"박막제조" 검색결과 1,081-1,100 / 3,259건

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  유기 태양전지 효율 향상 방안 (무기 태양전지 비교 및 hybrid 구조 제시)

  solar cell 제조를 할 수 있는 장점이 있으나, 내부 defect 문제로 인하여 100nm 두께 이상의 박막 제조가 힘들고 흡수 스펙트럼 영역대가 좁다는 단점을 가지고 있다.해결방안물질 ... 따른 해결 방안을 제시하고, 이중 hybrid 구조에 초점을 맞추어 아이디어 제시 및 장단점을 분석 하였다.문제점 1: photon 흡수Organic 물질은 높은 흡수계수를 가져 박막형태의

  리포트 | 10페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.09.11

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  ZnO 기판 기술현황 및 문제점

  ZnO를 에피성장시킴VPEMOVPE일본MBE법으로 성장시킨 ZnO 에피층위에 MOVPE법을 사용하여 양질의 ZnO층을 에피성장시킴LPCVDLPCVDSoton (영국)p-type ZnO 박막제조EvaporationE-beam ... 비교적 저온에서도 양질의 에피층 성장이 가능)[표 1 – ZnO 물성]1.2 ZnO 기판 생산업체에피성장법국가 및 기관내 용MBEMBEEagle Picher (미국)SCVT법으로 제조된 ... evaporationFudan대 (중국)Si와 SiO2 기판상에서 각각 ZnO 에피층 성장ZnO 기판 기술적 문제점고품위의 ZnO 계열 에피층 성장기술p형 ZnO 제조 기술MBE,

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.11.30

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  반도체소자와공정-1

  반도체 공정반도체 제조 공정wafer 제조산화식각노광확산패키징테스트증착완제품1) 웨이퍼 제조규암을 다양한 형태의 탄소와 함께 노에서 가열 순도가 높고 전자급 수준의 다결정 실리콘 EGS를 ... 4) 식각 공정 5) 확산 및 이온주입 공정 6) 박막 증착 공정 7) 테스트 공정 8) 패키징 공정1. ... 저전압 동작이 용이 하지만 제조공정이 복잡하다.

  리포트 | 21페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.04.21

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  나노공정 용어 정리

  기체의 점성계수·열 전도율·확산계수(擴散係數) 등을 평균자유행로로 나타낼 수 있다.LP-CVD(Low Pressure-chemical vapor deposition)진공간 화학 증기 박막 ... p.s. etching: 약품에 의해 금속이나 유리 등의 표면을 부식시키는 조작.반도체 제작공정에서 포토 레지스트에 피복되어 있지 않은 산화막을 제거하는 공정을 이른다.반도체 소자의 제조

  시험자료 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.04.11

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  태양광 발전의 개요 및 전기적 특성

  이러한박막 제조공정을 이용할 경우 제조가격을 보다 저렴한 방법으로 태양전지의 대량생산이 가능하다.박막 태양전지 중에 초기에 개발된 것이 비정질 실리콘으로 기존 결정질실리콘 태양전지의 ... 실리콘은 자원이 풍부한 실리콘을 원재료로 하고 있으며, 박막 태양전지 제조공정을 이용하여 대량생산을 통해가격을 획기적으로 절감할 수 있다는 장점을 지니고 있다.그러나 유리 등 값싼 ... 기판위에 양질의 다결정 실리콘 박막을 제조할 수있는 공정에 대해선 계속 연구 개발 중에 있다.GaAs, InP 등의 결정체로부터 만든 화합물 태양전지는 결정질 실리콘태양전지보다 매우

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.06

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  (2008년 이후) 태양광에너지의 국내외 현황 및 발전동향을 기술하시오.

  박막 생산 라인을 구축했다. ... (2009~2012)저가상품화 기술개발주택보급형 3kW급 시스템 개발결정질 초박형 태양전지 기술개발결정질 초박형 태양전지 상용화 기술개발건물, 상업용 10kW급 시스템 개발차세대 박막 ... 태양전지 기술개발차세대 박막 태양전지 상품화 기술개발태양전지 저가화, 고신뢰성 제품 및 양산체제 확립태양전지 발전시스템 보급형 유니트화 개발태양광발전시스템 보급형 패키징 상품화 기술개발향후

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.04.13

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  LPE, VPE, MBE 장비

  예로 반도체 레이저(LD)가 이 방법을 사용하여 GaAs 결정 위에 AlGaAs를 연속 성장시킴으로써 제작되고 있다.기상에피택시(VPE:Vapor-Phase Epitaxy)웨이퍼 제조공정에서 ... 이와 같이 함으로써 결정의 성장속도를 내려 낮은 기판온도에서도 충분히 좋은 결정성을 갖는 박막을 얻을 수 있었다. ... 표면에서의 흡착, 퇴적 혹은 표면과의 화학반응 등의 현상에 대해서도 연구가 진행되어 분자선 에피택시라는 결정성장법이 개발되었다.한편 금속 혹은 반도체 시료를 진공 중에서 증발시켜 박막을

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.04.12

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  Design project for LED fabrication process-조명 white LED 제작 공정

  따라서 고순도, 고품질의 박막을 성장 시킬 수 있고 생산성도 우수하다.1. ... MOCVD란 precursor, 즉 MO source로 금속 유기 화합물을 이용하는 공정으로, Chamber 안에서 가열된 기 보내어 원하는 박막을 성장시킬 수 있다. ... ]near-UV/violet LED chips의 생산을 위해 MOCVD로 성장시킨 층의 개략도5[그림7]TMG와 NH3가 반응하여 GaN이 형성되는 반응6[그림9]질화물계 LED 제조공정7

  리포트 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.03.26

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  박막재료의 표면처리 및 PR 제거 결과

  실험목적여러 가지 전기 및 전자기기에 사용되는 반도체 소자의 제조공정은 박막재료의 세가지 공정으로 나뉘어 지는데 첫째로 증착공정 둘째로 마스크의 패턴형성 그리고 셋째로 식각공정으로 ... 이러한 공정 가운데서 중요한 공정은 박막의 식각공정으로서 마스크 패턴을 가지고 증착된 박막을 식각하는 것이다. ... 실험제목박막재료의 표면처리 및 PR 제거2.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.08.07

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  [ASML자기소개서] ASML 합격 자기소개서 예문 ASML 합격 자소서 샘플 ASML코리아 공채 입사지원서 ASML KOREA CS엔지니어 자소서 양식(ASML자기소개서)

  반도체를 제조하는 데 있어 공정은 아주 중요하다고 생각합니다. ... 공정의 기본인 펌프 종류와 진공 증착법, 박막 성장에 관한 것이 주요 내용이기 때문에 회사에서 근무할 때 도움이 될 것이라고 생각합니다. ... ASML의 시스템은 최첨단 기술을 보유한 반도체 제조사들의 집적 회로와 칩 제조에 사용됩니다.

  자기소개서 | 2페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.06.23

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  display engineering

  [표 3] TFT 제조공정간 비교2. ... TFT제조공정 ......................................................................................8A. ... 따른 기판의 변화를 줄여 가격적 측면에서 Oxide TFT with Improved Carrier Mobility100nm 이하의 두께를 갖는 메탈 옥사이드 활성층을 이용해 반도체 제조

  리포트 | 23페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.12.21

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  27MOCVD공정

  MOCVD 공정은 레이져다이오드(LD: laser diode) 뿐만 아니라 질화물 반도체 LED(Light Emitting Diode: 발광다이오드)의 대량생산 및 자외선 수광소자의 제조에 ... 박막의 조성과 증착속도는 반응기 내의 여러 가지 precursor 분압과 박막이 증착되는 곳의 온도와 반응기를 통해서 가스의 흐름방식에 의해 주로 조절된다. ... MOCVD 공정 Metal Organic Chemical Vapor Deposition목차MOCVD는 무엇인가.기본적으로는 CVD공정이며, CVD에 의한 박막 성장시 Precursor로써

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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  26MOCVD_발표

  의 약자로 “금속 유기 증착법”유기 금속 증기 – MO source를 이용.유기 금속 증기를 열 분해 반응시켜 반도체 기판상에 금속 화합물을 증착 시키는 방법.주로 화합물 반도체 제조 ... 도출.발광소자 - 대형전광판, 색채영상, 그래픽, 표시소자, 교통신호 등 강유전 물질을 이용한 메모리 소자화학적 방식 – CVD (Chemical Vapor Deposition)박막 ... 원료를 기체화 시킬 수 있는 부가적인 장치가 필요. - 기화된 원료가 기판에 반응하기 전까지 재 응축되지 않도록 부가적인 장치가 필요.MOCVD 장점 과 단점고순도 고품질의 금속박막을

  리포트 | 19페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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  플렉서블 투명전극소재

  뿐만 아니라 최근 여러 합성법 및 박막 제조 공정 기술의 개발로 비정질 ITO 전극의 전기적, 광학적 특성에 버금가는 PEDOT:PSS도 보고되고 있으며 이를 이용한 플렉시블 태양전지나 ... 그러나 ITO 박막에서 일어나는 도펀트의 치환 과정(활성화)은 300도 이상의 기판 온도를 필요로 하기 때문에 상온 공정을 통해 제작된 비정질 구조의 ITO 박막은 매우 높은 면저항과 ... 또한 결정질 ITO 박막에 비해 매우 높은 결함 밀도를 가지고 있어 전자의 전도가 어려워 낮은 전자 이동도를 나타내게 된다.

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.09.07

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  이라이콤 소개,주가관련 비율 및 주가비교,성장과정 및 수명주기,기존경쟁사의 경쟁상태,산업구조분석,브랜드마케팅,서비스마케팅,글로벌경영,사례분석,swot,stp,4p

  OLED 는 형광 또는 인광 유기물 박막에 전류를 흘리면 전자와 정공이 유기물 층에서 결합하면서 빛이 발생하는 원리를 이용한 자체 발광형 디스플레이 받을 것으로 예상 . ... 년 07 월 회사분할 및 상호변경 ㈜ 신평물산 - ㈜ 이라이콤 담배필터 제조업에서 전자부품제조업으로 업종 전환이 이루어져 회사분할을 존속 법인인 ㈜ 이라이콤과 신설법인인 ㈜ 신평으로 ... 및 상호변경 ㈜ 신평물산 - ㈜ 이라이콤 담배필터 제조업에서 전자부품제조업으로 업종 전환이 이루어져 회사분할을 존속 법인인 ㈜ 이라이콤과 신설법인인 ㈜ 신평으로 나눠지고 상호도 변경

  리포트 | 60페이지 | 4,000원 | 등록일 2014.08.08

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  정전분무증착, SOFC증착

  후, 생성된 액적들을 고온의 기판에 코팅하여 박막을 제조하는 방법이다. ... 증착시키는 다른 방법에 대해 정전 분무 증착법이 부각되는 이유이다.이러한 방법으로 박막을 제조할 경우에는 박막의 형상을 결정시키는 주요 인자들이 있는데 증착의 시간과 기판의 온도, ... 제조하는 과정이다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.10.01

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  [A+] LCD 디스플레이 개념, 특성, 분류, 형대, 구동방식 및 동작방식, 제조공정 방법 구조 분석

  박막공정 유리판에 박막을 증착 ( 기계가공으로는 실현 불가능한 두께 μm 이하의 엷은 막 .) ... TFT - TFT 의 동작방식과 구조 , 공정 - A-Si TFT 의 동작방식과 구조 , 공정 - TFT-LCD 화소의 구성 - A-Si TFT 의 제조공정 - TFT 공정 방법 및 ... 공정비정질 실리콘 (amorphous Si) 이웃하는 4 개의 다른 Si 와 고유결합 수소원자를 연결하여 비정질 실리콘 (a- Si:H ) 생성 a- Si:H : 직접-Si TFT 의 제조공정

  리포트 | 33페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.04.26

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  반도체 및 나노물리학 과제물

  그런데 PZT 박막 제조에 플라즈마를 도입하면 조성조절이 쉬워진다. ... 들 수 있다.PZT 박막의 제조법으로는 소자의 피복성 측면에서 유리한 화학기상증착법(CVD)이 대두되고 있다. ... 200,400도에서 증착하여 제조한다.- RuO2 박막은 dc 마그네트론 스퍼터링법을 사용하여 300도에서 증착한다.증착된 박막의 결정구조는 X선 회절분석기를 통해 분석한다.Pt

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.10.10

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  ITO Pattering 공정 예비보고서

  현재에도 강한 부식액을 써야 하는 공정이나 집적도가 낮은 반도체 제조시에 이용되고 있으나, 현상(Development)시 Pattern의 팽윤(Swelling)현상으로 해상력이 2∼ ... 이 때 사용되는 PR의 두께는 설계된 소자특성에 따라 다르나 어떠한 경우에도 ITO glass 전면에 형성된 박막의 두께 균일도를 5%이하로 유지하여야 한다. ... 반도체 또는 LCD 제조공정에서의 Photo Resist는 빛에너지에 의해 분해 또는 가교 등이 일어나 그 용해 특성이 변화하는 물질로 Photo Resist 위에 원하는 Pattern이

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.02.23

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  염료감응 태양전지 예비보고서

  실험 주제 : 염료감응 태양전지 제조2. ... 염료 감응형 전지에 TiO₂가 이노 크기의 TiO₂를 만드는 방법은 보통 티타늄 알콕 사이드를 산성 분위기 하에서 수화시켜 전도성 유리 위에 박막 형태로 코팅하고, 수분 동안 450 ... 또한 donor와 accepter의 도핑농도가 가급적 커야 하고, 결정의 부피가 얇은 박막과 같이 가급적 작아야 한다.- Fill factor(FF)전지에서 출력의 최적점은 Vm/Im으로

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.10.21

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