"schottky" 검색결과 41-60 / 62건

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  9조 pre 5주 diode

  낮은 전압에서는 큰 저항값을 높은 전압에서는 작은 저항값을 가져 서지(Surge) 전압 보호 또는 흡수(Absord)에 사용됨쇼트키 다이오드(schottky Diode)금속 (금, ... 그리고==2.15mA가 나온다.Piecewise-Linear Model을 사용하였을 때 (VDO=0.65V, rD=20Ω)이번 모델은 위의 constant voltage drop model에서 ... 다이오드 전압(VD)이상의 전압을 다이오드 양단에 걸어주어야 전류가 흐르게 된다.Piecewise-Linear Model위와 같이 동작하는 piecewise-linear model은 constant

  리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.03.06

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  Ideal 반도체 설계

  Metal 종류의 선택과 선택 이유metal과 semiconductor의 접합 방법을 알아보면 크게 ohmic접합과 schottky 접합이 있다. ohmic접합은 current-voltage ... (I-V)의 모양이 선형적이고 대칭으로 나타는 접합이고 낮은 저항에서 안정한 접합이 일어나며 회로의 특징이 잘 일어나게 되고 전류가 양쪽으로 흐를 수 있다. schottky접합은 ... 주로 필요로 하기 때문에 Ohmic contact을 하도록 정한다.

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.12.03

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  9조 pre 6주 diode 심화

  낮은 전압에서는 큰 저항값을 높은 전압에서는 작은 저항값을 가져 서지(Surge) 전압 보호 또는 흡수(Absord)에 사용됨쇼트키 다이오드(schottky Diode)금속 (금, ... Hyperlink "http://terms.naver.com/entry.nhn? ... 다이오드 전압(VD)이상의 전압을 다이오드 양단에 걸어주어야 전류가 흐르게 된다.Piecewise-Linear Model위와 같이 동작하는 piecewise-linear model은 constant

  리포트 | 8페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.03.06

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  [전자공학실험] diode 응용회로

  로 했을때 밑의 잘리는 부분이 schottky 가 더 많이 잘리는 것을 볼수 있다.(1) 전압강하가 많이 일어나는 정류 다이오드(0.6V)보다 schottky가 이와같은 회로에서는 ... 걸리는 전압+schottky다이오드의 전압 강하 만큼만 일어나기 때문에 위아래로 곡선이 잘라지는 것이 커지는 것이다.5) 쇼트키 다이오드와의 차이 비교) 오실로 스코프 파형가) schottky ... 다이오드는 주로 고속동작을 필요로 하는 고주파 및 고속 스위칭용으로 이용된다.나) schottky다이오드의 경우에는 전압강하가 0.2V 정도뿐이 안 알어나기 때문에 역방향으로 걸리는

  리포트 | 31페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.10.08

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  Schottky Contact & Ohmic Contact

  BiasMetaln-type si--MetalEfmEcEvq(v0-v)qvEfsReverse BiasMetaln-type siMetalEfmEcEvq(v0+ v)Efs--V-I 특성 ... Φ[V]를 뛰어 넘어 금속외부로 나오게 된다.Schottky Contact ( Before Schottky Contact (Φm Φnsi )MetalEfmE=0E fsN-type siEcEv ... 곡선I0V0Forward biasReverse biasOhmic Contact ( Before Ohmic Contact (Φm Φpsi )E=0MetalEfmEcEfsEvP-type si

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.12.11

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  Metal semiconductor contact(금속 반도체 접합)

  Nonrectifying Contact(1)Ohmic contactn-type (Φm Φs)Contents Ⅰ. M-S Contact 1. Rectifying Contact 2. ... Rectifying Contact(3)Forward, Reverse bias and I-V characteristicV0 = Φm - ΦsContents Ⅰ. ... contactContents Ⅰ.

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.01.25 | 수정일 2017.02.17

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  중간고사_물리전자

  따라서 결함을 만들 때는 전기적 중성을 유지하도록 하는 데 schottky defect는 이온 결합에서 +를 띠는 Na와 –를 띠는 Cl이 동시에 없는 결함을 말하며 Frenkel ... (5점) (see picture, 4 tetrahedral bonding structure )(c). ... 만약에 E=105 V/cm 라고 하고, 전자의 이동 속도(vd)가 106 m/s라 하면 전류의 밀도 J는 얼마나 되나? 이동도 (mobility) u ? (8점) (c).

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.28

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  HEMT이용한 주파수 2체배기 설계 및 제작 (diode 체배기 설계및 제작)

  recovery diode(SRD) 와 schottky diode 등을 이용한 다이오드 주파수 체배기와 HEMT를 이용한 주파수 체배기가 있다. ... recovery diode), SBD(schottky barrier diode)와, 그리고 microwave BJT와 GaAs FET 등이 있다.2단자 비선형 저항을 이용한여 N ... 설계규격그림 1. schematic of multiplier그림 2. simulation 결과Ⅳ.

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.06.02

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  Microwave파형측정

  실험장치Shottky diode, YIG oscillator, wave guide, sliding antenna, shottky diode detector, oscilloscope, ... 그리고 isolator, attenuator, directional coupler, phase shifter, circulator 등의 microwave 장치들의 특성을 확인해보고 ... isolator, attenuator, directional coupler, phase shifter, circulatorFig.1 Setup① YIG oscillator : 마이크로파

  리포트 | 9페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.01.11

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  [전자공학실험] 다이오드응용회로(결과)

  실험 검토 및 토론(0) schottky 다이오드는 주로 고속동작을 필요로 하는 고주파 및 고속 스위칭용으로 이용된다.(1) schottky다이오드의 경우에는 전압강하가 0.2V 정도뿐이 ... V1>V3(0) V1=5 , V2= 0, V3= 3Vp-p(1)= 5.188V, Vp-p(2)= 3.812VVrms(1)= 1.877V, Vrms(2)= 1.512V다. schottky ... 하지만 두 GND를 동일하게 사용하면 short가 난다. 그러므로 출력과 입력값의 파형을 따로 측정해야 한다.

  리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.10.09

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  박막의 응용분야, 각각의 property 별로 정리

  이러한 schottky 장벽은 분자선 에피탁시 방법으로 만든 GaAs 의 단결정 박막위에 Al 박막을 증착하여 제조된다. ... 이와 같이 만든 schottky 다이오드는 동작속도가 크게 개선되므로 mm파의 범위에서 믹싱으로 사용되고 있다.평판형 쌍극 트랜지스터는 마스킹을 사용한 박막기술로 제조될 수 있다. ... 더 나아가 우리가 잘 알고 있는 액정디스플레이(LCD)와 플라즈마디스플레이(PDP) 에서의 박막의 응용도 알아 보았다.다이오드는 원리적으로 적당한 접촉이 되어있는 p-n접합이며, schottky

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.01.24

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  금속-반도체 접합

  > Φnsi : Schottky contactMetal / P-siΦm < Φnsi : Ohmic contactΦm < Φpsi : Schottky contactΦm > Φpsi ... : Ohmic contact..PAGE:3Metal-Semiconductor ContactSchottky ContactOhmic ContactWork function difference ... 8Forward BiasMetaln-type si--MetalEfmEcEvq(v0-v)qvEfs..PAGE:9Reverse BiasMetaln-type siMetalEfmEcEvq(

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.11.14 | 수정일 2019.04.09

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  flyback 방식 smps 졸업작품 결과보고서

  것으로 코어를 선정하였다.▶ STEP-9 : 출력 rectifier 다이오드 선정- 출력 다이오드에 걸리게 될 전압과 전류를 계산하여 준다.= 31V= 2.53A- 60V/3A schottky ... 결정한다.1) CCM(continuous conduction mode)2) DCM(discontinuous conduction mode)- 각각의 장점과 단점이 있다.DCM을 사용하면 ... 보통 single출력의 Kf=0.2로 잡는다.

  리포트 | 25페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.05.09

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  비직선회로와스위치회로

  물론 일반 60hz 파형에서는 거의문제가 없지만 수십~수백khz정류에서는 문제가 발생하는데 이런 경우는 역회복시간이 짧은 fast recovery diode나 schottky barrier ... 그림 2-1 (a)와 같은 회로에서 교류전압 v(t) = Vm sinωt가 주어졌을 때, 입력파형과 출력파형을 비교하면 그림 2-1 (b)와 같이 나타낼 수 있다. ... 변압기의 중간탭을 이용한 전파정류회로여기서 vi1(t) = vi2(t) = Vm sinωt라고 했을 때 입력파형과 출력파형을 그림 2-2 (b)에 나타내고 있다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.17

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  전자부품종류및 특징

  쓰이는 패밀리를 증가시켜 다양한 패밀리가있음74 : TTL패밀리의 표준품,현재는 단종74L : 저소비전력TTL74H : 소비전력은 크나 고속동장, 별로쓰이지않음74S : SBD(schottky ... cmos74HCU : high speed cmos의 버퍼없는 타입74HCT : high speed cmos, 입력 threshod 전압이 TTL레벨타입74AC : advanced ... cmos74ACT ; advanced cmos, 입력 threshod 전압이 TTL레벨타입3.TTL : 복수개의 트랜지스터에 의해 논리 게이트를 구성74시리즈를 비롯하여 각종의 용도에

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.05.18

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  AND·OR·NOT 게이트 실험(예비보고서)

  74: 0 ~ 70°C)LS : TTL의 분류S : 쇼트키(schottky)H : 고속 TTLL : 저전력 TTLLS : 저전력 쇼트키 TTL04 : IC 종류별로 붙이는 연속 번호 ... 실험 기본 이론1) 디지털 논리회로(Digital logic circuit)디지털 논리회로는 조합논리회로(combinational logic circuit)와 순서논리회로(sequential ... )디지털 멀티미터(DDM)브레드 보드(bread board)기 타Jumper wireWire stripper(또는 nipper)2.

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.16 | 수정일 2015.04.04

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  [화학실험] 마그네슘의연소

  점결함에 공위(空位)로서 격자 점에 원자가 결여된 쇼트키 결함(schottky defect), 격자간 원자에서 정상의 격자점이 어긋나 격자 사이로 이동하였을 때 생기는 공위와 격자 ... 따라서, 돌턴의 원자설 중 ①,②,③항과 같은 내용은 수정되어야 한다.(2) 연소 (combustion)빛과 열을 방출하여 물질이 산소와 반응하는 것. ... 따라서, 이들은 일정 성분비의 법칙이 적용되지 않는다.격자간 화합물(interstitial compound)은 결정성 화합물로서 금속(보통은 전이금속)의 격자 사이에 비금속원소(수소

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.11.13

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  금속의 표면저항

  schottky conduct인지 ohmic conduct인지를 curve-tracer를 사용하여 건조를 마친 시편13를 각각 시험해본다. ... 더욱이 그나마도 후에 선이 떨어지는 경우도 허다하여 실험자들이 실망하기도 하였다.정작 문제는 schottky conduct인지 ohmic conduct인지 알아보는 과정이었는데 13개의 ... 이것은 열발생을 최소한으로 해준다.ρ = sample resistivity (in Ω·cm)d = conducting layer thickness (in cm)I ₁₂ = 전류를 측정하기

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.10.16

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  화합물반도체

  row_id=2409 pk=776 set_id=0 dbname=t_tech_analysishttp://blog.naver.com/ioyou64http://www.icbank.com/ ... 면화합물 반도체의 특성(Ⅲ−Ⅴ, Ⅱ−Ⅳ)화합물 반도체의 재료 및 특성Ⅰ.1.1950년대 화합물 반도체가 우수하다는 것이 이론적으로 입증 2.1966년 GaAs 쇼트키 게이트(Sc- hottky ... /reseach/main.htmhttp://chem.yonsei.ac.kr/%7Echeon/%C8%AD%C7%D0%BC%BC%B0%E8/chemw1.htmhttp://patent.naver.com

  리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.20

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  [물리실험]Micro-Wave 파형측정

  실험장치 : Gunn diode oscillator, wave guide, sliding antenna, shottky diode detector,oscilloscope.5. ... 실험방법< Setting >>1> gunn oscilloscope power supplier의 voltage control knob를 minimum 위치로 한다.2> power를 켠다 ... . mode는 square wave를 택한다.3> voltage control knob를 돌려서 6V가 되게 한다.< Observation >>4> Oscilloscope에 나타나는

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.06.07

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