"전자회로실험I" 검색결과 1-20 / 5,535건

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  충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 예비보고서 실험 1. 다이오드 응용회로

  [실험 1. 다이오드 응용회로]1. 실험 목적? 순방향과 역방향 바이어스 전압이 접합 다이오드 전류에 미치는 효과 측정? 접합 다이오드의 전압-전류 특성을 측정하고 도시? ... 예비실험『실험 1』(1) PSpice의 다이오드 회로를 와 같이 설정하고 전압 소오스는 0-15V로 변화시키고 다이오드의 전류와 전압을 각 노드(node)에서 측정하시오. ... 흐르기 시작하는 전압은 약 0.708V이다.다이오드 PN Junction 사이에 확산 현상이 일어나서 공핍층이 형성된다.순방향 바이어스이면 와 같이 공핍층 축소 현상이 일어나고 전자들이

  리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24

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  충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 결과보고서 실험 1. 다이오드 응용회로

  전자는 Cathode의 -와 같은 극성이라 역시 척력이 발생하여 힘을 얻어 P형 쪽으로 넘어가게 됩니다. 따라서 공핍층이 축소된 결과를 가져오게 됩니다. ... _{10} (e)[ {V _{D1} -V _{D2}} over {log _{10} (I _{D1} )-log _{10} (I _{D2} )} ]=log _{10} (e)[ {0.2297 ... 제너 다이오드의 특성은 1N4739A의 경우 1W,V _{z} =9.1V,I _{z} =28mA,r _{z} =5 OMEGA 의 값을 갖는다.(5) LED에 대해 위 실험 (1)-(

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24

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  충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 결과보고서 실험 9. MOSFET I-V 특성

  비고 및 고찰이번 실험은 MOSFET I-V 특성을 알아보는 실험이었습니다.N-MOSFET을 사용하여 회로를 구성하였습니다.V _{GS`}를 접지시키지 않고 부유(Floating) ... [실험 9. MOSFET I-V 특성 (결과보고서)]1. ... 실험결과[실험 1 : 오실로스코프를 이용한 I-V 특성 측정]V _{GS} =2.6VR _{on} = TRIANGLE V _{DS(T)} / TRIANGLE I _{DS(T)} =

  리포트 | 1페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24

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  충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 결과보고서 실험 8, 10. MOSFET

  [실험 8. MOSFET 기본 특성 Ⅱ & 실험 10. MOSFET 공통 소오스 증폭기 : 수동(저항) 부하(결과보고서)]1. 실험 결과[8장. ... 비고 및 고찰이번 실험 시간에는 8장, 10장 MOSFET에 대한 실험을 하였습니다.8장 실험에서는 문턱전압, 이동도, “on" 저항 Ron에 대해 알아보는 실험이었습니다.Ron 저항이란 ... 그러므로 아래 그래프와 같이 MOSFET의 RDS,on은 전압등급에 따라 증가하게 됩니다.10장 실험에서는 MOSFET 공통 소스 증폭기의 수동(저항) 부하에 대해 알아보는 실험을

  리포트 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24

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  전자회로실험 예비보고서2 전류 전압 변환회로 V-I Conversion Circuits

  전자회로실험 예비보고서2 전류 전압 변환회로 V-I Conversion Circuits1. 실험 목적-전압-전류 변환기, 전류-전압 변환기, 전류 증폭기에 알아본다.2. ... -내부 임피던스가 고임피던스라는 장점 때문에 전자 전압계로 만들 수 있으며 전압이 측정되는 동안 회로는 안정하다. ... 임피던스라는 장점 때문에 전자 전류계로 만들 수 있다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.04.04

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  전자회로실험 결과보고서2 전류 전압 변환회로 V-I Conversion Circuits

  전자회로실험 결과보고서2 전류 전압 변환회로 V-I Conversion Circuits1. 실험 결과 및 이론값실험 1) 전압-전류 변환기? 위와 같이 회로를 연결한다.? ... 두 번째 실험이 실험 1, 실험 3보다 오차가 큰 이유는 실제 회로를 구성한 사진을 보면 알 수 있는데, 실험을 진행할 때 전선이 부족해서 저항을 바로 OP-amp 입력으로 넣거나 ... 위의 두 실험을 통해 OP-amp를 이용한 회로가 증폭기뿐만 아니라 변환기의 역할도 할 수 있음을 직접 확인 할 수 있었다.

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.04.04

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  전기전자기초실험I - 9장 인덕턴스 용량과 RL 회로의 시정수

  실험 9 : 인덕턴스 용량과 RL 회로의 시정수1. ... 따라서 커패시터와 마찬가지로 흐르게 되는 전류는i(t)`= {V} over {R} +(I _{0} - {V} over {R} )e ^{-t/ tau }가 된다.3. ... 목적도선을 감아서 만드는 인덕터(Inductor)는 직류회로에서 단락회로가 되지만, 대단히 높은 주파수 값에서는 개방회로가 되기도 한다.

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.04.07

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  충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 예비보고서 실험 2.3 BJT DC 특성

  실험 목적BJT(Bipolar Junction Transistor)의 DC 특성인beta _{F} -I _{C},I _{C} -V _{CE} 특성을 측정하고 주요 SPICE 변수들을 ... [실험 2. BJT DC 특성 (예비 보고서)]1. ... 일단 회로 기호와 종류는 아래 그림입니다.위와 같이 NPN형과 PNP형 2가지 종류가 있습니다.3개의 단자를 가지게 되는데 각각 Base, Collector, Emitter 라고 합니다.회로기호에서

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24

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  충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 예비보고서 실험 7. MOSFET 기본 특성 1

  또한 회로를 변경하기 위해서는 전원을 먼저 'OFF' 시킨 후 회로를 변경한다.2. 실험 방법1) 와 같이 회로를 구성한다. ... 와 같이 회로를 구성한다. 이 회로는 CD4007 칩의 6개 MOSFET을 게이트 캐패시터를 연결한 것이다. ... [실험 7. MOSFET 기본 특성Ⅰ(예비보고서)]1. 실험 목적역전압이 인가된 PN 접합과 MOSFET의 게이트 캐패시턴스를 측정하는 것을 목표로 한다.

  리포트 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24

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  충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 결과보고서 실험 7. MOSFET 기본 특성 1

  [실험 7. MOSFET 기본 특성 I (결과보고서)]1. 실험결과1) 외부 캐패시터의 캐패시턴스- 100pF 캐패시터의 출력 파형을 기록한다. ... 첫 번째 실험에서 캐패시터 위치에 다이오드를 대체하여 회로를 구성하였습니다. 증가시간과 감소시간이 이번에도 8μs로 같은 값이 나왔습니다. ... 간단한 회로를 구성하고 오실로스코프로 파형을 살펴보았습니다. 증가시간과 감소하는 시간이 25μs로 같은 값이 나왔습니다.

  리포트 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24

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  충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 예비보고서 실험 8. MOSFET 기본 특성 2

  실험으로 얻은 데이터와 추출된 변수들을 통해 기대할 수 있는 이론값들을 서로 비교하게 된다.2. 실험 순서1) 와 같은 회로를 구성한다. ... 실험결과와 그 데이터의 분석 방법을 개략적으로 보이면 과 같다.3) PMOSFET? P-채널 MOSFET에 대해 와 같이 회로를 구성한다. ... 그리고 서서히 전압 다이얼을 높여서 전압으로 아래 회로 그림의 VDC가 조절되도록 한다.

  리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24

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  충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 결과보고서 실험 12. MOSFET 차동증폭기

  문턱전압과 k 값도 비슷하게 나올 것으로 예상할 수 있었습니다.전류미러 회로를 구성하고 각 MOSFET의 Drain 전류의 값들이 비슷하게 나왔습니다. ... [실험 12. MOSFET 차동증폭기(결과보고서)]1. ... 비고 및 고찰이번 실험은 MOSFET 차동증폭기 특성에 대해서 알아보는 실험이었습니다.CD4007UB 소자 내에 같은 MOSFET을 가지고 측정한 결과 거의 비슷하게 나온는 것을 알

  리포트 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24

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  충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 예비보고서 실험 12. MOSFET 차동증폭기

  _{D3},I _{D4}를 측정(계산)한다.(4) 실제 측정으로부터 얻은V _{T}, k으로부터I _{D3},I _{D4}를 계산하여 예비실험에서 얻은 표현인I _{D3},I _{D4 ... 실험순서1) 주어진 CD4007UB(MC14007UB와 동일)의 pin 배열을 확인한다.2) 문턱전압(V _{T})과 k 값의 측정Note : 의 회로도에서 -전압은 접지되어 있기 ... 예비실험에서 구한 표현을 사용하여 문턱전압과 k 값을 구한다.(2) 동일한 회로를 “#2”, “#3” 소자로 구성하여 마찬가지 방법으로 각각에 대해 문턱 전압과 k 값을 구한다.3)

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24

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  충북대학교 3학년 전자회로실험I Ragulator 설계 프로젝트 보고서

  비고 및 고찰3학년 전자회로실험의 첫 설계 프로젝트인 Regulator 설계를 하였습니다. ... 캐패시터는 전에 실험에 쓰였던 100μF을 사용하였습니다.저항을 2.2kΩ, 15kΩ을 사용하였을 때 7.5V 출력전압에 가깝게 나온다는 것을 시뮬레이션에서 알 수 있었습니다. ... 출력 전압을 측정하니 음의 입력이 양의 입력으로 바뀌어 나옴을 확인하였습니다.다음으로 RC filter를 사용하여 회로를 설계하였습니다.

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.15

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  충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 결과보고서 실험 6. 차동 BJT 증폭기 특성

  차동 증폭기란 2개의 입력 단자에 가해진 신호를 증폭하는 증폭기입니다.첫 번째 회로는 차동 신호는 증폭하고 공통 신호는 억제하는 회로입니다. ... 비고 및 고찰이번 실험은 차동 BJT 증폭기 특성에 대해 알아보는 실험을 하였습니다. ... 오프셋 전압을 알아보기 위해 회로를 결선하고 가변저항을 사용하여 트랜지스터 Q4의 전류가 1mA가 되도록 조절하였습니다.

  리포트 | 1페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24

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  충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 예비보고서 실험 6. 차동 BJT 증폭기 특성

  실험 절차1) 오프셋 전압 (offset voltage)(a) CA3046 BJT들을 회로와 같이 결선한다. ... [실험 6. 차동 BJT 증폭기 특성 (예비보고서)]1. 실험 목적차동 BJT 공통 증폭기의 차동 소신호 이득, 입력 저항 및 출력 저항 및 CMRR을 실험한다.2. 이론? ... 이상적으로는 무한대의 공통 모드 이득을 가지나 의 회로와 같이 바이어스 회로 Q3의 출력저항으로 인하여 유한의 공통 모드 이득 가짐 :A _{cm} =- {R _{L}} over {

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24

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  충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 예비보고서 실험 11. MOSFET CS, CG, CD 증폭기

  [실험 11. MOSFET CS, CG, CD 증폭기 (예비보고서)]1. ... 실험 목적* MOSFET은 3개의 단자 (Gate, Source, Drain)를 가짐=> 이 3개의 단자를 각각 입, 출력으로 사용하는 총 6개의 amplifier를 구성* 6개 조합 ... drain에 인가된 VDD는 zero 전압으로 인식=> 출력 전압은 순수한 ac 전압만 나타남- 게이트에 인가된 DC 전압은 MOS의 동작점을 지정=> ac 등가회로의 전달 컨덕턴스

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24

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  충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 결과보고서실험 11. MOSFET CS, CG, CD 증폭기

  비고 및 고찰이번 실험은 MOSFET CS, CG, CD Amplifer에 대해 알아보는 실험이었습니다.첫 번째 회로는 CS Amplifer에 대한 회로이었습니다.R _{D} =1.5k ... 책에 있는 소자 값을 가지고 회로를 구성하고 실험해본 결과 증폭되지 않고 오히려 반대로 출력전압이 감소한 결과를 얻었습니다. ... 그리고 CS Amplifer과 다르게 위상 변화 없이 출력전압이 입력전압보다 증폭되어 나왔습니다.마지막 회로는 CD Amplifer 회로이었습니다.

  리포트 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24

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  충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 예비보고서 실험 5.단일 BJT 증폭기의 주파수 특성

  }} over {I _{B}},g _{m} = {I _{C}} over {V _{T}},r _{0} = {V _{AF}} over {I _{C}} 의 BJT Q1은 의 소신호 등가회로가 ... 실험 절차1) 저주파 응답(a) CA3046에서 BJT 한 개를 회로와 같이 결선한다.RC=5kΩ, RB=100kΩ, RE=500Ω, RS=50kΩ, VCC=10V, CB=10nF ... 실험목적커패시터 결합 BJT 증폭기의 저주파 특성과, BJT 소자 자체의 기생성분에 의해 제한받는 고주파 특성을 실험한다.2.

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24

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  충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 결과보고서 실험 5. 단일 BJT 증폭기의 주파수 특성

  캐패시터가 10nF인 회로를 결선하고I _{C} =0.5mA가 되도록 만들기 위해V _{BB}를 변화시켰습니다.V _{BB} =1.4V가 될 때I _{C} =0.5mA로 나왔고, 이 ... 비고 및 고찰이번 실험은 단일 BJT 증폭기의 주파수 특성을 알아보는 실험을 하였습니다.첫 번째 회로는 CE 저주파 응답을 알 수 있는 실험이었습니다. ... 때V _{B} =0.96V가 되었습니다.V _{BB} =R _{B} BULLET I _{B} +V _{B} 공식에 대입하여 IB를 구하면1.4=100k BULLET I _{B} +

  리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24

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