"N-F doping" 검색결과 61-80 / 128건

• 

  연료감응형태양전지실험

  전도성 기판투명전도성 기판으로 사용되는 물질은 Sn-doped In2O3 (ITO), F-doped SnO2 (FTO), ZnO 등 다양하다. ... 염료감응 태양전지에 범용적으로 사용되는 투명전도성 물질은 F-doped SnO2 이다.유리 기판 대신 플렉시블 기판을 사용하여 유연성 있는 염료감응 태양전지를 개발하고자 하는 노력이 ... 현재 가장 많이 사용되는 산화물은 TiO2 로서 루테늄계 염료 (상업적인 이름으로 N3, N719가 가장 많이 사용 됨)의 LUMO 에너지 보다 약 0.2 eV 낮은 곳에 TiO2

  리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.10.02

  다운로드 장바구니
• 

  sputtering을 통한 metal deposition 및 I-V, C-V 측정

  substrate n-type substrate출처1. ... 또는 P-type의 Semiconductor의 doping 농도를 높게 하여 Metal과 경계의 barrier 폭을 크게 낮추어 주어 electron들이 tunneling할 수 있도록 ... 기본 unit은 Farad(F)로 나타낸다. 1Farad=1coulomb per volt.Q=CV1) Accumulationp-type substrate면 주 캐리어가 hole→ gate

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.04.21

  다운로드 장바구니
• 

  MOSFET 프리젠테이션

  (Φ F 는 Intrinsic Fermi Level 과 Doped Fermi Leverl 의 전위차 ) 3) Weak Inversion : V FB + Φ F V G V FB + 2Φ ... MOS 의 동작원리 N 채널 공핍형 MOSFET 단면도2. MOSFET 의 동작 gate 에 따른 동작 3. MOS 의 동작원리2. ... F 4) Strong Inversion : V G V FB + 2Φ F Aspect Ratio ( 외형비 ) - 사이즈 비율 W/L 을 Aspect Ratio 라고 한다 .

  리포트 | 37페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.12.09

  다운로드 장바구니
• 

  H2[1].Bard.NL.2006 나노튜브 논문 hwp

  N, C2p 와 O2p 상태를 섞은 결과와 같은 N 또는 C 같은 원자인 산소의 치환 때문에 doped-TiO2는 가시광선에서 흡수된 모델로 제안된다. ... 결합 격차(Eg)는 결합의 끝 쪽에서 광합적 흡수를 한다.α = A(hv - Eg)n / hv (1)A는 상수이고 n은 변화유도를 통한 0.5와 같다. ... 15μm로 두꺼운 TiO2 나노 입자보다 10배 더 광전극 생산이 빠른 3.3μm 길이의 나노튜브 모양에 의존한다.TiO2 나노튜브 배열은 1M(NH4)H2PO4+0.5wt% NH4F의

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.10

  다운로드 장바구니
• 

  유기태양전지의 광전변환 특성과 전망

  Inv03(ITO), F-doped Sn02(FTO),ZnO등 다양 투명전도성 기판을 만들기 위해서는 고분자를 포함하는 슬러리 코팅을 500℃정도에서 열처리, 따라서 온도안정성을 ... -발생된 전하들은 P,N극으로 이동하며 이 현상에 의해 P극과N극 사이에 전위차(광기전력)가 발생하여 이때, 태양전지에 부하를 연결하면 전류가 흐름.유기 태양전지의 구조와 작동원리2 ... ,N749)유기태양전지의 재료와 소재N-형 산화물 띠간격 에너지가 큰 반도체나노결정(직경 15~20nm)산화물을 사용 나노 크기의 물질을 사용 하는 이유는 입자 크기감소에 의한 비표면적

  리포트 | 15페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.07.13

  다운로드 장바구니
• 

  matlab 으로 구현한 Diode equation

  can be written as:where 0 = f(p + n)  (p + n) / 2The R-G Current : Reverse Bias CaseThe R-G Current ... between p-type and n-type material. ... junctions: (where NB is the (bulk) doping on lightly doped side)Nonideal diode characteristic(Avalanching

  리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.14

  다운로드 장바구니
• 

  DSSC의 재료와 응용

  DSSC 재료 – 전극Ex) FTO(Fluorine-doped Tin Oxide, SnO2:F) glass배향하는 면의 제어를 통한 결정의 표면형태 제어 가능 - (a)는 (200) ... -G. Chen, S. Chappel and B. A. Gregg, Chem. Commun. (Cambridge), 2231 (2000). [5] C. Lin, F. Y. ... Gräetzel, Nature, 414, 338 (2001). [2] N. Vlachopoulos, P. Liska, J. Augustynski, and M.

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.06.28

  다운로드 장바구니
• 

  캐리어와 주파수

  Doping농도에 따른 캐리어의 농도e. ... Ef보다 에너지 상태에가 충만될 어떤 확률 f(E)가 있고, Ef보다 낮은 에너지 상태가 비어 있을 대응되는 확률(1-f(E)) 이 있다.b. ... 불순물 농도에 의하여 주로 결정)③ 전류밀도: 단위시간당 단위면적을 지나는 전자수에 전자의 전하를 곱하는 것⇒ Ohm의 법칙으로부터 예측되는 바와 같이 전계에 비례[Jx = q(nμn

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.11.04

  다운로드 장바구니
• 

  염료감응 태양전지

  (ITO) , F-doped(STO) , ZnO 등 다양하다.- 수십 um 두께의 나노입자 산화물 전극을 투명전도성 기판에 만들기 위해서는 고분자를 포함하는 슬러리 코팅을 500℃ ... 이용한 고체 염료감응 태양전지를 개발되었고, 또 다른 효과적인 방법으로 이온성 액체를 이용하는 방법이 보고되었다.(4) 전도성 기판- 투명 전도성 기판으로 사용되는 물질은 Sn-doped ... 화합물 반도체인 Culnse2(CIS)는 p/n 이종 접합구조로 최대효율이 11% 수준이며 인듐(IN) 매장량한계(총 매장량 5.000톤 추정) 때문에 대량생산용으로는 어려움이 있다

  리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.11

  다운로드 장바구니
• 

  [공학]【A+】반도체공정기술[단위공정]

  Wafer 종류1) p-type2) n-type[2] 다결정 Si의 제조2,400℃1. SiO2 + C → Si + CO2(Silica)1,250℃2. ... -다량의 N2 와 소량의 O2 분위기 속· 2단계 ; 산화막 성장 과정 → 산화막 두께 조절.-산화막의 균일도를 위해 wafer를 가스 주입 방향에 수직으로 놓는다. ... 축 반경.Xj =ⅱ) Interference Method: fringe (회절로 인한 줄무늬)의 수.λ : 입사광의 파장.③ doping concentration profile.ⅰ)

  리포트 | 28페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.07.15

  다운로드 장바구니
• 

  Type별 Scrubber 원리 및 반도체 공정,반도체 Gas 특성

  N2반도체 공정 GAS공정별 GAS의 성질 I공 정가스명분자식물과의 반응성연소성기타물질과의 반응성사용상의 주의기 상 에 칭염화수소HCl반응은 안 하여도 물에 잘 용해O2에 대해서 안정F2와 ... )공정AsH3, PH3, PF5, BF3, AsF5, BCl3, SiF4, SF6도핑(Doping)AsH3, H2S, GeH3, SeH2, SbH3, AsF3, PH3, PCl3, ... 중 청백색 불꽃을 내며 탐 As2O3를 발생Cl2와 반응하여 HCl와 As가 됨 (E.R. 0.8~98%)강환원성 탄소강, SUS, 모낼, 놋쇠, 테플론, 바이톤, 나이론, Kel-F

  리포트 | 23페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.02.26

  다운로드 장바구니
• 

  레이저(Laser)란

  (F-filter)레이저 등..반도체 레이저형광 이온이 투명한 유전체에 doping된 것과 반도체의 밴드간 재결합을 이용하는 것 등..또한 고체 레이저와 반도체 레이저는 여기 방법과 ... 레이저이 레이저는 활성 매질이 color center or F-center라고 불리 우는 이온 결정으로 이루어져 있으며 할로겐화 알칼리 (alkali halide) 결정의 결함에서 ... 알려진 고체 레이저 이며 가시광선의 파장에서 1MW 이상 높은 출력을 내는 레이저로서 중요하다.② 네오디뮴(Nd) 레이저네오디뮴(Nd) 이온을 증폭매질로 사용하는 레이저이다.③ F-center

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.04.14

  다운로드 장바구니
• 

  SOI MOSFET 의 Process Parameter 최적화에 관한 연구

  XY.RAT=0.75 PROFILE N-TYPE N.PEAK=1e19 Y.MIN=2 Y.CHAR=0.27 PLOT.2D GRID TITLE= Example 2 - Initial Grid ... Simulation COMMENT Post-Processing of MDEX2F Results COMMENT Plot Ic and IIPT PLOT.OUT=mdex2fp.ps PLOT ... N.PEAK=5e15 UNIFORM OUT.FILE=MDEX2DS PROFILE P-TYPE N.PEAK=6e17 Y.MIN=0.35 Y.CHAR=0.16 +.75 WIDTH=1.5

  리포트 | 24페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.29

  다운로드 장바구니
• 

  반도체 공정에 사용되는 가스들의 특징

  HS↔H++S-H2S황화수소강환원성 탄소강, SUS, 모낼, 놋쇠, 테플론, 바이톤, 나이론, Kel-F등 사용 가능Cl2와 반응하여 HCl와 As가 됨 (E.R. 0.8~98%)공기 ... NH3, CH4, Cl2, MoF6 Carrier Gas는 고순도 H2, N2 사용에피탁시(Epitaxy)화학기상증착(CVD)공정N2, H2 혼합 Gas사용어닐링(Annealing) ... 불꽃을 내며 탐 As2O3를 발생가압 하에서 수화물 발생 용존 산소에 의하여 As로 분해AsH3알신니켈크롬강, 니켈강, 철, 저합금강, 니켈 하스테로이, 인코넬, 데프론, Kel-F

  리포트 | 16페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.12.09 | 수정일 2020.11.03

  다운로드 장바구니
• 

  반도체 공학 개론 HW#2

  Spin의 방향은 외부 자계를 인가하지 않는 한 변하지 않으므로 비휘발성 메모리이다.8) F-RAMF-RAM(또는 Fe-RAM, 강유전체 메모리)는 기존의 DRAM과 가장 유사한 원리를 ... 그리고 이 말은 doping하기가 용이하다는 말도 된다. ... FET(Field Effect Transistor)라고 명명한 이유FET는 N형반도체의 중간 양쪽에 P형 게이트가 있다.

  리포트 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.06.12

  다운로드 장바구니
• 

  수소생산을 위한 광촉매인 TiO2에 대한 연구와 최근 동향

  : band gap A : constant n : direct transitionBand gap modificationDoping of anions(N, F, C, S etc.) in ... modification techniquesAnion dopingαhν=A(hν-Eg)n/2 α : absorption coefficient, ν : light frequency Eg ... Anions less form recombination centersMixing of p states of N with 2p of O VB edge upwards to narrow

  리포트 | 18페이지 | 4,000원 | 등록일 2009.11.27

  다운로드 장바구니
• 

  Layer by layer-polyaniline(LbL) 을 이용한 HCN가스 검출 기체 센서의 개발

  Bechec, F. ... ): [CH]n + 3x/2 I2 -- [CH]nx+ + x I3- radical cation, or polaron 생성 되며 iodine ion과 정전기적인력 형성장점 및 단점 Advantage ... Bˆechec, F. Poncin-Epaillarda •http://images.google.co.kr/imghp{nameOfApplication=Show}

  리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.04.04

  다운로드 장바구니
• 

  MOS소자

  일때의 C의 값은,=1.4 TIMES 10 ^{-12} (F)20nm 일때의 C의 값은,=7.8 TIMES 10 ^{-12} (F)이다.진공유전율의 이론값 εo = 8.8510()실험에서 ... MOSFET도 역시 전도채널의 형식에 따라 n-채널과 p-채널로 구분되며 각각 구조상 증가형(Enhancement type)과 공핍형(Depletion type) 으로 구분한다.증가형은 ... Thermal Oxidation3) Thermal Oxidation4) 산화 공정 변수⇒ Oxidants, wafer crystal orientation, dummy wafer,doping

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.07.04 | 수정일 2016.04.25

  다운로드 장바구니
• 

  반도체공정기술

  ·DOPING:반도체의 전도 형태를 바꿔 주기위해 P형 또는 N형의 불순물을 확산이나 Ion Implantation에 의해서 주입하는 것을 말하며, 이때 주입되는 불순물을 DOPANT라고 ... (=DIAMOND WHEEL)·PADDLE:Chip이 얹혀지는 L/F의 부분. Chip size에 따라 PADDLE size가 결정된다. ... ·WIRE BONDING:Chip상의 BONDING PAD와 L/F의 INNER LEAD TIP을 금세선(혹은 알루미 늄세선)으로 접합시켜주는 과정.THERMO COMPRESSIONBONDING

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.09.12

  다운로드 장바구니
• 

  CMOS 기술

  Temperature variation : R = f(T)ing time (depletion)1. ... Shallow implantation adjusts the threshold voltages of both n- and p-channel transistors.Double implanted ... Korea UniversityContentsMOS Inverters The n-Channel (NMOS) Technology The CMOS Technology Threshold Control

  리포트 | 66페이지 | 4,000원 | 등록일 2007.03.02

  다운로드 장바구니