"I-V커브" 검색결과 1-20 / 208건

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  [신소재공학실험]태양전지

  광원의 거리와 입사각에 따라 달라지는 I,V를 바탕으로 I-V커브, P-V커브를 그려 광전효과의 차이를 태양전지 매개변수로 분석한다.2. 실험 이론 및 원리가. ... 그래프를 보면 FF는 태양전지의 사각형의 정도의 수치이며, I-V커브안에서 그릴 수 있는 직사각형의 최대면적이다.FF= {V _{mp} TIMES I _{mp}} over {V _{ ... 태양전지 매개변수1) 단락전류 Short-Circuit Current (I _{sc})외부 바이어스 전압이 0V일 때 태양전지를 통해 흐르는 전류이다.

  리포트 | 12페이지 | 4,500원 | 등록일 2021.03.01

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  광운대학교 2020년도 물리전자2 전범위 족보

  쇼트키 p-type 그리기 (수업에서 n 그려줌)4. 교수님이준 mos 붙여서 그리기5. p-type mos 그리기6. mosfet I-v 커브 그리기(GS DS)7. ... **mosfet p-type으로 cv커브 그리기8. 교수님이준 material 붙여 그리기(tunnel barrier)9. hetreo 정션 그리고 설명 ? ... recombination의 양부족 -> 효율 감소12. p농도에 따른 광학적 특성13. 용어정리 발광소자14. =pn 정션 접합 설명15. =일방 접합과 width 설명16.

  시험자료 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.12.18

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  실험8. 쌍극성 접합 트랜지스터 특성

  일반적으로 V(CE)가 증가하면 β = I(C)/I(B)식에서 V(CE)의 영향으로 I(C)가 증가하기 때문에 β는 증가한다.트랜지스터의 특성곡선 결정커브 트레이서를 사용하여 2N3904 ... I(B)에 대한 계단 함수로 10μA 사용하라.커브 트레이서에서 얻은 특성곡선을 그래프에 그려라특성곡선을 비교하고 차이를 설명하라.I(C)는 초반 V(CE)가 올라갈 때 증가하였다가 ... I(C)가 증가하면 β = I(C)/I(B)이기 때문에 β는 증가한다.일반적으로 V(CE)가 증가하면 β는 증가하는가 감소하는가?

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.10.01

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  유체역학1_축구 경기에서 스핀킥 야구경기에서의 스크루볼 등 모든 구기종목에서 공의 커브의 원인이 되는 마그누스 효과를 베르누이 원리

  유체의 밀도, v는 유체의 속도, g는 중력 가속도, h는 높이이다. ... McGraw-Hill Education.Chorin, A. J. (1993). Vorticity and Turbulence. Springer-Verlag.Mehta, R. ... K., Cohen, I. M., & Dowling, D. R. (2012). Fluid Mechanics. Academic Press.White, F. M. (2016).

  리포트 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.07.16

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  [경희대 A+] 실험 25. CE 증폭기와 주파수 응답 예비결과보고서

  적용- (d) ->V _{BE}가 매우 작은 것을 이용하여R _{i`n(emitter)} `=` {V _{E}} over {I _{E}} `+`r _{e}CONG {V _{B}} ... }} )V _{i`n}=`( {R _{i`n}} over {sqrt {2R _{i`n} ^{2}}} )V _{i`n}=`( {1} over {sqrt {2}} )V _{i`n}=`0.707V ... 직선 근사 커브를 사용하여 Bode 선도를 구하라.50-Hz100-Hz200-Hz400-Hz600-Hz800-Hz1-kHz2-kHz3-kHz5-kHz10-kHz529816622825026026527327527627834.30

  리포트 | 23페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.01.08

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  웨어러블 디바이스 개론 ) 웨어러블 디바이스 핵심 기술 조사 - 시중에 판매되는 웨어러블 디바이스 하나 선택하여 적용된 핵심기술(센서,출력,전원,처리 등) 조사

  또한, 삼성 SDI는 에너지의 밀도를 높일 수 있는 ‘V-벤딩’이라는 기술을 사용하였다. ... 출처I. 서론ICT 기술이 발전하면서 다양한 종류의 웨어러블 디바이스가 제작 및 판매되며 나아가 우리 생활에 큰 역할을 하기 시작했다. ... ,처리 등) 조사웨어러블 디바이스 개론(1)웨어러블 디바이스 핵심 기술 조사 ; 시중에 판매되는 웨어러블 디바이스 하나 선택하여 적용된 핵심기술(센서,출력,전원,처리 등) 조사목차I.

  리포트 | 5페이지 | 5,000원 | 등록일 2023.09.19

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  3주차_3장_예비보고서_직렬병렬다이오드구조

  (V)(V)Id (mA)R (kΩ)계산값5002.2Simulation값56.01623uV6.1623nA측정값i. 그림 3-5 회로를 구성하라. 저항 R 값을 측정하고 기록하라. ... 만약 다이오드 검사 기능이나 커브 트레이서를 사용할 수 없다면 Si = 0.7V , Ge = 0.3V로 가정한다.직렬 구조각 회로마다 디지털 멀티미터를 사용하여 다이오드 문턱 전압을 ... 그림 3-8의 회로를 구성하라. 저항 값을 측정하고 기록하라.h. 순서 1 에서 측정한 Si과 Ge 다이오드의 문턱전압을 이용하여 Vo와 VR의 이론적인 값을 계산하라.i.

  리포트 | 18페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.11.30

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  전기전자공학실험-JFET 특성

  도달하면V _{DS}가 증가하더라도I _{D}는 일정하게 유지-V _{DS}가V _{Th}에 도달하면 항복영역 발생-0mA LEQ I _{D} LEQ I _{DSS}ㆍI _{D} ... V _{GS}의 범위0V SIM V _{P}ㆍSoruce(S)와 Drain(D) 사이의 바이어스-I _{D}에서I _{S}방향으로 전류가 흐르도록V _{DS}인가- 최대I _{D}에 ... -V _{GS}가 음의 값으로 커질수록 공핍영역이 더 커지므로 최대I _{D}에 일찍 도달-V _{GS}가 이미V _{DS}보다 크다면V _{DS}를 걸어주어도I _{D} =0A -

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.14

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  확률및 랜덤 프로세스 Random noise 분석 및 analysis 프로젝트 ( A+ 퀄리티 보장 )

  1에서E(X _{i} )=0,V(X _{i} )=2 임을 알 수있다.잡음 특성을 평가하기 위해 그래프를 다시한번 살펴보자. ... 1.5인 가우시안 노이즈의 합이다.구형파의 평균은 0, 분산은 1이고 가우시안의 평균 0, 분산 1.5이다.따라서E(X _{i} )=0,V(X _{i} )=2.5이다.마찬가지로 signal ... `+X _{300} )`times {1} over {300}이라고 해보자.관측은 랜덤변수X _{i} (i=1,2,`...`,`300)들의 합이다.그런데, 각X _{i}는 구형파와 분산이

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.11.13 | 수정일 2020.11.17

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  전자회로실험 예비보고서 - BJT의 동작 대신호, 소신호 동작 ( A+ 퀄리티 보장 )

  이를 수식 (5-1)의 컬렉터 전류식에 반영하면, 컬렉터 전압V _{CE}와 얼리 전압V _{A}를 포함하는, 다음과 같은 수식으로 수정되어야 한다.I _{C} =I _{S} exp ... 또한, 가장 우측에 빨간색의 급격하게 상승하는 커브는 impact ionization을 표현한 커브다. reverse가 증가하게 되면서, carrier들이 가지는 에너지가 충분히 커져서 ... {r_ pi}={V_T over I_C}8.과정 5에서 얻은 그림 5-7과 표 5-1을 바탕으로, 그림 5-4를 참고하여 얼리 전압 VA를 구하고, 얼리 효과에 의한 소신호 모델의

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.12.03

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  [전자회로실험] 쌍극성 접합 트랜지스터 특성 예비보고서(A+)

  (그림 8-2). ... )V _{RB} `=`9.9V`,`I _{B} `=`30 muA4)V _{RB} `=`13.2V`,`I _{B} `=`40 muA5)V _{RB} `=`16.5V`,`I _{B} ` ... 되도록 하는 V1, V2의 값을 찾을 수 있다.1)V _{RB} `=`3.3V`,`I _{B} `=`10 muA`2)V _{RB} `=`6.6V`,`I _{B} `=`20 muA3

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.12.13

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  전기전자공학실험-공통 이미터 증폭기의 주파수 응답

  -0.7V=3.32V V _{E} `(계산값) = 3.32VV _{C} =V _{CC} -I _{C} `R _{C} =20V-1.5`mA TIMES 3.87`k OMEGA =14.2V ... 직선 근사 커브를 사용하여 Bode 선도를 구하라.b. ... V _{C} `(계산값) = 14.2VI _{E} ` CONG I _{C} = {V _{E}} over {R _{E}} = {3.32V} over {2.21k ohm } =1.MES

  리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.02.14

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  청운대학교 인천캠퍼스 IT기술의 이해와 동향 한도 금액에 따른 PC 세팅 과제

  ) 234,000 3.0GHz 헥사 (6) 코어 일반 사무 인텔코어 i5-8 세대 8600 ( 커피레이크 ) 264,500 3.1GHz 헥사 (6) 코어 게임 매니아 인텔코어 i7- ... 원 [ ] 153 만원 한도 금액에 따른 PC 세팅 제품명 가격 CPU 인텔코어 i5-8 세대 8600 ( 커피레이크 ) 264,450 원 RAM DDR4 8G PC4-19200 ... iBORA 100,430 5 페이즈 소켓 1151v2 2 개 최대 32GB 일반 사무 B360M-A iBORA 120,300 5 페이즈 소켓 1151v2 4 개 최대 64GB 게임

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.07.18

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  전자회로실험2_25장_공통 이미터 증폭기의 주파수 응답

  측정한 베타값으로 빈칸을 채워라.-> 커브트레이서가 존재하지 않아 생략하였습니다. ... 저주파 응답 측정(a) 그림 25-1의 회로를 구성하라. 필요한 경우 그림 25-1의 여백에 저항의 실제값을 기록하라. VCC = 20V로 조정하라. ... 트랜지스터 특성 데이터를 사용하여 다음 값들을 기록하라.Cbe(사양값) = 18pFCbc(사양값) = 4pFCce(사양값) = (알수없다.)결선 커패시턴스 대표값을 써 넣어라.Cw,i(

  리포트 | 10페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.11.30

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  전자회로실험 제11판 예비보고서 실험25(공통 이미터 증폭기 주파수 응답)

  베타(beta)를 측정하는 게기인 커브 트레이스(cA +10k OMEGA } TIMES 20V`=`4.082VV _{E} `=`V _{B} ``-`V _{BE} ``=`4.082`- ... `0.7V`=`3.382VV _{C} ``=`V _{C} ``-`I _{C} TIMES R _{C} ``=20V`-``1.537mA TIMES 3.9k OMEGA ``=`14.005VI ... 직선 근사 커브를 사용하여 Bode Plot을 구하라.b.

  리포트 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.03.19

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  한국조폐공사 전기직 최종합격 자기소개서

  목표는 실제 제작된 MOSFET 의 채널 길이, I-V, C-V 커브를 보고 Ideal 한 경우와 차이가 나는 이유를 분석하는 것이었습니다. ... 프로젝트에서 I-V 그래프를 보면 Saturation 구간에서 Vg 의 증가에 따라서 이상적으로 Id 값이 (Vg-Vt)의 제곱 값 만큼 증가하지 않고, 일정하게 비례 증가하는 것을

  자기소개서 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.08.23

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  [정보통신망 A형 4학년] 자율주행 자동차에 관하여 조사하고 자율주행 자동차를 위해 활용될 수 있는 정보통신 기술에 관하여 서술하시오

  에서는 차량의 OBU(On-Board Unit)의 제한된 통신 범위 때문에 V2I통신은 RSU에 도달할 수 있는 영진다. ... WAVE② C-V2X4) C-ITS5) Web server-client configuration3. ... RSU는 V2I 연결을 인근 차량에 제공하는차량 네트워크의 통신 장치다.

  방송통신대 | 11페이지 | 6,000원 | 등록일 2022.03.26

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  전자회로실험 예비보고서 - 소스 공통 증폭기 ( A+ 퀄리티 보장 )

  각 곡선을 식별하도록 번호를 붙인다.주) 교정된 커브 트레이서를 사용하면 과정 1~6은 자동적으로 수행되어 표 10-1에 주어진 전압값에 대한I_D~V_DS 특성 곡선을 얻을 수 있다 ... 커브 트레이서의 스크린에 나타난 특성 곡선으로부터I_D의 값을 구할 수 있다.소스 공통 증폭기7. ... .4.V_GS를 -0.7V로 감소시키고, 표 10-1에 주어진 각각의V_DS에 대해I_D를 측정, 기록한다.5.

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.12.03

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  전자회로실험 예비보고서 - BJT 의 특성 ( A+ 퀄리티 보장 )

  )} 이다.4.실험 부품 및 장비- 전원 : 2개의 가변 직류 정전압원- 장비 : 다중 측정 범위를 갖는 마이크로 밀리 전류계(또는 20,000Ω/V VOM 2대), DVM, 커브 ... (c)다음 두 베이스 전류의 차이는 커브 트레이서의 눈금으로부터 ΔIB=IB3-IB2=10μA 이다.5. ... SWEEP 하자V _{CE} =6V` 일때I _{C} =8.5268mA이때 R_SET2=101.25E-3다시 반복하자R_SET2= 326.582E-3 이 된다.R_SET 1 = 101.25E

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.12.03

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  전자회로실험 제11판 예비보고서 실험5(클리퍼 회로)

  -v _{i} `+`V`+`v _{o} `=`0``,``v _{o} `=`v _{i} `-`V`3. 입력 신호를 출력 위에 그리고 입력의 순간 값에 대한 출력을 결정한다. ... 그림 5-4의 수평축을 Vo =0 V로 보고, 순서 2(f)와 2(g)의 결과를 이용하여 예측되는 Vo 파형을 그려라. 순서 2(d)에 제공된 감도를 사용하라.I. ... 만약 다이오드 점검 기능 또는 커브 트레이서를 사용할 수 없다면 Si에 대해서는 Vt= 0.7V, Ge에 대해서는 Vt= 0.3 V로 가정하라.2. 병렬 클리퍼a.

  리포트 | 16페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.03.19

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