"HfO2" 검색결과 1-20 / 135건

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  내부 광전자방출 분광법을 이용한 Pt/HfO2/p-Si Metal-Insulator-Semiconductor 커패시터의 쇼트키 배리어 분석

  한국재료학회 이상연, 서형탁

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.04.05

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  원자층 증착법으로 성장한 HfO2 박막의 제조

  한국재료학회 김희철, 김민완, 김형수, 김혁종, 손우근, 정봉교, 김석환, 이상우, 최병호

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  ALD법으로 성장한 HfO2 박막의 열처리에 따른 특성변화

  한국재료학회 이재웅, 함문호, 맹완주, 김형준, 명재민

  논문 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  Density Functional Theory를 이용한 CaO 안정화 Cubic-HfO2의 산소 공공 구조 연구

  한국재료학회 김종훈, 김대희, 이병언, 황진하, 김영철

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  ZnS:Cu,Cl 형광체의 특성에 미치는 원자층 증착 초박막 HfO2의 영향

  한국재료학회 김민완, 한상도, 김형수, 김혁종, 김휴석, 김석환, 이상우, 최병호

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  Proximity-Scan ALD (PS-ALD) 에 의한 Al2O3와 HfO2 박막증착 기술 및 박막의 전기적 특성

  한국재료학회 권용수, 이미영, 오재응

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  HfO2 /HfSixOyNz gate oxide ALD 리포트

  We selected HfO2 as the high-k gate dielectric because HfO2 has been considered one of the most promising ... ,HfO2 film의 경우 annealing 온도가올라감에 따라 EOT가 큰 기울기를 가지고 증가함을 알 수 있다.10 cycles, 40cycles HfSixOyNz ,HfO2 ... .10 cycles, 40cycles HfSixOyNz ,HfO2 film의 경우 HfSixOyNz peak와HfO2 peak가 증가했음을 알 수 있다.5 cycles, 45cycles

  리포트 | 20페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.09.03

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  Dielectric materials (유전체 재료들)

  t ↓ A ↑ ε r ↑ Ex) Ta 2 O 5 , Al 2 O 3 , HfO 2 , ( Ba,Sr )TiO 3 High-K materials !! ... High-k (HfO 2 , HfSiO , HfSiO n , etc ) Low leakage current, Low EOT(Equivalent Oxide Thickness) Poor ... + 2H 2 H 2 O vapor generator Fast Radical oxidation Use H 2 , O 2 Primary reaction ; (1) H 2 + O 2 →

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.01.26

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  High-k report

  , HfO2, ZrO2와 같은 material이 연구되었다. ... Transistor의 문제는 뒤에서 다루기로 한다.Fig.1 Major advancement in DRAM cell innovation초기에 이용되었던 SiO2에서 HfO2, Ta2O5 ... HfO2, ZrO2는 90년대 후반에 주목받았고, Si보다 thermal stability를 가졌다.Poly Si gate와 접촉에 있어서 thermal stability issues가

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.02.21

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  인하대학교 나노집적반도체소자 MOSCAPACITOR 설계 및 분석

  21.107V, VT는 22.117V로 나타났습니다.2) TiN/SiO2/HfO2/p-type Si의 경우에서 동일하게 진행해보겠습니다.동일 위치에(Si-substrate로부터 HfO2방향으로 ... /SiO2/p-Si과 TiN/SiO2/HfO2/p-Si stack별 +0.0001C/cm2와 -0.00001C/cm2의 내부 oxide charge에 대한 VT(V), VFB(V)변화이에 ... 반대로, effectiviN/HfO2/SiO2/p-type Si의 경우에서 Si으로부터 SiO2방향으로 0.25nm 떨어진 곳에 +0.0001C/cm2 oxide charge가 생성된

  리포트 | 50페이지 | 5,000원 | 등록일 2024.01.07 | 수정일 2024.06.12

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  반도체공정 Report-3

  HfO2에 의한 연구는 주로 TiN 전극의 이용에 초점이 맞추어 진행되고 있으며 HfO2 단일막 또는 HfO2와 Al2O3의 적층구조에 대한 연구가 주로 이루어지고 있다. ... 또한 HfO2의 경우 산과 염기에 대하여 강하다. 이러한 여러 장점들로 인하여 SiO2를 대체해 gate oxide로 HfO2가 쓰인다. ... 그 중 가장 대표적으로 oxide층에 SiO2 대신 HfO2가 쓰이는데 HfO2는 Si에 비하여 큰 band gap을 가지며, 온도에 대한 안정성도 뛰어나다.

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.04.11

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  RDS(호흡곤란증후군), 문헌고찰, 간호과정(2개)

  :0055/33142HFO1002020-02-0102:0061/42141HFO9911:0067/431466310017:0057/39128629623:0046/31137652020-02 ... :0059/3912413:0066/3712410020:0055/33142HFO36.71002020-02-0102:0061/42141HFO36.89911:0067/431466336.610017 ... 연구의 필요성2.

  리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.12.15

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  전자재료 보고서

  최신에는 HfO2, HFOxNy와 같은 High-K 게이트 유전체가 주목받고 있다.* LOW-K 유전체 개발 현황: Interconnect 부분에는 Low-K 유전체를 사용하여 RC ... 최신 삼성에서는 Air gap 공정을 이용하여 유전율=1인 Air를 사용하여 유전율 낮췄고 그래핀 소재를 이용한 2차원 소재의 반도체를 개발중이다. ... 반도체 구성 물질의 물성을 이해하고 high k 물질 및 low k 물질, graphene 등의 물질을 이용하여 반도체 성능향상 도모키워드* High-K 유전체 개발 현황: SiO2의

  리포트 | 1페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.06.22

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  nicu신생아중환자실에서 사용되는 기구들

  ECMO2. C-PAP3. HFO(High Frequency Oscillation)4. NO(Nitric Oxide)5. 보육기(Incubator)6. ... HFO를 제공받는 영아들은 과팽창 또는 저팽창을 확인하기 위해 x-ray 체크가 필요하다.4. ... C-PAP공기주입로를 안정화하고 폐포를 회복시킴으로써 PaO2를 향상시킨다. CO2 정체는 아마도 과도한 CPAP으로 인한 결과일 것이다.

  리포트 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.03.17

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  Post annealing effect of BaTiO3-based MIM capacitors for high capacitance 실험 레포트

  한 여러 High-k 물질이 적용된 MIM 캐패시터의 일반적인 특징이나 신뢰성에 대한 연구가 활발히 진행되어지고 있으며, SHS (SiO2/HfO2/SiO2)나 AHA(Al2O3/HfO2 ... 따라서 Ta2O5 (tantalumoxide), Al2O3 (alumina) 또는 HfO2 (hafnium oxide)등의 High-k 물질들이 MIM 캐패시터에 많이 사용 되어지고 ... /Al2O3)의 적층 구조들이 역시 최근 보고되었다.

  리포트 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.11.08

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  고려대학교 일반대학원 반도체공학과 연구계획서

  입자 크기에 대한 레일리 분포 연구, 이중 패터닝 대 단일 패터닝이 임계 전압에 미치는 영향 연구, HfO 2 또는 SiO 2 트렌치 절연을 사용하는 세그먼트 채널 MOSFET의 설계 ... 바이모달 신경 프로브 연구, 나노시트 FET를 사용한 표준 CMOS에 대한 CFET(Complementary FET)에 대한 성능 분석 연구, 상부 전극 금속의 산소 친화도에 의한 HfO2 ... 임계값 Steep-Slope 2D Atomic Threshold Switching Field-Effect Transistor를 위한 전압 변조 기술 연구, 2차원 환원 그래핀 산화물을

  자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.04.05

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  한양대학교 일반대학원 물리학과 학업계획서

  자기층 두께에 따른 컨덕턴스의 의존성 연구, 완전 통합된 가시 마이크로LED와 플라즈몬 나노물질을 기반으로 한 나노와트 수준의 광활성 가스 센서 연구 등을 하고 싶습니다.저는 또한 HfO2 ... 제가 수강한 물리학과 과목은 고전역학1,2, 전자기학1,2, 입자물리학, 양자물리학1,2, 물리광학, 열및통계역학1,2, 현대물리학, 광학실험, 반도체물리학 등이었습니다. ... 저는 그만큼 학부 때부터 물리학과 대학원으로 진학할 것을 생각하고 있었고 졸업학점도 전체 O.O일 정도로 좋았습니다.2.

  자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.10.02

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  성균관대학교 일반대학원 전자전기공학부 학업계획서

  테스트 애플리케이션을 위한 비용 효율적이고 컴팩트한 완전 디지털 듀얼 루프 지터 감쇠기 연구, 서포트 벡터 머신 및 페어링 플롯 방식을 사용한 가연성 가스 분류 모델링 연구, Pt/HfO2 ... 채널 다중 수신기 음원 위치 파악 시스템 연구, 폐루프 응답 분석을 기반으로 한 다중 루프 광전자 발진기의 스퓨리어스 톤 억제에 대한 이론적 성능 평가 연구 등에 관심이 있습니다.2.

  자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.09.16

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  고려대학교 일반대학원 신소재공학부 연구계획서

  용접기의 용접가이드장치 및 맞대기용접의 용접방법 연구, 효율적이고 대면적 발광 다이오드를 위한 콜로이드 페로브스카이트 나노결정 및 장치 엔지니어링 연구 등을 하고 싶습니다.저는 또한 HfO2 ... ZnO 코어-쉘 나노구조 전극의 합성 연구, [(CeO2)1-x(ZrO2) x]0.8(SmO1.5) 0.2 고체용액의 전기전도도 연구, 제강분진의 재활용과정 중에서 발생된 Clinker의 ... 적층 및 분리가능한 바스구조를 가진 여행용 가방 및 수하물 캐리어 연구, Wrinkle-Free를 향한 손쉬운 접근” transfer of 2D-MoS2 film via 친수성 Si3N4

  자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.09.28

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  카이스트(한국과학기술원) KAIST 일반대학원 전기 및 전자공학부 자기소개서 연구계획서

  해나갔다고 생각을 합니다.저는 카이스트 대학원 전기 및 전자공학부 연구실에 진학을 한 다음에 산란구조가 내장된 DMD 기반 투명복합전극을 이용한 OLED의 광추출 효율 향상 연구, HfO2 ... /WS2 이중층 필름의 잠재력 공개: 고급 메모리 및 뉴로모픽 컴퓨팅을 위한 강력한 아날로그 스위칭 및 시냅스 에뮬레이션 연구, 전자설계자동화 기술과 차세대 지능형반도체 소자 및 회로

  자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2024.08.10

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