LED의 휘도를 결정하는 핵심공정이다.LED의 제조공정출처 : 한철종, LED 고효율 고신뢰성 기술, 전자부품연구원, 2008.세 번째 단계는

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.01.23

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  웨이퍼 제조 공정

  웨이퍼표면 위에 단결정 실리콘을 증착시키는 Epitaxy 공정을 거친 웨이퍼. ... 또한 산소가 석영 도가니로부터 1017-1018atoms/cm3 정도로 단결정과 함께 존재함이공정을 거쳐 만들어진 웨이퍼가 폴리쉬드(polished)웨이퍼Epitaxial 웨이퍼기존의 ... 직경에 따른 분류 : 4인치(100mm), 5인치(125mm), 6인치(150mm), 8인치(200mm), 12인치(300mm) ④ 추가공정에 따른 분류 : Polished 웨이퍼, Epitaxial

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.20

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  반도체공정-유전체증착

  안정한 상태의 층 (layer) or 막 (film) 으로 성장 ( 증착 ) 시키는 공정화학증착 ( CVD ) • 적용 예 : -Bipolar IC 에서 Si 기판 위에 단결정 epitaxial

  리포트 | 26페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.05.19

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  반도체 공정 프로젝트

  what kind of method.1)substrate-Make p-type Si wafer by doping-Wafer cleaning-Buried SiO2 using mask & epitaxial

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.23

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  갈륨비소

  이러한 단접합GaAs셀은 단결정 GaAs 위에 최상층을 epitaxial 성층함으로서 얻어진다.표> 단접합 태양전지 셀 특성(GaAs)특성Gallium Arsenide on Germanium셀

  리포트 | 23페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.12

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  박막 재료

  growth, 3. development of preferred crystal orientation 4. lower substrate temperatures for the onset of epitaxy

  리포트 | 31페이지 | 4,000원 | 등록일 2010.05.13

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  단결정 성장 방법에 관한 조사 입니다.

  박막 형태의 단결정 성장 방법1. laser-MBE(laser molecular beam epitaxy)- MBE(Molecular Beam Epitaxy)는 양질의 반도체 박막을

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.11.09

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  LED 원리 및 Technology

  factors for LEDsLED EfficiencyInternal Quantum Efficiency : Material quality(Impurity,defects,etc) Epitaxial ... cells.Lateral current spreading is limited due to the insulating sapphire substrate and thin n-GaN epitaxial

  리포트 | 26페이지 | 4,000원 | 등록일 2007.08.27

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  [반도체공학]반도체 공정

  이렇게기판 웨이퍼 위에 같은 방향성을 갖는 단결정 막을 기르는 기술을 에피택셜 성장(epitaxialgrowth) 또는 에피택시(epitaxy)라 한다. ... CZochralski(CZ)성장법■ Epitaxy- 소자에의 응용을 위한 결정성장방법 중의 하나는 단결정으로 이루어진 웨이퍼 상에 얇은박막결정을 성장시키는 것이다. ... (molecular beam epitaxy; MBE) 등이 있고 이러한 성장방법들에 의해 Si과 GaAs를 포함하는 광범위한 반도체 박막 결정들이 키워지고 있다.

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.04.05

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