"epi-layer wafer" 검색결과 1-20 / 24건

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  Polished Wafer와 Epi-Layer Wafer의 표면 처리에 따른 표면 화학적/물리적 특성

  한국재료학회 김진서, 서형탁

  논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  캡스톤디자인1 Solarcell Project 최종발표

  1) contact 저항을 낮추기 위해 오버 도핑된 GaAs 로 cap layer 를 생성 - 전극이 없는 부분의 Epi 에서 빛 흡수를 방해 2) cap layer 부분이 전체적으로 ... Photolithography 3-1-1. Photolithography 를 하는 이유 1) 전극을 형성하기 위해서 2) 회로 패턴을 웨이퍼 위에 형성하는 과정 3-1-2. ... Cap layer etching 5-1. Cap Layer 를 하는 이유 ?

  리포트 | 37페이지 | 10,000원 | 등록일 2021.07.16

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  Latch up in CMOS report

  Epi layer는 CVD로 성장되며 VPE, MOCVD, MBE의 방법이 사용된다.Fig.4 Cross section with Guard Rings IncludedRetrograde ... LPT(Latch up Protection Technology)회로, Transistor간 절연장벽, epitaxial wafer, Ion implant로 retrograde well ... 전위를 VCC 또는 VSS에 고정하거나 출력부에 과전류가 흐르지 않게 하는 등의 해결책이 있다.먼저 LOCOS, Trench Isolation, Selective Epitaxy, Wafer

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.02.21

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  기판 건식, 습식 클리닝 공정 정리

  Megasonic cleaning의 가장 중요한 특성 중의 하나는 acoustic boundary layer가 똑같은 속도의 전형적인 hydrodynamic boundary layer ... HF last cleaning 후 실리콘 웨이퍼 표면의 접촉각을 약 72°로 나타내고 이 경우 표면이 H-termination 된다. ... 시제 CMP 후 세정 공정에서 SC-1, 또는 수산화 나트륨 용액의 bath에 웨이퍼가 담겨져 megasonic energy가 가해진다.

  리포트 | 9페이지 | 4,000원 | 등록일 2021.11.12

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  CMOS 제조 공정 실험 레포트(예비,결과)

  주로 건식 산화 방법이 쓰이며 산화막을 형성시켜 절연체의 역할과 선택적으로 확산을 시켜주는 역할을 한다. [1]다음은 에피택시 공정으로 Si Wafer 상에 순도가 높은 새로운 epi-layer을 ... 포토 리소그래피 공정 [1]PR(Photoresist)이라고 불리는 감광 고분자 물질을 웨이퍼 전면에 도포한 후, mask를 이용하게 되는데 여기서 빛을 받은 부분이 제거가 되는 방법을 ... 실험날짜 : 2017년 11월 01일- 실험제목 : CMOS 제조 공정- 예비이론CMOS의 제조 공정의 가장 첫 번째는 산화(Oxidation)이다.

  리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.11.08

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  박막형 Ⅲ-Ⅴ족 태양전지 주요공정 및 실습 리포트

  GaAs Substrate 위에 AlAs, Epi Layer를 역성장1) MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)- MOCVD는 실용적으로는 ... Epi Layer(Active Layer)에 증착된 Au와 Kapton Sheet에 증착된 Au를 Boding1) 상온에서 금속결합이 형성되는 원리를 이용(고압)2) 접착제가 별도로 ... 웨이퍼의 재사용이 가능4.

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2018.08.06

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  3-5족 박막형 태양전지 제조공정 및 실습결과

  layer 등 역성장 * AlAs ( 희생층 ) 과 Wafer 또는 Active layer 사이 존재 * HF 로 부터 Wafer(GaAs substrate) 보호 역할 Protection ... 실습결과 정리 (Single Junction, Triple Junction) 2) 재사용 wafer vs. New wafer 성능 비교 1. ... GaAs Solar Cells and Enabling Substrate Reuse(2012) http://www.nanoflexpower.com/gallium [Bonding 장비 ] Epi

  리포트 | 17페이지 | 3,000원 | 등록일 2017.09.15

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  Design Project for LED fabrication process- 조명 White LED 제작 공정

  InGaN SQW layer Temperature 780 - 800℃ Temperature 다른 조건은 앞단계와 동일 Deposition 속도 : 10Å/min 시간 : 약 2 분EPI ... - 800℃ 2nm AlGaN:Mg layer TMG : 40 μ mol/min Cp 2 Mg : 3.6 μ mol/min 약 793℃ 60nm GaN:Mg layer 20nmEPI ... 속도 : 0.6 μ m/h 시간 : 약 6 분 다른 조건은 앞단계와 동일EPI 성장기술 200nm GaN:Mg layer 다른 조건은 앞단계와 동일 Deposition 시간 : 약

  리포트 | 39페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.03.26

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  Design project for LED fabrication process-조명 white LED 제작 공정

  White LED Epi 성장기술0. Process : MOCVD[그림 3] 에피텍시(Epitaxy) 공정 LED chip을 만들기에 앞서, 에피웨이퍼를 만들어야 한다. ... 여기서 Si와 Mg의 doping level은 각각 5×1018, 6×1019 cm-3이다.이제 TF-MOCVD 공정을 이용하여 에피웨이퍼 층을 쌓아보자. ... xN SQW layer, a 60nm Al0.1Ga0.9N: Mg electron barrier, 200nm GaN:Mg p-contact layer로 구성되어 있다.

  리포트 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.03.26

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  LED의 발전과정, 최신동향, 기초이론, 제조 및 측정분석 방법 ppt

  공정 Epi 공정 FAB 공정 Module Pakaging GaN Structure - + P-type N-type MQW EBL - + -Ⅳ LED 기초 이론 Wafer 공정 Epi ... Wafer 공정 Epi 공정 FAB 공정 Module Packaging P-N JunctionⅣ LED 기초 이론 Wafer 공정 Epi 공정 FAB 공정 Module Packaging ... H 2 -rack MFC(Mass flow controller) PC(Pressure controller)Ⅳ LED 기초 이론 Wafer 공정 Epi 공정 FAB 공정 Module

  리포트 | 75페이지 | 8,000원 | 등록일 2013.04.22 | 수정일 2022.11.21

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  반도체 공정_CVD (메카니즘, 종류, System, Future)

  and key-hole effects Cause of high wafer Temp. ... 반도체공정 및 장치기술 Author : 이형옥 Publisher: 도서출판 성학당 ( 주 ) 다우코닝 Homepage http://www.novellus.com http://www.Lpe-epi.com ... nitride and silicon oxynitride Low Temp. process (250-450 ℃ ) Good film adhesion to the wafer High deposition

  리포트 | 21페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.12.01

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  LED Procsee

  LED PROCESSAir ShowerInGot 성장 + SUB Wafer 제작 EPI 성장 (MOCVD, LPE, VPE) CHIP Process Package ProcessVGFLECHBWafer ... LPE의 장점·단점 - 장점 ① 장치가 간단하다. ② EPI Growth rate이 크다. ③ Crystal quality가 좋다. - 단점 ① 0.1um 이하의 매우 얇은 층의 성장이 ... metal: AuZn or AuBe Bonding metal: Au (ex, P-up)n-GaAs Subp/n epitaxial layerS u b s t r a t eFilamentMetal고압전류Electron

  리포트 | 54페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.01.09

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  LED의 원리와 특성

  Epi wafer 위에 mask를 대고 노광 및 에칭 공정을 거쳐서 전극을 형성하게 된다. ... LED 제조 공정1) 사파이어 기판(Al2O2): Substrate2) Epi wafer3) Chi 제조: Fab 공정4) Packaging 공정5. LED 패키징6. ... EPI공정은 MOCVD (Metal Organic Vapor Deposition) 방식을 통해서 이루어진다.3) Chi 제조: Fab 공정Fabrication공정은 Epitaxy layer위에

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.08.13

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  적색 LED Review

  Stop layer 제거n-metal 형성Contact layer 제거GaAs subp-GaPMQWSi wafern-AlGaInPp-AGalInPGaInP ESLn-GaAs contactBonding ... in chip design)Chip DesignWafer BondingCreeOsramLumileds..PAGE:7대만의 선진사 : Epi-star, Arima, Epitech ( ... 기술 동향국외 기술 동향Red (AlGaInP-based) LED 국내외 기술 동향..PAGE:8LED structure : 30~100 layer 로 구성됨.각 Layer는 GaAs에

  리포트 | 12페이지 | 4,000원 | 등록일 2010.07.14

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  Etching and Packaging of Micro System Process

  It is widely used for polishing surface of cut wafer, cleaning wafer thermal oxidation film or epi layer ... Selective etching reacts to the surface layer only and doesn’t affect any other layer. ... It etches several layers at the same time.

  리포트 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.06.05

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  디스플레이 물성및재료 반도체 제조공정 디스플레이 제조공정1

  Si Epitaxial 공정의 활용 BiCMOS에서 NBL(N Type Buried Layer)를 형성EPI 공정장점 EPI Si 내의 불순물 농도 조절이 용이 → 실리콘기판과는 다른 ... (반도체 공정에서는 기체, 액체가 아닌 고체에서 일어남) Diffusion 공정 종류: 산화 공정, 확산 공정, LP-CVD, EPI 공정산화 공정산화 Si wafer의 표면을 산소 ... )+ O2 → SiO2Si(wafer)+2H2O → SiO2+2H2비교산화 속도가 느림.

  리포트 | 26페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.20

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  [예비 / 결과레포트] 유기물을 이용한 마이크로 패턴 제작

  , and bonded silicon-on-insulator (SOI) wafers although processes for bulk silicon wafer also have been ... The materials commonly used in HAR silicon micromachining are thick polycrystalline silicon, known as epi-poly ... of material layers, patterning of these layers by photolithography and then etching to produce the required

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.12.23

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  [신소재공학]반도체 공정(process flow)

  of transistorPhotolithography processOxidation ExposureThe epi-wafer is exposed to high temperature ... wafers are sawn off (sliced) and polishedThe Mask Making ProcessEpitaxyThe growth of an ultra-pure layer ... Mask Inspection -Wafer Inspection -Metrology / Critical Dimensions -Defect InspectionYield ImpactTest

  리포트 | 22페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.01.16

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  LED의 구조와 기본 원리, LED산업의 전망

  Wafer 위에 Fab 공정을 거쳐서 LED chip을 생산한다. p형 및 n형 반도체에 금속 전극을 형성하는 공정이다. ... 공정을 Epitaxy라고 하는데, LED의 휘도를 결정하는 핵심공정이다.LED의 제조공정출처 : 한철종, LED 고효율 고신뢰성 기술, 전자부품연구원, 2008.세 번째 단계는 Epi ... LED에 직류전압을 공급하면 active layer층에서 빛을 내며, 그 빛은 직접 방출되거나 반사에 의해 방출되고 연속 스펙트럼을 가지는 광원과는 다르게 특정한 파장으로 광색을 표출한다

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.01.23

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  에피택시

  간단하게 서로 다른 불순물 농도를 갖는 다중 기능층(functional layer)들을 기판 위에 형성시킬 수 있음- 확산에 의해 이러한 층들을 구성하는 경우에 발생하는 불순물간의 ... ◘ 에피택시 (Epitaxi)에피택시는 그리스 문자 epi(위에)와 taxis(배열)의 합성어로서 결정구조를 갖는 물질(기판)위에 기판과 같거나 또는 다른 결정 구조를 갖는 물질을 ... reflection high energy electron diffraction : 성장중 에피택시 층을 분석할 수 있는 장치로서 정밀한 성장이 필요시 주로 사용한다.하지만 분자선의 충돌로 웨이퍼의

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.05.24

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