"FinFET 공정" 검색결과 1-20 / 59건

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  레포트&삼성전자반도체공정기술PT면접_FinFET과GAAFET비교

  구조 3차원 구조 모든 면이 게이트 전극으로 둘러싸인 구조 성능 우수 FinFET보다 훨씬 우수 제조 난이도 중간 높음 응용 분야 10nm 이하 공정 7nm 이하 공정FinFET의 ... 둘러싸는 구조를 가집니다. 2 우수한 전기적 특성 FinFET보다 더 뛰어난 전기적 특성을 보여 성능이 향상됩니다. 3 7nm 이하 공정 적합 7nm 이하의 미세 공정에서 FinFET을 ... 공정에서 GAAFET의 도입이 확대될 것으로 예상되며, FinFET은 성숙한 공정에서 계속 사용될 것입니다. 3 장기 전망 GAAFET 기술의 지속적인 개선으로 제조 난이도가 낮아지고

  자기소개서 | 8페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.06.23

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  인하대학교 집적회로공정(전자공학과) FINFET레포트

  SOI FinFET 공정방법과 비교 및 논의Bulk FinFET과 SOI FinFET의 공정과정은 둘다 식각공정과 노광공정을 통해 반도체 물질을 식각하여 Fin을 형성하고 gate ... Bulk FinFET의 공정과정에서는 fin을 먼저 만들고 Source, Drain영역을 형성하기 위한 추가적인 공정이 필요하지만 SOI FinFET공정과정에서는 Fin을 식각할 때 ... 그러나 Bulk FinFET과 SOI FinFET의 공정과정에서 가장 큰 차이는 기판의 차이이다. 이로 인해 공정방법에서 차이가 발생한다.

  리포트 | 5페이지 | 4,900원 | 등록일 2021.09.26

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  반도체소재공정(Si IC/p-n diode/bipolar transistor/MESFET/MOSFET/FinFET/GAAFET)

  개발되었는데 이를 핀펫(FinFET)이라고 한다. ... 이 실리콘 산화막은 반도체 소자 및 공정에서 아주유용하게 사용되는 재료이다. ... FinFET은?Fin(상어 지느러미) + FET(Field Effect Transistor)의 합성어로?

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.03.26

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  GAAFET발표자료(대본포함),게이트올어라운드,(삼성전자,TSMC,숏채널효과,High-k,FinFET,공정방식,개발동향,시장동향)

  GAA 공정 비용문제와 관련해서 기존의 공정들을 얼마나 그대로 가져다 쓸 수 있는지에 따라 설계비용이 크게 좌우됨  직전 공정 (FinFET) 의 호환성이 상당히 높음 FEOL ... vs GAAFET FinFET (Fin Field Effect Transistor) Limitations of FinFET 미세화 공정에 따라 핀의 형태가 얇고 높아짐에 따라 고 ... 공정방식18 GAAFET 공정방식 Schematic Diagram of GAAFET Fabrication 1.

  리포트 | 33페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.12.03 | 수정일 2022.12.14

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  파운드리 산업과 미래에 대해서

  FinFET 공정과 GAA공정6. 파운드리 산업 전망 및 중요성1. 파운드리의 개념그림 2. 세계 주요 펩리스 회사 로고그림 1. ... 하지만, 삼성전자는 TSMC를 따라잡기 위한 첨단 미세 공정 개발에 착수하고 있으며 세계 최초로 GAA공법을 통한 3nm 미세 공정 개발에 성공하여 TSMC와의 벽을 점차 좁히고 있는 ... 현재 삼성전자는 2030년, 파운드리 세계 1위를 목표로 세우고 첨단 미세 공정 개발, EUV라인 증설, R&D 확대 및 적극적인 투자를 지속하고 있는 상황이다.3.

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.07.23

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  파운드리 산업과 전망

  FinFET 공정과 GAA공정6. 파운드리 산업 전망 및 중요성1. 파운드리의 개념그림 1. ... FinFET 공정과 GAA공정1) FinFETㆍFin(상어 지느러미) + FET(Field Effect Transistor)ㆍ입체적으로 튀어나온 채널의 모양이 상어 지느러미처럼 생겼다는 ... 쓰는 핀펫(FinFET)의 각형 구조- 모든 면이 게이트가 될 수 있도록 원형 구조로의 변화 추구

  리포트 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.07.23

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  삼성전자와 TSMC의 비교

  FinFET 공정과 GAA 공정6. 파운드리 산업 전망1. ... FinFET을 이용한 공정에서는 상어 지느러미 모양의 3D 공정이 적용된다. ... 반면, GAA공정은 FinFET 공정보다 앞선 기술로 GAA는 Gate All Around의 약자이다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.07.23

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  [레포트] 반도체 공정 및 응용 HW#1

  1Electronic Engineering 2015127024 김해윤반도체 공정 및 응용1반도체 공정 및 응용HW#1담당교수학번이름제출일자1. ... compared to SOI FinFET. ... Variability of the Bulk FinFET process in the number of required steps is higher.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.09.28

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  반도체 실무면접 대비_반도체 공정 기초

  SiO2와 SiN 박막 특성 비교Sputtering의 원리Dry Etching 설비Bosch PorcessIsolation 방법에 대해 LOCOS 공정과 STI공정의 차이점Mask ... 설명NMOS, PMOSFETMOSFET 소자 성능 개선 방법NMOS대비 PMOS가 느린 문제를 해결할 수 있는 방법Capacitance를 높이기 위한 기존 방법의 한계 및 새로운 대안FinFET에

  자기소개서 | 72페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.12.16

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  삼성전자 파운드리 공정기술 직무면접 준비자료

  FinFET?27. DRAM?28. NAND FLASH MEMORY?29. 3D NAND FLASH MEMRY?30. SRAM?31. GAA와 MBCFET?32. ... 반도체 8대 공정 설명, 가장 중요하다고 생각하는 공정? ... 무어의 법칙, 스케일링 이슈, 진보된 공정?16. 반도체 8대 공정 설명, 가장 중요하다고 생각하는 공정?(간단히)17. 웨이퍼 제조18. 산화(Oxidation)19.

  자기소개서 | 19페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.09.07

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  반도체 공정 레포트 - high-k(학점 A 레포트)

  이란Dram capacitorMOSFET gate oxide주의점 및 요구조건High-k dielectrics 이란High-k dielectric은 집적회로를 구성하는 MOSFET, FINFET ... 그리고 기존 CMOS 공정 적용이 가능해야 하고, 저항이 낮고 증착 기술이 유연해야 한다.최근 HKMG 공정기술에서 사용하고 있는 High-k 물질은 HfO2이며, HKMG 공정기술의 ... 또 다른 문제로는 공정문제이다.

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.12.29

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  [반도체 공정1] 1차 레포트 - ITRS 2005 PIDS

  나아가고 있으며, 장기적으로는 ultra-thin body, multiple-gate MOSFETs (예를 들어 FinFETs 등)와 같은 새로운 구조물을 포함한다. ... [반도체 공정1- 1차 REPORT]INTERNATIONAL TECHNOLOGY ROADMAP FOR SEMICONDUCTORS, 2005 EDITION, PIDS(PROCESS INTEGRATION ... 이러한 적극적인 확장으로 업계는 high-κ gate dielectric, metal gate electrodes 등과 같은 재료와 공정의 변화를 포함한 다수의 주요 기술 혁신을 향해

  리포트 | 27페이지 | 2,500원 | 등록일 2019.11.22

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  ALD ppt 발표 자료

  구조 ALD 는 메모리의 구멍 측면에 절연막을 형성함으로써 미세공정을 효과적으로 제어 FinFET 공정에서의 스페이서막 ALD 는 균일한 두께의 핀홀이 없는 막을 정확하게 구현 가능하다 ... Multiple patterning 3D NAND FinFET DRAM DRAM 의 Capaciter 유전막Enhanced ALD - UV ALD PE-ALD 3D Atomic control ... No gas phase reactions Sequential stepsAdvantage Particle, pinhole X 정밀한 두께 제어 저온 공정 우수한 박막 품질 넓은 공정

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.11.10

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  반도체공정 과제

  또한 Id가 일정한 구간을 도달하기 전까지 증가하는 부분을 triode region이라 한다.Finfet의 동작원리도 mosfet과 거의 유사하다. finfet은 p-channel과 ... 하지만 Channel의 길이를 줄이다 보면 여러 문제점들이 생기고 기술적 한계에 다다르게 되는데 이를 보완한 것이 3D 입체 구조를 가진 Finfet이다. ... Finfet은 mosfet보다 gate와 channel이 만나는 면적이 넓기 때문에 더 많은 carrier가 움직일 수 있게 되었고 performance가 향상하였다.n channel

  리포트 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.06.22

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  반도체 직무면접 공부 ( 관련 회사 > 삼성전자 메모리,SLSI,파운드리 / SK하이닉스 / LG실리콘웍스 / 현대오트론 등)

  자기소개서 | 21페이지 | 3,500원 | 등록일 2020.11.14 | 수정일 2021.07.27

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  삼성전자반도체공정기술PT면접주제와추가질문(공정개선_DUV&EUV_핀펫&GAA)

  7nm 이하의 미세 공정에서 FinFET을 대체할 차세대 . ... 중 한 가지를 선택하여 PT(발표)하시오[1] 기존 공정을 개선하기 위한 방안[2] DUV장비와 EUV 장비의 비교[3] FinFET과 GAAFET의 비교PT 발표 답안 1[1] 기존 ... 단축하고 전류 누설을 줄임으로써 트랜지스터의 성능을 향상시켰습니다.FinFET은 현재 10nm 이하의 미세 공정에서 가장 널리 사용 되고 있는 트랜지스터 기술입니다.III.

  자기소개서 | 14페이지 | 3,500원 | 등록일 2024.06.23

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  SOC(software on chip) 조사하시오

  : FinFET, EUV 등7. ... SOC 제조 공정SOC 제조 공정은 매우 복잡하고 정밀한 과정입니다.웨이퍼 제조: 얇은 실리콘 원판을 만드는 과정칩 제조: 웨이퍼에 회로를 구현하는 과정패키징: 칩을 보호하고 다른 ... 다양한 기준으로 분류될 수 있습니다.기능별: 애플리케이션 프로세서(AP), 모뎀, 메모리, 인터페이스 등용도별: 스마트폰, 태블릿, 사물 인터넷(IoT), 자동차, 산업용 등제조 공정별

  리포트 | 3페이지 | 8,500원 | 등록일 2024.03.11

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  [시험자료] 반도체공정및응용 중간고사 정리 (족보)

  핀펫(FinFET)은 Mosfet의 기존 평면(2D) 구조의 한계를 극복하기 위해 도입된 입체(3D) 구조의 공정 기술이다.? ... FinFET과 MOSFET 구조의 차이점을 비교하여 설명하세요.? ... 웨이퍼 스핀 공정 중에, 레지스트는 원심력으로 가장자리를 향해 바깥쪽으로 흐르며 이동하는 공정26. Photomask를 만들 때에 glass 위에 Cr을 사용하는 이유??

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.10.20 | 수정일 2019.12.02

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  경상대학교 반도체설계개론 3차 레포트/과제

  그리고 단점은 제조공정 전체에 걸쳐 필요한 모든 마스그 패턴을 제작해야 하므로 게이트 어레이에 비하여 개발시간과 개발비용이 많이 필요하다는 단점이 있다.게이트 어레이 설계방식은 칩을 ... 설계하는 단계에서 마스터 칩상에 논리적 기능을 수행하는 기본셀들을 배열형태로 배치하고, 이를 공정 및 제작단계에서 배열들 간의 배선을 변경하여 웒하는 기능에 맞게 동작하도록 구성하는 ... 트랜지스터의 하위문턱 전도 현상에 대하여 다음 물음에 답하시오.차단영역에서 발생하고, 트랜지스터의 Vth 이하의 차단영역에서도 약간의 전류가 흐르는데, Vth가 작을수록 더 커져서 초 미세공정에서

  시험자료 | 4페이지 | 3,300원 | 등록일 2022.03.04 | 수정일 2022.04.14

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  자신이 근무하고 싶은 조직과 담당하고 싶은 업무에 대해서 분석하시오.

  실제 Foundry 사업부에서 이뤄지는 공정으로는 7nm/10nm FinFET공정, 28nm FD-SOI공정, LSI제품 공정 등 다양한 공정 포트폴리오를 구축하며 미래 산업에 쓰여질 ... 여기서 분석대상 세부 업무로 선정한 공정 파트는 Photo공정과 Etch공정이다. 반도체의 기술력은 해당 포토공정과 에치공정의 정교함에서 나온다. ... 포토공정과 에치공정을 선정한 이유는 반도체 공정의 직접적이고, 더 깊은 연구가 필요하기 때문이다.

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.07.25 | 수정일 2023.05.16

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