"Metal silicide" 검색결과 1-20 / 30건

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  반도체공정 기말정리

  기존 metal-si 에서 metal - silicid, silicide - si 로 연결되며 저항을 낮춘 방법이다. ... 먼저 기존 MOSfet에 O2를 도포하여 sidewall spacer를 만들고 metal을 전면에 덮는다. ... 동작속도가 빨라진다.· PolycidesSilicides 대신에 poly silicon을 사용하는 것인 Polycides.· Salicidessalicide는 Self-Aligned silicide로

  리포트 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.10.22 | 수정일 2024.04.30

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  High-k report

  초기에는 CoSi2를 사용했지만 Ni silicide의 EWF가 Poly Si gate와 Ni silicide phase의 dopant로 수정될 수 있어 NiSi와 NiSi3로 초점이 ... MOSFET structureMOSFET은 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor로, gate에 전계를 가함으로써 channel을 ... 따라서 적절한 EWF가 있는 metal electrode material로 대체되어야 한다.Fully Silicides(FUSI)는 소자 제작 후 낮은 heat cycle과 적은 손상을

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.02.21

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  [시험자료] 반도체 공정 및 응용 기말고사 정리 (족보)

  polycide: polysilicon위에 silicide 2층 구조를 형성? ... Interconnection에서 silicide, polycide, salicide란 무엇이며, 이들을 사용하는 목적은 무엇인가요?? ... silicide: TiSi2, CoSi2 등의 합금을 실리콘과 먼저 결합하여 Schottky Contact으로 인해 높은 저항이 발생하는 것을 낮춰주기 위한 공정이자 화합물?

  시험자료 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.12.02 | 수정일 2024.05.14

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  ITRS roadmap 2005 Front End Processes 번역정리

  따라서 이 로드맵은 silicon wafer substrate에서 시작하여 contact silicidation processes를 통해 확장되는 단위 및 통합 process뿐만 아니라 ... 첫째, 금속 또는 metal nitride gate materials의 도입이고 두 번째는 high‑k gate dielectric material의 도입이다. ... capacitors, FeRAM devices와 관련된 미래의 process 요구사항 및 솔루션에 중점을 둔다.

  리포트 | 46페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.02.21

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  반도체공정 (Metallization)

  단점들은 metal-silicide에 의해 cover되며 다른 우수한 property 도 많이 가지고 있다.1. ... 각각은 silicide 형성 후 thermal step이수반되는 deposition이 포함된다.◎ Silicon 위에 pure metal의 depositiring level이 사용될 ... FabricationReport(1월)박 형 석< Metal silicide의 형성과 특성 >반도체 chip의 집적도가 증가함에 따라 dense, high performance device

  리포트 | 18페이지 | 4,500원 | 등록일 2007.01.27

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  ITRS

  silicide 접촉 형성. ... 현재의 상황은 “물질이 소자의 scaling을 제한했다”라고 정의 할 수 있다.재료-제한된 소자의 스케일링은 모든 front end 재료와 단위조에서 metal-insulator-metal구조로의 ... 그러므로 이 로드맵은 도구와 재료, 뿐만 아니라 초기 실리콘 웨이퍼 기판의 단위, 집적공정과 접촉silicidation 공정을 통한 확장을 내포한다.

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.06.30

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  반도체 제조 공정의 종류와 기법 서술

  그 후 TiN 어닐(anneal)을 통해 실리콘 표면에 Ti 실리사이데이션 silicidation)을 형성하고 TiN 디펙트(defect)를 감소해서 다음 공정으로 W plug를 CVD ... .㉠ 게이트 절연막의 역할게이트 전극, 실리콘 산화막 또는 게이트 절연막, semiconductor 혹은 실리콘으로 구성된 M-O-S 구조에 소스와 드레인으로 구성되어 있다.㉡ 커패시터 ... 이 후 베리어 메탈(barrier metal)로써 Ti막을 통한 접촉 저항을 감소시킬 목적으로 증착하고 TiN막을 PVD Sputter 방법을 이용하여 증착한다.

  리포트 | 17페이지 | 4,500원 | 등록일 2015.06.09

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  WSi2 word-line 및 bit-line용 spacer-Si3N4 박막의 증착

  한국재료학회 안승준, 김대욱, 김종해, 안성준, 김영정, 김호섭

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  반도체 입문교제(Metal)

  AL의 Grain size는 0.5 ~ 1.0 ㎛ 정도로 형성된다. 2) Surface roughness(표면 거칠기): 형성후, Polysilicon과 Metal silicide( ... 이와 같이 patterning 공정 이 필요없는 silicide 방식을 Salicide라고 한다.[ Salicide 공정 진행 절차 ]METAL 공정♣ 용어 해설 1. ... Overhang: 비아/콘택 홀 상부의 모서리, 스파터링시 이 모서리에 증착된 금속이 홀 하부 측벽 에 금속이 증착되는 것을 방해한다.METAL 공정RF coil금속 입자전자secondary

  리포트 | 30페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.11.08 | 수정일 2016.05.08

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  반도체공정-유전체증착

  과 metal silicide 를 성장시킬 때 등 .• 결과적인 film 구조에 영향을 주는 factor 1. ... -metal interconnection 으로부터 poly-Si 를 isolate 하는 데 SiO 2 를 사용할 때 . - 완성된 IC 위에 마지막 passivating layer( ... 보호층 ) 으로 plasma nitride 를 성장 시킬 때 - plasma enhanced CVD (PECVD) 공정 - interconnection 과 contact 을 위해 metal

  리포트 | 26페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.05.19

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  MOSFET_최종

  포화 전류의 증가 방법은 silicide growth 및 epitaxial silicon growth 등이 해법으로 고려되고 있다.문턱치전압은 트랜지스터의 게이트의 길이에 따라서 변화하지 ... 이러한 소자의 예로 double gate, FinFET, ultra-thin body(UTB) SOI 그리고 metal gate 트랜지스높은 기생저항때문이다. ... Surface scattering3. velocity satura가를 충족시킬 수 있는 충분한 양의 전하운반자가 존재하지 못하기 때문에 Gate depletion현상이 발생하게 된다

  리포트 | 41페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.07.12

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  Sputtering 방법을 통해 증착한 Cu/Ti 박막의 후열처리 온도에 따른 Cu-silicide형성과 비저항에 미치는 영향의 특성평가실험

  실험목표Silicide 형성 기구 이해(kinetic, themodynamic)제조 방법(sputtering)의 이해응용 내용 이해(반도체 metallization)2. ... yield 감소.② Target의 온도: sputter yield가 아주 높은 경우를 제외하고는 민감하지 않음.③ 이온의 입사각: Max sputter yield –약 80o④ Target ... (보통 금속 원자 한 개 승화시 필요한 에너지: 3~5eV)→ 대부분의 에너지가 열로 방출, 일부 에너지만이 스퍼터링에 이용.(3) 스퍼터율(sputter yield)스퍼터율: 하나의

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.26

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  공주대 반도체제조공정 중간고사 족보

  ,metal plugs,▶junction spiking:접점스파크 발생,베리어메탈쓰면 발생▶hillock 항. ... pvd(physical vapor deposition)▶성공적인금속재료 요구사항:전도성,점착성,증착,신뢰성,부식,응력,패터닝/평탄화▶웨이퍼공정 금속 뭐쓰냐:알루미늄,구리,베리어메탈,silicides ... ,base▶gate](4)cmos(complementary metal ▶oxidesemiconductor):p 채널의 MOS 트랜지스터와 n 채널의 그것을 서로 절연하여 동일 칩에

  시험자료 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.11.08

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  PVD와 CVD의 비교 및 분석

  Advanced semiconductor의 요소의 생산에 우수한 CVD에 의해 생산된 Tungsten silicon oxide, metal silicides 및 other coatings ... Diamond thin film으로 coating된 향상된 음향성질의 speaker diaphragm Plasma CVD2. ... MO CVD에 의해 증착된 Ir은 2000℃까지의 온도 범위에서 small rocket nozzle의 부식 저항성에 두드러진 향상을 나타낸다.5.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.15

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  Sputtering 방법을 통해 증착한 Cu-Ti 박막의 후 열처리 온도에 따른 Cu-Silicide 형성과 비저항의 미치는 영향과 특성 평가 실험

  즉, 2θ(47°)부근에서 silicide가 형성되었고 그로인해 비저항이 증가했다는 것을 알 수 있다. ... 실험 목표- Silicide 형성 기구 이해(kinetic, themodynamic)- 제조 방법(sputtering)의 이해- 응용 내용 이해( 반도체 metallization)2 ... 그러므로 Ti가 첨가되었을 때 비저항이 증가한 것은 silicide의 형성이 원인이 아니라 다른 원인에 의해 비저항이 증가했다는 것을 알 수 있다.

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.06.25

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  반도체공정 (Si)

  MOS device에서 gate 전극으로 사용시 텅스텐(W) 또는 Tantalum(Ta) silicide와 같은 Metal 또는 Metal silicide를 polycrystalline ... amorphous 구조이고, 625℃ 이상에서 deposition된 poly-si은 원추형구조를 보인다.- Poly-si의 단결정 구조에서는 단결정 si와 비슷한 전기적 특성을 보인다 ... 하나는 25~130㎩(0.2~1.0 Torr)의 압력하에서 100% silane을 사용하는 것이고, 다른 process는 N에서 회석된 20~30 % silane을 동일 압력하에서

  리포트 | 14페이지 | 4,000원 | 등록일 2007.01.27

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  MOSFET(모스펫)

  공정에서 질화물 (실리사이드)는 게이트 전극과 소스를 형성하는 것이고 드레인 영역은 살리사이드 ( self-aligned silicide, salicide)라고 부른다.트랜지스터가 ... MOSFET의 정의금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)는 디지털 회로와 아날로그 회로에서 ... 전압이 게이트와 몸체사이에 걸리면 채널은 사라지고 소스와 드레인 사이 전류가 흐르지 않는다.소스는 채널을 통하여 흐를 전하 운반자 (N채널에서는 전자, P채널에서는 양공)가 샘솟는( source

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.01.13

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  [공학기술]반도체증착기술

  oxide, metal silicides 및 other coatings(1)-2. ... Line에 Damage를 주어 제품 불량이 초래되어 Metal Line에영향을 주지 않을 온도의 층간 절연 막 내지 보호막 공정으로 저온에 의한 공정의 Plasma CVD 기법이 ... 있으며 이 높은 에너지를 갖는 전자들을 대개의 경우 높은 온도에서 쉽게 발생시킬 수 있기 때문에 고온 CVD가 발전 하였으나 최근에는 고온 반응으로 하여 박막이 형성 되면 하부 층의 Metal

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.07.19

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  MOS transistor

  게이트 부분은 금속(metal)-산화막(oxide)-반도체(semiconductor)의 3층으로 이루어지며, MOS는 이 세부분의 머리 글자를 딴 것이다. ... 포화 전류의 증가 방법은 silicide growth 및 epitaxial silicon growth 등이 해법으로 고려되고 있다.그림 4. ... 즉 switching time은 불확정성의 원리에 의해 t＞h/ W (＝10 femto-sec＝1×10－14 sec at 1 V)로서 device에 입력이 인가된 후 출력이 발생하는

  리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.12.09

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  [전자재료]전자 재료 실험

  Cu-silicide 형성을 위해 200℃에서 30분간 진공 열처리 실시?Ag(Cu)위에 PR을 spin coating 한다.? ... 1.6 이다., S/D metal로 비저항값이 큰 재료를 사용함으로써 낮은 이동도값을 얻을수 있다는 것을 알 수 있다. ... subthreshold swing : 0.3V/decadethreshold voltage(문턱전압) : 3.47Vmobilityc2) source/drain : Cr, gate metal

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.06.23

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