"GaAs시료" 검색결과 1-20 / 89건

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  파장에 따른 si와 GaAs시료의 반사용 투과율 흡광 거동 측정 Optical Spectroscopy 결과레포트

  한편 식(3) 에 의행 흡광 계슈를 정확히 계산하기 위해서는 GaAs 와 Si 의 반사율의 정확한 측정이 필수적이다. ... 또 금의 경우 반사율이 크기 때문에 시료 뒷면에서 되돌아 나오는 빛도 무시할 수 있다. ... 즉, 이러한 데이터 간 불일치는 반사율 측정을 위해 광다이오드의 위치를 바꿀 때 시료와 다이오드, 렌즈 간의 거리가 reference 값을 측정할 때와 달라졌기 때문으로 추정된다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.03.26

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  반도체 - 단결정 성장 방법

  있다.상단에 도가니의 정확한 온도 모니터링을위한 TC 부착이있는 φ42mm 알루미나 샘플 풀링 스테이지 및 즉각적인 온도 플롯 생성전기식 높은 도가니 스테이지는 자동으로 편리한 시료 ... 쉽게 산화되므로 5% HNO3과 5% HCl로 산화피막을 제거한 후, 탄소 코팅한 석영관 속에 Cd(5N)과 Te(6N)을 Mn과 조성비에 따라 혼합하여 전체 질량이 6g정도인 시료를 ... 하부 반응기에서, GaAs 나노 와이어에 포함 된 InAs 양자점은 미래의 단일 광자 방출을 위해 생성된다.MOVPE 사례GaAs 나노 와이어는 SiO 2 내에서 금속-유기 증기 상

  리포트 | 17페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.01.28

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  집적회로 소자 공정, 반도체 소자 제작 공정 실험 예비보고서

  즉 Ge, Si, metal과 같이 probe와 ohmic contact을 형성해야 하며, GaAs와 같은 재질은 doping되어 있지 않거나 전용 GaAs probe를 사용하지 않으면 ... [Ω/sq]Resistivity는 시료의 두께(t)를 곱하여 구한다.[Ω*cm]여기서 비례상수 로 정의되며 S는 tip간의 간격, D는 시료의 size이다. ... 표면에 접촉시켜 저항을 측정한 후 간격에 대한 시료의 크기 및 두께 correction factor를 적용하여 sheet resistance[Ω/sq]을 계산하고, 시료의 두께를

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.09.25

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  결정격자,4pp 예비레프트

  대표적인 결정은 GaAs이다.Diamind구조와 Zinc blende구조는 서로 동일하지만, 이루고 있는 원자에 따라 다른 구조로 분류한다. ... 실험이론1) 4-point probe (4PP)의 원리와 이론4pp방법은 동일선상에 놓인 4개의 핀을 시료에 접촉시켜 안쪽의 두 점과 바깥쪽의 두 점 사이의 전류를 측정한다. ... 전류와 전압을 측정하여 저항을 구한 뒤 면저항 단위 ohm/sq로 계산하기 위해 보정계수를 적용한다.보정계수보정계수는 시료의 크기와 박막의 두께, 측정시의 온도까지 총 3가지의 변수의

  리포트 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.09.23

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  광촉매 이용 반응속도 상수 측정

  life t1/2 = [A]0/2k t1/2 = 0.693/k t1/2 = 1/(k[A]0) 광촉매 물질로는 TiO2, ZnO2, ZnO, SrTiO3, CdS, GaP, InP, GaAs ... 자외선 조사후 10분 간격으로 시료를 1.5ml 분취하며 이를 60분동안 진행한다. ? 분취한 시료를 10min, 10000rpm으로 원심분리. ... 이 실험의 경우 첫번째 시료, 즉 자외선을 조사하지 않은 methylene blue 용액의 농도를 알고 있으므로 이 시료를 통해 흡광계수를 구하도록 한다.

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.11.08 | 수정일 2024.07.16

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  [신소재공학실험]Micro-Raman

  그 외의 실리콘에서 Raman 분석법 응용 예로는 GaAs과 같이 실리콘에서도 결정 방위의 해석을 할 수 있다. ... 즉, 측정하고자 하는 시료의 상태가 고체, 액체, 기체임에 상관없이 측정 가능하고, 높고 낮은 온도, 높은 압력, 전기장 등 다양한 환경에서 시료가 어떻게 반응하는가를 연구할 수 있다 ... 또한 빛을 쪼여서 산란된 빛을 분석하는 방법이기 때문에 시료에 닿지 않고 시료를 파괴하지 않는 비파괴적인 실험방법이다.Fig. 3 micro-Raman기기의 개략도Fig.3 은 micro-Raman

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2019.12.08 | 수정일 2020.08.13

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  삼성전자 파운드리사업부 공정기술 합격 자소서

  정확한 실험 결과를 얻기 위해서 여러 ITO 기판을 동일한 크기로 자르고 시료의 무게, DI Water 양 등을 정확히계량하기 위해 노력했습니다. ... “삼성전자의 도전 정신이 투영된 분석 인턴”삼성전자는 반도체 시장의 불황 속에서 GAA 3나노 공정의 테스트 웨이퍼 투입을 늘려 기술력을 강화해 60% 이상의 수율 확보에 성공했습니다

  자기소개서 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.03.06 | 수정일 2024.03.08

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  CNT 이론적 배경 및 물성

  주로 반응기에 주입된 기체들이 가열된 기판 위에서 화학반응을 통해 박막을 형성하는 공정으로 반도체(Si, GaAs, SiC), 절연막(SiO2, Si3N4), 금속박막(W, AI), ... 주사전자현미경주사전자 현미경은 시료의 표면을 1-100nm의 미세한 전자선으로 x-y 방향으로 주사하여 시료의 상호작용에 의해 발생하는 2차전자, 반사전자(backscattered ... electron), X선 등의 신호를 검출하여 음극선관에 확대화상을 표시하여 시료의 형태, 미세구조의 관찰이나 구성원소의 분포, 정성, 정량 등의 분석이 가능한 장비이다.

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.06.10

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  삼성전자 DS 글로벌인프라총괄 평가및분석 합격자소서

  삼성전자는 지금까지 늘 신공정, 설비 도입으로 시장을 선도해 왔듯이, 현재 5나노 제품을 양산 중이고 세계최초로 GAA를 적용한 양산을 계획하고 있습니다. ... 고민을 하던 중 LC-RID는 시료가 흡광이 없어도 분석할 수 있다는 사실을 떠올린 뒤 LC-RID로 분석법을 만들었습니다. ... 장비를 사용해야 하는 분석 업무 특성상 재택 근무가 불가능한데, 업장 폐쇄로 의뢰받은 시료에 대한 분석이 적시에 이루어지지 않아 의사결정이 늦어지면 생산 및 개발에 문제가 발생할 수

  자기소개서 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.01.03

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  신소재프로젝트1 광전자분반 결과보고서

  GaAs, InP 등의 많은 화합물 반도체가 이 구조를 가지 고 있다.바) 단위정 내에 그려진 Miller 면 지수의 분류육방 결정계 이외의 모든 결정계에서는 (h`k`l)의 밀러지수 ... 시료의 크기와 측정위치에 따라 측정의 번거로움이 수반 된다. ... 4-point probe 방식 은 매우 고가이고 단일 방식에서 탐침 간격에 대한 시료의 크기나 두께에 대해 보정계수 를 적용하여 측정해야 한다.

  리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.05.01

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  [과 수석, 평점 4.5 자료 인증사진 첨부] 광촉매 이용 반응속도 상수 측정

  측정한 흡광도와 캘리브레이션 커브를 이용 각각 시료의 메틸렌블루 농도를 구한다.4. ... 이 과정을 통해 구한 미지 시료의 농도를 이용하여 반응속도 상수와 반응 차수를 구하는 방법을 익힌다.2. ... Introduction광촉매 물질로는 TiO2, ZnO2, ZnO, SrTiO3, CdS, GaP, InP, GaAs, BaTiO3, KNbO3, Fe2O3, Ta2O5, WO3,

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.05.11

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  박막형 Ⅲ-Ⅴ족 태양전지 주요공정 및 실습 리포트

  3단계 : EPITAXIAL LIFT OFF(ELO) 단계[ELO 공정 후 GaAs Wafer 상태][ELO 공정 순서][ELO 공정 후 시료]1. ... 트리메틸 갈륨 등의 유기금속 원료가스를 GaAs 기판상에 흘려GaAlAa와 GaAs의 에피턱셜 성장에 사용하고 있다. ... AlAs Layer(희생층)을 HF로 제거하는 공정1) HF의 선택적 Etching 원리 이용-10 ^{7} : 1 = AlAs : GaAs2) GaAs Substrate 재사용 가능

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2018.08.06

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  3-5족 박막형 태양전지 제조공정 및 실습결과

  ) * GaAs substrate 재사용 가능 ( 비용 절감 ) [ELO 공정 후 시료 ] 좀더 빠르고 양질의 ELO process 개선에 노력필요 * 개선된 ELO process ... 등 역성장 * AlAs ( 희생층 ) 과 Wafer 또는 Active layer 사이 존재 * HF 로 부터 Wafer(GaAs substrate) 보호 역할 Protection ... Solar Cells and Enabling Substrate Reuse(2012) [Invert Growth 구조 1] GaAs Substrate 위에 AlAs , epi layer

  리포트 | 17페이지 | 3,000원 | 등록일 2017.09.15

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  방사선사 국가고시 방사선 계측학 중요 point

  전하운반자의 수의 통계적 편차- 전하수접효율의 변동- 전자회로의 잡음 등기타 반도체 검출기GaAs, CdTe, HgI₂ 의 검출기 ? ... 시료 측정감마선 및 베타선 방출제가 많기 때문에 감마선 소형시료 측정용으로서 well counter와 베타선 시료 측정용1) 우물형 신틸레이션 계수관우물형의 구멍은 신틸레이터 결정의 ... 시료의 용량이 커짐에 따라서 같은 농도의 시료라도 측정중심이 위쪽으로이동하기 때문에 계수효율이 나쁘게 되어 단위용적당 계수율은 점차 감소- 대향형 ?

  시험자료 | 12페이지 | 4,000원 | 등록일 2018.09.30 | 수정일 2018.10.05

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  CVD method를 통한 ZnO NWs synthesis 예비보고서[1].

  C2H4 ⇒ AC + HX2SiH4 + C2H4 → 2SiC + 6H2⑥ 합성 반응 (Synthesis Reaction).AX + H2O ⇒ AO + HX(CH)3Ga + AsH3 → GaAs ... 시료의제약을 덜 받으며, 시료의 표면을 관찰할 때 많이 사용한다.○특징?고해상도의 분해능 1~2nm.? 초점심도가 깊다.? 사용배율의 범위가 넓다.?분석 소요시간이 짧다.? ... 금속 등의 도체, IC, 산화물등의 반도체, 고분자 재료나 세라믹등의 절연물의 고체,분말, 박막시료.?

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2015.07.26 | 수정일 2022.09.02

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  LPE, VPE, MBE 장비

  표면 연구의 과정에서 고체 표면에서의 흡착, 퇴적 혹은 표면과의 화학반응 등의 현상에 대해서도 연구가 진행되어 분자선 에피택시라는 결정성장법이 개발되었다.한편 금속 혹은 반도체 시료를 ... 예를 들어 GaAs 용융점은 1238℃이나 금속 Ga와 GaAs의 혼합물은 상당히 낮은 용융점을 갖는다. ... 단결정의 GaAs 층을 시드 결정 위에 성장시키는 것이다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.04.12

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  반도체공정실험 예비보고서(Metal deposition)

  시료의 두께 보정계수, F _{sp}: pin 간격에 따른 보정계수, F(T): 온도 보정계수) ... 많이 쓰이는 산화물 반도체나 GaAs 등을 증착시킬 때의 PVD 방법들은 그 화합물들을 우선 소결하거나 녹여서 고체상태의 target으로 제조해서 열이나 전자빔으로 휘발시켜서 기판에 ... (k _{a} =`F(d) TIMES F(t/s) TIMES F _{sp} TIMES F(T), F(d): pin 간격에 대한 시료의 크기 보정계수, F(t/s): pin 간격에 대한

  리포트 | 3페이지 | 5,000원 | 등록일 2014.09.23 | 수정일 2021.04.11

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  MOCVD

  이 결과를 통해서 GaN이 고르게 성장되지 않았음을 알 수 있다.① 산업표준고려 : 일반적으로 GaN 반도체를 성장하기 위하여 사파이어, SiC, Si, GaAs 기판 등이 주요 사용되는데 ... 유량이 기판 위를 옆으로 흘러가는 과정에서 균일하게 성장이 안됨 ~ 위치 별로 다르게 보임1) 이론 ☞ 전자선이 시료면 위를 주사할 때 시료에서 발생되는 여러 가지 신호 중 그 발생확률이 ... 가장 많은 이차전자 또는 반사전자를 검출하는 것으로 대상 시료를 관찰하는 현미경표면의 균일성장, 결함을 미시적으로 관찰2) 실험결과 및 분석* 동그랗게 뭉친 형태 : 유량비가 너무

  리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.07.02 | 수정일 2023.03.30

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  가속수명시험모형

  고장발생을 촉진시키지는 않으나 시험시간을 줄인다는 점에서 시험가속의 한 형태로고려할 joints피로 수명, 크립, 크립-균열, 크랙, 마모, 부식, 산화,녹기계적 스트레스, 온도, 시료의 ... , 습도, 태양광선(파장, 밀도), 기계적 부하콘크리트/시멘트28일 후의 강도여러 시간 동안의 고온(2) 제 품표 1.3 제품의 성능과 가속 스트레스재 료성 능가속 스트레스반도체(GaAs

  리포트 | 50페이지 | 2,500원 | 등록일 2016.12.07

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  자기력측정

  홀효과(Hall effect) 방법금속이나 반도체의 양단에 전류를 흘리고 이에 수직되게 자장을 인가하면 전자나 정공 (리고 GaAs 등이 응용되고 있다. ... thermal relaxation)에 의한 자기분극의 효율이 광펌핑 원자 자기공명보다 작고, 전자석으로 자장을 발생할 경우 40 mT 이하에서는 공명신호를 탐지하기가 어렵기 때문에 시료를

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.12.22 | 수정일 2017.03.13

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