"Wafer Cleaning" 검색결과 141-160 / 278건

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  반도체 산업에서 사용하는 용어

  Dummy Wafer(더미 웨이퍼): 실제Wafer를 대신하여 사용하는 Wafer. ... (=Mirror Wafer: 미러 웨이퍼)70Emergency Switch(이머전시 스위치)비상 시 전원을 완전히 차단시킬 수 있는 비상 스위치.71Finger Cots(핑거 코트) ... (=클린 페이퍼: Clean Paper).60방진복청정한 라인 내에서 입는 복장으로 먼지 및 정전기가 일어나지 않으며, 작업복 내의 먼지가 밖으로 나오지 않도록 제작.

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.11.22

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  LED Procsee

  LED PROCESSAir ShowerInGot 성장 + SUB Wafer 제작 EPI 성장 (MOCVD, LPE, VPE) CHIP Process Package ProcessVGFLECHBWafer ... EtchingEquipment: Wet stationn-GaAs Subp/n epitaxial layerPR removalEquipment: Wet station Etchant: Clean ... solvents are effective in removing oils, greases, waxes, and organic material such as photoresist.Acid Cleaning

  리포트 | 54페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.01.09

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  sputtering을 통한 metal deposition 및 I-V, C-V 측정

  서울대학교 플라즈마 표면 연구실 진공기술 강의자료'3.진공 증착 장비의 종류와 특징-스퍼터링'2. http://www.ee.byu.edu/cleanroom/ohmic-schottky.phtml3 ... PR 코팅SiO2 wafer에 P-PR을 2000rpm 30초동안 coating한다.②soft bakeP-PR coating을 완료한 wafer를 100°C 2분간 baking 한다 ... , C-V 측정을 통해 wafer와 금속간의 전기적 특성을 확인해 본다.실험이론1.

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.04.21

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  85화합물 반도체 공정(유전막 증착)

  In -Situ Cleaning 불가능증착 방법저항열 증착 : Mo, Ta, W 보우트 고융점 금속 박막 형성 불가능 (저항열을 이용한 evaporation은 용융점이 낮은 재료의 ... TubePlenumHorizontalNozzle (Injector)BarrelPancakePlasma CVD (PECVD)Photon CVD (PHCVD)Radial flow (Cold-wall)Single wafer ... (b) 분산주입압력센서석영관배기펌퍼웨이퍼보우트저항발열체가스유입Si 웨이퍼(a) 종단주입수평관 저압 기상 증착 반응장치*비교적 낮은 증착률 이지만 한 공정에 최대 200장정도의 웨이퍼를

  리포트 | 43페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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  Photolithography 결과보고서

  직후 증류수에 담근 후, 용액이 묻은 것을 닦고, 질소 분사기를 이용하여 한번 더 표면을 Cleaning 해준다.6. ... 실제 반도체 공정시에는 Mask와 Wafer가 맞닿으면, Wafer가 오염되거나, 손상이 된다. ... PR용액으로 코팅이 된 Glass이 과정에서 주의해야 할 사항은 Wafer가 회전 할 때, Wafer가 떨어져 나가지 않도록 Wafer를 진공으로 부착시켜 주는 작업이 있는데, 이

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.16 | 수정일 2014.11.12

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  단결정실리콘 태양전지의 원리 구조 공정 어플리케이션

  Lapping ( 연 마 )Wafer Eatching ( 식각 )Wafer Polishing ( 경면가공 )Wafer Cleaning ( 세정 )Wafer process animationWafer ... 금속전극을 직접 실리콘에 형성하는 구조 .PERL 효율 - 24% 이상 특징 전극에서의 재결합 속도 감축과 접촉 저항 축소를 위해 비저항이 낮은 웨이퍼 사용 필요 . ... 가공 공정과정Texturing 100% 100% 35% 10%~22%Texturing 53.7P-N JUNCTION 제조방법 P 형반도체 P 형 실리콘 웨이퍼 준비 표면 산화작업

  리포트 | 71페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.05.26

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  MOS 소자 형성 및 C-V특성 평가

  이번 실험에서는 P-type으로 도핑을 한 P-Si를 사용한다.1) Cleaning 공정처음에 Si웨이퍼를 Cleaning하는 단계에서 Di가 Cleaning할 때 사용된다. ... 실험방법(1) Cleaning 공정1) Piranha Cleaning - Si웨이퍼를 H2SO4 : H2O2 = 4 : 1로 만든 용액에 10분동안 담가둔다. ... Cleaning은 자연산화막을 제거하는데 있다.

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.12.20

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  thin file공정

  박막제조공정(Thin film process)2-1 세척(Cleaning)2-2 증착(Deposition)1) Sputtering : DC 또는 RF magnetron을 이용하여 증착하고자 ... 이중 사진공정은 마스크(mask) 상의 기하적 모형(pattern)을 반도체 wafer의 표면에 도포되어 있는 얇은 감광제(photoresist)로 옮겨 놓는 것을 말한다. ... 이 모형들은 다음 단계인 식각(etching) 공정시 wafer 표면과 감광제 사이에 놓여 있는 박막층을 식각으로부터 보호해 주는 역할을 한다.사진공정은 크게 광 노광기술(optical

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.12.04

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  장학금 자기소개서 (sop, statement of purpose, 총 1억 이상의 장학금을 수여받음)

  하지만 아직은 가격이 비싸다는 단점이 있기 때문에 더 큰 웨이퍼(wafer)에서 반도체를 생산할 수 있는 기술을 연구하여 생산 단가를 낮출 것입니다. ... -China Clean Energy Research Center - Clean Vehicle Consortium에 참가하여 전기자동차에 관한 연구를 계속할 생각입니다. ... Clean Vehicle Consortium은 University of OOO과 Tsinhua University를 주축으로 MIT, Ford, Honda, Toyota 등이 참가하는

  자기소개서 | 3페이지 | 4,900원 | 등록일 2013.07.12 | 수정일 2017.01.29

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  ITO Scribing & Cleaning 결과보고서

  ※ 실습과제 ITO Scribing & Cleaning· 학과 :· 학번 :· 이름 :· 조 :· 공동실험자 :1) 실험목적◦OLED/PLED/OPV device의 투명전극으로 사용되는 ... 조건조사 시간：5분/조사 거리：10 mm조사 장치：UV-208/조사 샘플：Si웨이퍼-◦ITO glass에 묻어있는 particle, 유기물, 무기물 등은 어떠한 원리에 의해서 세정되는지 ... 않는, 심플한 드라이 세정 장치이다.파이널 세정으로서 위력을 발휘한다.수분 퍼짐 변화접촉각의 변화처리 조건조사 시간：5분/조사 거리：10 mm조사 장치：UV-208/조사 샘플：Si웨이퍼-처리

  리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.02.23

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  반도체 후공정의 Package Process 이해 자료

  Release Film : PET (Polyester) ◈ 관리법 Clean Room 또는 그에 상응하는 온,습도(30℃이하, 상대습도 60%이하)의 공간에서 Black Cover에 ... 붙여주는 공정 4.2 용어 - Frame : Wafer를 Sawing하기 위해 Wafer와 Cassette를 UV Tape와 고정시키기 위한 SUS재질의 원형 틀 - Cassette ... 목적의 UV-Tape.Wafer Loading → Pre align → LaminationⅣ.

  리포트 | 43페이지 | 10,000원 | 등록일 2011.09.15

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  화합물반도체의 금속공정(Metallization Process)

  0.007ppm, 구리(Cu) 0.007ppm, 철(Fe) 0.002ppm, 아연(Zn) 0.004ppm, 니켈(Ni) 0.007ppm, 비소(As) 0.0004ppm불순물2인치 웨이퍼 ... Metallization ProcessPre-treatment for GaAsSemico Clean(23) – Furuchi Chemical Co.탈지작용, 금속이온제거, 산화막제거 ... Semico Clean23을 처리한 반도체 표면은 친수성이 대단히 좋아 세정이 용이 6. 탈지작용과 금속이온 제거효과를 겸비하고 있어 전공정 처리가 한번에 끝남 7.

  리포트 | 19페이지 | 2,500원 | 등록일 2012.11.14

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  태양전지의 이해 및 공정

  COOL-DOWN INGOT REMOVALCOOL-DOWN은 WAFER의 평탄화 과정으로 기계적/화학적 연마를 통해 웨이퍼의 평탄화합니다.세척한 WAFER단결정 실리콘최종정리5. ... 또한 항상 CLEAN BENCH를 사용해야만 하며, 작업자는 필히 보안경과 비닐장갑 등을 착용하여 오염을 방지해야 한다단결정 실리콘폴리실리콘으로 단결정실리콘만들기2. ... 몇 개 있는지 알기 쉽게 표기하기 위해 SIX NINE(6N), 즉 9가 여섯 개 있다는 형식으로 표기합니다. 9가 6개(6N) 이상이 되는 실리콘 덩어리(잉곳)을 얇게 저미어 웨이퍼를

  리포트 | 37페이지 | 3,500원 | 등록일 2011.06.22

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  [반도체공정] 규소봉절단

  세정후 후공정으로 흘려 보내는데, 이 공정을 ETCH CLEANING이라 한다.?? ... 그러므로 불균일 식각이 일어나지 않도록 잔존물을 제거하여 웨이퍼 표면을 깨끗이 세정하는 공정이며 초순수 (DI-WATER)를 사용한다.??9. ETCHING? ... INGOT을 잘라서 웨이퍼 형태로 만들어주며 일정한 두께로 절단하는 것이 중요하다.SLICING은 크게 두가지 작업형태로 분류하는데 예절방식, I.D.SAW를 이용한 절단 방법이며

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.06.29

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  반도체기술

  Al, Pt-Si, Mo등이 많이 쓰인다.화학공학과 반도체기술과의 관계화학반응과 관련된 공정기술 Cleaning 공정 플라즈마를 사용하여 etching하는 공정 반도체 pattern을 ... oxide 막을 형성하기 위한 공정 이온주입공정 확산공정과 마찬가지로 wafer에 불순물을 주입하는 방법 중 하나 확산공정 반도체 wafer에 소자를 형성하기 위해서는 wafer에 ... 특정한 불순물을 주입함으로써 특정한 영역을 형성 화학기상증착공정 산화공정과 마찬가지로 반도체 wafer의 표면에 막을 형성하는 방법들 중 하나Etching 가공된 실리콘 Wafer현재의

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.12.17

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  실트론

  결국 애국가가 흘러나왔고 TV에는 Clean Room에서 어떤 사람이 Wafer를 들고 있는 모습이 나왔습니다.그 모습에 반해 ‘반도체’에 대한 꿈을 키워나갔습니다. ... 저는 공정기술 직무에서 Wafer 제조 공정기술을 해보고 싶습니다. 이유는 간단합니다. ... 그래서 회사에 입사를 해서 좀 더 실질적인 Wafer 제조 공정을 살펴보고 참여하고 싶습니다.2.

  자기소개서 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.09.11

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  전자전기공학 - 반도체 제작 공정 - 웨이퍼 표면 연마

  세정법 초임계유체 세정법 메가소닉 세정법 레이저 세정법공정의 구성 – Cleaning (3)공정의 구성 – Cleaning (4) WAFER 표면에 묻어있는 수분을 제거하기 위해서 ... 식각이 끝난 웨이퍼는 표면에 푸른 녹을 가지고 있으며 , 이것은 붕소산화물 또는 Lapping 연마제의 잔류물로 Cleaning 과정을 통해 제거 .공정의 구성 – Polishing ... 원심력을 이용한 장비를 빠른 속도로 회전지켜서 WAFER 표면의 물기를 제거한다 .Term Project Reference자료출처 (Reference) 집적회로 공정기술 / 연규호

  리포트 | 26페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.09.19

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  LG,삼성,외국계대기업합격 경력서 및 이력서

  Edge 범위 조정ⓑ Nozzle 분사 각도 조정ⓒ Wafer Edge 분사 Delay Time 변경거웠던 일, 좌절과 슬픔의 시기도 있었으며 시련의 시간도 있었습니다.그 중에서도 ... 변경Scratch 불량율 (1.5%0.2%) 개선2) Metal 잔류 개선 : Lift-off 기구적 & Recipe 변경에 따른 Metal 잔류 개선ⓐ Nozzle Swing범위 : Wafer ... 장비 개발 평가 진행 中 (Single 기술력 확보)2. ㈜ 회사명 / XX팀 / 직책 …..[ XXXX.03~XXXX.02]◈ 반도체 Single Cleaning장비 공정 기술

  자기소개서 | 10페이지 | 6,000원 | 등록일 2012.06.06 | 수정일 2023.02.10

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  ITO Scribing and Cleaning

  미치는 영향- 웨이퍼 표면 상태를 컨트롤 하는 Cleaning공정에서 이물질의 오염을 효과적으로 제어하 지 못하면 Device의 불안정, 산화막 신회성의 저하, 결정 결함과 함께 ... 이런 다양한 오염물들을 제거하기 위해서 웨이퍼는 각각의 오염물들을 효과적으로 제거하기 위한 여러 가지 세정 용액을 혼합하여 일괄 처리 공정으로 세정된다.※ Cleaning 이 Device에 ... - 사용 chemical의 종류에 따라 재질이 바뀌어야함- 그 재질로는 quartz, teflon, stainless steel 316(SUS 316)을 사용하고 그 구성은 공정 wafer의

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.07

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  디스플레이 물성및재료 반도체 제조공정 디스플레이 제조공정11

  PR Strip/Via Clean ... 연마해서 웨이퍼 표면을 평탄하게 만들어 주는것.촉진제(chemical)를 연마장치(Mechanical)에 공급하면서 연마(polishing)를 진행하는 과정.2. ... Wafer Head : Wafer를 보유하면서 회전/가압B. 연마 Pad : Wafer 표면을 직접 적총하는 신축성 있는 연마표C.

  리포트 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.20

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