"비정질주입이온" 검색결과 101-120 / 175건

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  ITO 투명전극

  낮은 기판온도, 산소 비율에서는 비정질상의 형성이 강하나 기판온도와 산소 비율이 증가할수록 (222)의 우선 성장이 뚜렷하게 나타난다.두 가지 조건에서 제조한 ITO 타겟으로부터 만든 ... 이것은 또한 기판과 인접한 부분에서는 비정질 상태가 많이 존재하고 기판과 멀리 떨어진 박막의 표면에서입자들의 성장이 더욱 더 많이 진행되었음을 단면 사진으로 확인할 수가 있다.fig4 ... SEM으로 관찰한 것이다. fig3(a)와 같이 증착시간이 10분 이하인 경우에는 X-선 회절형상에서와 같이 입자의 형상이 잘 보이지 않았으나, fig3(b)처럼 20분의 경우에는 비정질

  리포트 | 15페이지 | 3,500원 | 등록일 2008.09.29

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  박막 재료의 표면처리 및 식각 실험 예비보고서

  산화막은 구조상으로 비정질(AMORPHOUS)이며, 성장방법에 따라 그 특성은 변화한다. ... 일반적인 경우 불순물의 확산 혹은 주입은 고온을 이용한 열적 확산 또는 이온 주입등으로 행하여 지는데, 식각 공정에서 형성된 미세한 부위에 선택적으로 불순물의 확산 또는 주입시키기 ... 다시 정확하게 표현하면 쌍방의 에칭속도의 비가 1보다

  리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.03.20

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  SOI와 TFT 기판제작방법

  반도체막으로는 활성층을 이루는 비정질 실리콘(a-Si:H)과 접촉 저항층을 이루는 도핑된 비정질 실리콘막(n+ a-Si:H)이 있다.2.Sputtering 공정(증착공정)Sputtering은 ... 1018 atoms/cm2)로 이온 주입 시키는 과정과 이온 주입 후에 실리콘 층의 결정성을 복구하기 위하여 1,300C 정도에서 고온 열처리를 하는 과정으로 이루어진다. ... 재결정화 시키는 공정(Zone-Melting-and-Recrystallization: ZMR)이 주로 사용되었으며, 이 외에도 다공질 실리콘의 산화,실리콘의 측면 에피택셜 성장, 비정질

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.09 | 수정일 2018.11.24

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  TFT와 FET 그리고 둘의 차이점

  단계에서 결정질 상태의 Poly-Si은 비정질화되므로 이온 도핑 공정 후 주입된 불순물의 활성화를 위하여 고온의 열처리 공정이 필요하다.열처리 방법으로는 Furnace법, RTA법, ... .○ 종류TFT(Thin Film Transistor)에 사용되는 반도체로는 소자의 종류에 따라 비정질 실리콘(Amorphous Si, a-Si)과 다결정 실리콘(Polycrystalline ... 생산성을 중요시하는 TFT 제조에서는 이와 같은 공정이 In-line화된 자동화 설비에서 이루어진다.4) 이온 주입 기술이온 도핑은 TFT의 소스/드레인 영역의 오믹 접촉을 형성시킬

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.04.06

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  리튬이차전지 음극물질

  인체나 환경에도 문제가 없음.항목Amorphous MaterialsCrystalline MaterialsSoft CarbonHard Carbon천연흑연인조흑연경정구조비정질비정질HexagonalHexagonal이론용량 ... Sn 나노 입자를 탄성을 가진 속이 빈 구모양 탄소에 주입시켜 특수 나노 마이크로 구조를 가진 Sn@C 복합 재료를 합성하였다. ... 주석계 음극 활물질 SnO, SnO2, SnSiO3 등의 산화물 형태.초기 비가역 반응 최소화 싸이클 수명 향상Li 이온에 대한 비활성 결정립결정립계에 존재하는 활성원소나노구조의 화합물Si

  리포트 | 26페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.05.12

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  염료감응형 태양전지(DSC)의 활용 방안

  홀 전도도가 구현될 수 있도록 홀 전도층 필름 구조를 설계 및 제작해야 한다 – 문제점 : 나노 동공 속에 우수한 홀 전도 특성을 갖는 무기소재 필름을 형성하기 어렵다 1998년 비정질의 ... 염료분자- 태양광 흡수에 의해 전자-홀 쌍을 생성 전자-반도체 산화물의 전도띠로 주입됨 반도체 산화물 전극으로 주입된 전자는 나노입자간 계면을 통하여 투명 전도성 막으로 전달되어 전류를 ... 최근에는 중심-껍질 구조를 이용한 태양전지 연구가 활발히 진행되고 있음 - 표면 처리된 물질이 염료로부터 발생된 광전자가 나노입자 산화물에 주입된 후 재결합 되는 과정을 봉쇄하는 원리를

  리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.06.01

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  ITO의 일반적인 특성

  가공성은 비정질막이 우수하다. ... ITO의 일반적인 특성ITO의 특성을 간단하게 알아보면 투명전도먹으로 사용되는 ITO 막에는 비정질막, 결정질막이 있으며, 결정질막이 기본특성(표면저항, 광투과율)은 우수하나 에칭 ... 여기서 유기 EL의 투명 전극으로 응용을 위해 에너지 밴드갭이 높게 나와 홀 주입이 용이하게 만드는 것이 관건이다.

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.09.29

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  전기변색소자 (electrochromic) 물질 합성 및 색 변화 관찰

  비정질 V2O5는 박막과 분말을 막론하고 결정질 샘플보다 더 많은 양의 Li을 삽입할 수 있는 물질로 알려져 있다. ... 최근의 연구에 의하면 증착시킨 비정질 V2O5 박막은 V2O5 mole 당 여덟 개의 equivalent Li이 삽입된다고 알려졌다.지금까지 알려진 a-V2O5 박막의 Li 삽입에 ... 이 소자는 금속 chelate complex를 발광층으로, 아민계 화합물을 hole 주입층에 사용해서 고휘도의 녹색 발광을 얻었다. 6∼7V의 직류전압으로휘도는 수천(cd/㎡), 최대발광효율은

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.09.19

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  반도체 물리

  이온 주입기(ion implanter)의 구성. ... 여러 가지 무기물 반도체분류 항목종 류예결정 구조단결정(single crystal)다결정(poly-crystal)비정질(amorphous)single crystalline Sipolycrystalline ... 불순물의 침투를 막는 마스크를 이용한 선별적 불순물 첨가이온 주입 방법확산(diffusion): 방향성 없는 움직임과 불순물 농도 차이이온발생기25kV0-1 MV가속기튜브이온발생기이온계수기초점

  리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.04.18

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  실리카겔 제조

  실리 카졸의 실리카 입자는 [그림2] 와 같이 구형이고 -SiOH 그룹과 -OH 이온이 입자표면에 존재하며, 알칼리이온에 의해 이중 전기층 구조를 갖는다. ... 생산되는 silica-gel은 미세한 구멍들이 서로 연결되어 방대한 그물로 연결된 과립형 비결정상입자이며 광대한 표면적(1g에 300-400㎡ 즉 100 평 이상이나 되는 표면적)에 ... 흡착량이 높아 환경에 따라 거의 영구적으로 표준 습도 를 유지시키며, 대기의 상태에 따라 그 흡수와 탈수의 반복 주기가 결정되어2SO4)을 고속의 교반기를 장치해 둔 용기 내에 동시에 주입하여

  리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.09.28

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  탄소나노튜브를 이용한 기술특허

  합성되고, 금속 powder 없이 탄소막대만을 가지고 전기방전을 일으키면 다중벽 CNT가 합성된다.합성된 탄소물질은 CNT와 탄소 나노입자(carbon nano particle), 비정질 ... 장치의 전자방출원(electron emitter), VFD(vacuum fluorescent display), 백색광원, FED(field emission display), 리튬이온 ... 의하면,첫째, 탄소나노튜브의 전도성 및 튜브 구조 특성을 이용하여 동일한 소재의 전도성 투명 전극 및 광 전극을 일체형으로 제조함으로써, 염료 분자로부터 반도체 산화물 전극으로 주입된

  리포트 | 23페이지 | 3,500원 | 등록일 2011.11.27

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  반도체공정에 관한 작성 문서

  이온의 밀도는 이온이 비정질 물체에 입사되면 시편의 원자에서 이온이입사하는 충돌 변실제 일정량의 이온을 주입한 경우 깊이에 따른 농도 분포는거리 Rp에서 최대치를 나타내고 Rp를 전후로 ... 그러나이온 주입은 자연히 일어나는 일이 아니라 이온 주입기계가 벽에 총을 쏘는 것과같이 이온화된 도펀트를 사용하여 이온주입을 시키는 것이다.이온 주입기에서는 도펀트가 이온화되고 고속으로 ... 그러나이온주입은 자연히 일어나는 일이 아니라 이온주입기계가 벽에 총을 쏘는 것과같이 이온화된 도펀트를 사용하여 이온주입을 시키는 것이다.이온 주입이란 움직임이 있고 전하를 띤 원자나

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.04.30

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  [반도체공학]칼코겐나이드란(비정질금속)

  산화물 유리나 비정질 금속에서와 마찬가지로 칼코겐 원소와 다른 원소의 조성비가 어떤 특정 범위에 들지 않으면 비정질화가 되지 않는다.칼코겐화물 비정질의 특징으로 다음과 같은 것이 있다 ... 이것을 특히 (소수)캐리어의 주입이라 하며, p-n 집합의 정류작용이나 접합형 트랜지스터 동작의 기본이 된다. 이와 같이 주입된 소수 캐리어의 수명은 10-6～10-3초 다. ... 불투명하게 만든다.* 비정질 재료란?

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.05.07

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  SiO2 박막의 식각 및 PR 제거

  실정이다.② 건식 식각(dry etching)반도체 IC 제조 공정에서 식각하고자 하는 대부분의 물질들은(단결정 실리콘을 제외하고) SiO2, Si3N4, 증착된 금속 등과 같이 비정질이나 ... 이온주입(Ion Implantation)회로패턴과 연결된 부분에 불순물을 미세한 GAS입자 형태로 가속하여 웨이퍼의 내부에 침투시킴으로써 전자소자의 특성을 만들어 줌이러한 불순물주입은 ... 이온주입을 받은 PR은 습식 방법으로 제거곤란)을 해결하기 위하여 제안되었으며, 화학적 에칭과 같은 원리를 이용한다.

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.09.19

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  세라믹공업 (유리, 도자기. 시멘트. 기능성세라믹. 내화물. 단열재)

  최근에는 졸-겔 법이나 증착법으로 얻은 비정질 고체에화△Gv 이다.2)결정성장: 핵이생성되고 열처리온도를 더 올리면 매트릭스에 있던 분자가계속해서 핵으로 이동하여 결정 성장이 일어낝다 ... 이들 광물은 매우 미세한 결정으로 물을 함유하면 점성 및 가소성이 생기므로 점토를 함유한 재료는 주입성형 압출성형등의 성형이 용이하다. ... 음이온이 이온결합으로 연결되어 물질을 이루고 있으며 일부 공유결합형태를 취하기도 한다.

  리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.06.21

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  [기초전기실험] 실험5. PN접합 다이오드의 정특성과 스위칭 특성(예비)

  대부분은 결정체를 이루고 있으나 비정질(amorphous)의 것도 주목을 받고 있다. ... (e) PN 접합에서의 소수 캐리어 주입 : 다수 캐리어를 확산시켜 상대편 반도체에 소수 캐리어를 넣어주는 것을 캐리어 주입이라 한다. ... (f) 캐리어의 재결합 : 주입된 소수 캐리어의 수명은 10-6∼ 10-3 초 정도로 매우 짧은 것이며, 이 시간이 경과되면 이들 여분으로 주입된 소수 캐리어들은 그 곳에 있는 다수

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.07.08

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  급성신부전

  용질 용해도는 요의 수소이온농도에 영향을 받는다. 따라서 요의 희석뿐만 아니라 요의 수소이온 농도를 조절하는것도 신독성을 경감시키는 데 중요하다. ... 환자에서 뇨량을 증가시켜 염분과 수분의 섭취가 자유로워지고, 투석의 필요가 감소하고, 예후를 호전시킨다는 연구결과에 따라 체액량 과다가 없는 핍뇨 환자에서 수액 요법(교질용액과 정질용액을 ... (나) 핍뇨성(400ml/day 이하)(다) 비핍뇨성(400ml/day 이상) : 전체 급성신부전의 30-35%를 차지하며, 특히 신독성 물질에 의한 경우에 흔하다.

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.09.05

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  플라즈마 코팅

  대단하지만 층과 층을 연결하는 미미한 힘으로 쉽게 부서짐같은 원소로 구성되어 있지만 결합 방식에 따라 성질이 다르다DLC 란 무엇인가 » SP¹,SP³, SP² 결합이 혼재 되어 있는 비정질 ... 순수 플라즈마를 이용하여 금형 표면을 개질 시키는 방법 - 플라즈마 표면 개질, 플라즈마 이온 주입 방법 - 플라즈마 Nitriding, 플라즈마 Boriding 등 2. ... 합성 원리 » 탄소원(Carbon source)으로부터 탄소원자를 증착하고자 하는 곳에 가속, 충돌시켜 성장면을 비평상태로 만든 후 이온 주입 등 복합처리를 함 2.

  리포트 | 26페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.06.03

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  반도체란 (물성적인 성질까지)

  이온 주입기(ion implanter)의 구성. ... 여러 가지 무기물 반도체분류 항목종 류예결정 구조단결정(single crystal)다결정(poly-crystal)비정질(amorphous)single crystalline Sipolycrystalline ... 불순물의 침투를 막는 마스크를 이용한 선별적 불순물 첨가이온 주입 방법이온발생기25kV0-1 MV가속기튜브이온발생기이온계수기초점 조절중성 빔 제거용 전극중성 빔중성 빔 트랩수평방향

  리포트 | 23페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.10.16

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  x선 회절분석기

  파장을 알고 있는 X- 선의 회절상태를 측정하여 결정질 ( 또는 비정질 ) 무질을 연구하기 위한 장치 X- 선 회절 분석 장비는 각 제조업체마다 그들만의 독특한 특징을 갖고 있으며 ... 주입 방법을 통해 리튬을 첨가한다 . ( 리튬이 미량 첨가된 실리콘 결정 -Si(Li) 로 표시 ) 실리콘 결정내 존재하는 리튬 반응식 . ... 증가슬릿의 폭을 크게 하면 회절패턴에서 회절선의 최대강도는 커지지만 일반적으로 분해능 감소 슬릿의 폭 변화→ 두 피크의 적분강도비 (I 1 /I 2 ) 는 변화없지만 최대강도비 (M

  리포트 | 26페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.02.22

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