"grain growth" 검색결과 141-160 / 196건

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  AMOLED Backplane 기술

  Features of SLS Local Melting by Laser Masking Controlled SLG from the Boundary Sequential Lateral Growth ... High Throughput Large Grain SizeMask slita-Sia-Sil-SiSLS (Sequential Lateral Solidification)Poly-Si ... Technology -Easy and well developedWeak Point -Bad Process Controllability -Narrow Energy Window -Small Grain

  리포트 | 32페이지 | 3,500원 | 등록일 2006.12.08

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  [자성체]재료의 구조적 특성에 따른 자성체의 자성특성 실험

  .)- 재결정(recrystallization)새로운 결정립이 생성되서 자라나고, 결정립들이 안정한 자리로 이동- 결정립 성장(Grain Growth)결정입계가 많아지면 에너지가 높아지고 ... , 재료는 에너지가 낮아지는 방향으로 Grain boundary를 없애게 되는데, 그 과정에서 Grain의 크기가 커지게 된다.③ Domain wall강자성체 내부가 자기적으로 분할되어

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.07.25

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  Sputter Deposition

  Synopsis angle=45°, deposition rate R=1 ㎚/s, and growth temperatures Ts of (a)350K, (b)420K, and (c) ... ) Zone Ⅱ- second dense columnar microstructure, 온도가 높아지면서 조금 더 밀도가 높 아진다.4) Zone Ⅲ - dense equiaxed grain

  리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.02

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  한국음식을 영어로 소개 하는 ppt

  1tablespoon molasses, 1.5tablespoons rice wineHow to cook “Bulgogi”Slice the meat thinly against the grain ... anti-biotic functions as lactic acid bacteria produced in the process of fermentation that suppresses growth

  리포트 | 23페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.03.22

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  티탄산바륨 소결체의 제조와 전기적 성질의 측정

  있을 것이다서 소멸- 입계표면은 인장응력이 작용되고 입계내부에는 압축응력이 작용하므로 chemical potential차가 발생 → 물질이동- Kuczynski's 의 Neck growth ... Fig.1은 각각의 비율에 대한 미세구조를 촬영한 것인데 Ba/Ti가 1.01일때의 grain size는 약 15㎛이며 이는 화학양론적인 조성과 거의 같다. ... (아래)The temperature dependence of dielectric constant in various grain sizes.(2) BaTiO3의 비정상적 입자성장에 대한

  리포트 | 39페이지 | 3,000원 | 등록일 2006.10.02

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  용접공학(중간과제)

  growth):고온에서 열처리하면 회복, 재결정이 빨리 일어나 조직이 미세하게 되는데(미세화: 결정립계의 면적이 커진 것 임) 이때의 높은 에너지는 고온에서 불안정하기 때문에 이 ... 잔류응력 제거, 전위소멸 혹 재배열 시켜줌.②재결정(recrystallization): 내부에 새로운 결정립의 핵이 생기고 이것이 성장해서 새로운 결정립을 만드는 단계.③결정립 성장(grain

  리포트 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.06.13

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  반도체공정 (Si)

  일반적으로 poly-si은 높은 저항률을 갖는다.- Grain boundary는 무질서한 원자들과 많은 defect들을 갖는 반면 각 grain내에서는 원자들이 주기적 구조로 배열되어 ... 표면에 형성되고, 고체화된 결정영역으로 dislocation의 침투가 멎는다.(3) Float Zone Single Crystal SiliconFigure 2.5 Float Zone growth

  리포트 | 14페이지 | 4,000원 | 등록일 2007.01.27

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  [재료실험] EBSD 분석실험

  .(2) CSL{ iv) CSL before Texture annealing{ iii) CSL after grain growth Occurs위의 두 그래프는 각각 i) grain growth가 ... growth Occurs위의 두 그래프는 각각 i) grain growth가 발생한 후, ii) Texture annealing을 하기 전 의 misorientation을 나타낸 ... 두 번째로는 misorientation을 관찰한 부분이 grain front 부분이 아니고 isolated된 곳, 즉 island 부분이었던 점을 들 수 있다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.07.06

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  미세조직 관찰

  Grain growth과정은 재결정 과정에서 생긴 수많은 grain들의 높 은 계면에너지를 줄이기 위하여 발생하고 이 과정을 통하여 재료의 더욱 ductile 해지게 된다. ... 재결정 과정 중에는 tensile strength가 약해지고 ductility가 증가하게 된다.재결정 과정을 거쳐서 작아진 grain들은 growth과정을 통하여 grain들을 성장시키고 ... 본 실험에서는 실제 이러한 과정 을 직접 실험해보진 않지만 재결정 과정과 grain growth 과정이 이뤄지는 annealing 과 정을 겪고 있던 금속을 시편으로 사용, 분석하여

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.07.06

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  [재료공학] EBSD를 이용한 분석 실험

  자료는 거대조직과 주변 조직과의 데이터이다. 1조의 경우 growth front 영역을 측정하였다.4. ... Data & Discussion(1) CSL Distributions 의 그래프 (Growth front) ... 저경각 결정립계(Low angle grain boundaries)의 경우 S=1으로 표현된다.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.01.01

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  [재료공학] ebsd

  이를 grain growth라 하는데, 특정한 결정방향을 갖는 grain만이 성장할때는, 즉 결정방향에 따라 선택적으로 grain 성장이 될 때 이를 abnormal grain growth라고 ... 따라서 입자들의 배열을 2차원적 평면에서 놓고 보았을 때, grain 들이 만나는 경계선, 즉 grain boundary는 grain의 배열 각도에 의해 grain 내부에서의 배열과는 ... 한 쪽의 grain에서 입자의 배열을 옆 grain 까지 연장되었다고 가정하고 볼 때 가상으로 배열된 입자와 원래 grain에서 배열된 입자가 만나는 입자가 규칙적으로 생겨날 것이다

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.10.12

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  [재료공학] 전기강판 미세조직 관찰

  growth)과정을 보여준다. ... 이때 충분한 온도로 가열해주면, 새로운 grain들이 생성하여 자라기 시작한다. 하지만 모든 grain들이 같은 속도로 자라지 않는다. ... grain들의 constraint하에 회전한다.

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.01.01

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  나노 재료의 주요 합성방법(졸겔법,침전법,전기방전법,레이저증착법, 스파터링법, 기상합성법,화학기상 성장법)

  기상합성법(Vapor Phase Growth)기상합성법(Vapor Phase Growth)기상합성법에 의한 탄소나노튜브 합성은 종래의 VGCF 제조공정의 변형된 방법이다. ... 양자적호혁레이저와 APT(Avalanche Photo Diode) 및 HEMT(고전자 다동도 트랜지스터)의 제작에 이용되고 있다.◎ 단점: 여러 가지 금속간의 조성을 지속적으로 유지하는 것과 grain

  리포트 | 21페이지 | 5,000원 | 등록일 2007.10.17

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  전착공정을 이용한 Ni 나노선 제조 및 특성분석 (결과보고서)

  과전압이 걸리면 전착되는 핵의 수가 많아지고 과전압이 적게 걸리는 경우에는 핵의 수보다는 핵의 성장(Grain Growth)이 활발히 이루어지게 된다.과전압이 걸리는 경우 이론적으로

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.12.23

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  열처리공정과 어닐링쌍정

  growth) : 결정립계 면적이 커짐에 따른 고에너지는 고온에서 불안정하기 때문에 이 에너지를 감소시키기 위하여 결정립이 성장하게 되는 과정.목적 : 잔류 응력 제거, 연성·인성의 ... 형태에는 변화가 없이 내부 변형을 해방하여 가는 과정.② 재결정(recrystallization) : 가공된 결정립이 내부 변형이 없는 새로운 결정립으로 변화되는 과정.③ 결정립 성장(grain

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.12.15

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  [금속공학, 비정질재료]비정질 합금의 결정화

  partitioning  effect of the diffusion field impingement + resistance of the residual amorphous phase  grain ... growth retardationPhase separationNucleation and growth mode : between liquids and spinodal line Spinodal ... nucleation  spherical crystal growth 한계 - n값이 정수를 나타내지 않아 직선에서의 어느 정도 편차를 보인다 base line의 정확한 위치 설정이

  리포트 | 23페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.12.06

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  무기재료실험 결과보고서

  소결의 초기 단계인 경부성장(頸部成長, neck growth)에서는 입자끼리의 유착이 일어나고, 이 부분의 면적이 점차 증가한다. ... 결정립계(grain boundary) : 다결정(polycrystal)에서 배향이 다른 결정을 나누는 면결합이며, 이것을 광각도 입계(high angle boundary)라고 한다.

  리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.02.12

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  지르코니아 소결기구

  Kuczynski's 의 Neck growth equation- neck에서 vacancy 농도 변화를 가정하여 물질의 확산이동 속도 계산: 온도에 의존하는 요인t : 시간mnVisc ... Surface tensionV : mole 당 체적: radius of curvatureb)c) 소결수축이 없는 경우(surface-lattice-neck)d) 소결수축이 있는 경우(grain ... Frenkel equation)a : uniform diameter: 표면 tension: 점성t : 등온 소결 시간in the intermediate stagepore 수축양의 비 ∝⑤ Grain

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.12.06

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  한국와 일본의 설날 풍습에 대한 비교와 그 발생 원인

  Inserting rice cake to branck means grain or fruit. ... this way, rice is important to be the agriculture nation such as Korea and Japan.Therefore they regard growth

  리포트 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.07.11

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  [세라믹] 소결(sintering)

  →소결 마지막 단계의 grain growth와 구별된다.중기단계에서는 Al2O3, Cu에서 독립적으로 측정된 data와 모델로 계산한 확산계수 사이에서 이해할 수 있다. → Dick ... growth의 조절이 필요. ... 초기의 grain coarsening으로 인하여 neck curvature N4

  리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.06.10

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