"전자응용실험" 검색결과 41-60 / 10,355건

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  전자공학응용실험 - 차동증폭기 기초실험 결과레포트

  실험 제목 : 실험 20. 차동 증폭기 기초 실험2. ... 실험 결과 :(1) 실험회로를 구성하고 출력 공통모드 전압=5V가 되게하는 RD=5.34KΩ (2) 입력 공통모드 전압을 바꾸었을 때, 출력 공통모드 전압이 4~6V사이가 되는 범위RD ... 또한 Vpp를 더 높였을 때, 출력파형이 clipping 일어나는 Vpp=200mV를 관찰 할 수 있었다.첫 번째 실험에서 회로를 구성하여 실험을 진행하였을 때, Vout값을 측정할

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.12.20

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  전자공학응용실험 - 다단증폭기 예비레포트

  실험 제목 : 실험 15. 다단 증폭기2. 실험 목적 :[실험 11], [실험 12], [실험 13]에서는 MOSFET을 이용한 기본적인 단일단 증폭기들에 대해 살펴보았다. ... Pspice simulation :(1) 2단 증폭기 (실험회로1) : (2) 3단 증폭기 (실험회로2) :7. ... 실험 방법 :2단 증폭기 :(1) 실험회로 1에서 VDD=12V, VSIG=0V, RD1=10k, RS1=RS2=5k, R1=R2=100k, R2=R4=50k,단자들의 전압을 바탕으로

  리포트 | 11페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.12.20

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  [부산대 응용전기전자실험2] 사이리스터 예비보고서

  실험목적- Thyristor 의 동작원리에 대해 이해한다2.

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.03.15 | 수정일 2024.04.15

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  [부산대 응용전기전자실험2] MOSFET 예비보고서

  실험목적- MOSFET buck chopper 의 원리를 이해한다- MOSFET boost chopper 의 원리를 이해한다2. 관련이론DC/DC 컨버터란 ?

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.03.15

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  전자응용실험 9장 결과 [MOSFET 기판 전류 측정]

  전자응용실험1실험?. MOSFET 기판 전류 측정[결과보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조조원제출일2019-04-15실험 9MOSFET 기판 전류 측정5. ... 부호인 것을 제외하면 책의 게이트 전압과 기판전류의 그래프와 비슷하다 ]비고 및 고찰이번 실험은 드레인 전압과 게이트 전압에 따라 기판전류가 어떻게 나타나는지 알아보는 실험이었다. ... 실험 방법(1) 다음 그림처럼 MOSFET이 바이어스되게 연결한다. 각 단자들은 다음 조건들을 만족하도록 한다.

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15

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  전자응용실험 3장 결과 [BJT 출력 특성 측정]

  전자응용실험1실험?. BJT 출력 특성 측정[결과보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조조원제출일2019-03-186. ... 공통 에미터 특성 (I _{c} `vsV _{CE}) 그래프를 이용하여 기울기와I _{C}를 측정하여 얼리전압(VAF)를 구하는 실험이였다. ... 실험 결과(1) 공통 에미터 특성 곡선 IC vs VCE를 그려라.기울기&= dI_C over dV_CE BIGG | phantom 1 atop {(V_BE = 상수)} #& = dI_C

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15

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  [부산대 응용전기전자실험2] 풍력 예비보고서

  풍력 터빈풍력 터빈은 바람의 기계 에너지를 전기에너지로 변환하는 데 사용되는 회전하는 장치이다.최근 다양한 풍력 터빈들이 전기를 만들어내고 있다. 이러한 터빈들은 블레이드가 회전하는 축을 기준으로 하여 두가지 타입으로 분류된다- 수평축 풍력 터빈 (HAWT) : 회전하..

  리포트 | 13페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.03.15

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  울산대학교 전기전자실험 20. 비교기 회로와 응용

  비교기 회로와 응용부품들의 측정값표시값3kΩ3kΩ측정값2.96kΩ2.95kΩ3kΩ3kΩ10kΩ2.96kΩ2.97kΩ9.8kΩ10kΩ10kΩ10kΩ9.8kΩ9.9kΩ9.8Ωk20kΩ20kΩ19.78kΩ19.8kΩ1 ... 결론이번 실험은 op-amp와 비교기의 차이를 파악하는 것이 목적이다.두 회로는 +입력 단자 전위 > -입력 단자 전위=> high level을 출력+입력 단자 전위 < -입력 단자 ... } = 6.735V(LED on)(측정값)V _{i} = 6.734V(LED on)Q1.V _{i}는 (-)입력,V _{Ref}는(+)입력이 되도록 2번 3번 단자 연결을 바꾸고 실험을

  리포트 | 1페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.03.23 | 수정일 2024.03.25

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  [전자공학응용실험] 다단 증폭기(Multistage Amplifier) 결과레포트

  실험에 앞서 50k였던 저항을 40k로 줄였는데, 이는 게이트에 인가되는 Vdc의 전압분배 양을 늘리기 위함이었다. ... Discussions우선 실험에 앞서 Pspice를 통해 시뮬레이션했던 소자와 실제 사용된 MOSFET은 Vth와 gm의 값이 다르게 측정되었다.

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.12.19

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  [전자공학응용실험] 다단 증폭기(Multistage Amplifier) 예비레포트

  Object이전 실험들에서 익힌 MOSFET을 이용한 증폭기가 입-출력 임피던스의 차이가 클 경우, 다단증폭기를 사용하게 된다. ... 이 실험에서는 다단증폭기를 구성하고 그 특성을 분석하고자 한다.2. Related thories좌측은 다단 증폭기를 개념적으로 나타낸 것이다.

  리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.12.19

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  [전자회로설계 결과보고서][실험 02] 다이오드 응용

  ① [실험 3-1] : 다이오드만 있는 경우- [실험 3-1] 시뮬레이션을 통해 입력 전압과 출력 전압의 관계를 살펴볼 수 있었다.- 입력 전압이 양(+)의 주기인지, 음의 주기인지에 ... 3-2] : 다이오드에 직류 전압을 인가한 경우- [실험 3-1]과 다르게 다이오드에 직류 전압을 인가함에 따라 발생하는 결과를 확인할 수 있다. - 다이오드와 직류 전압원 각각의 ... 반대의 경우, 출력 전압은 입력 전압의 그래프와 같았다. - 또한, 다이오드 클리핑 회로는 입력 전압의 양(+)의 영역을 제한하거나 자르는 역할을 한다는 사실을 볼 수 있었다. ② [실험

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.01.29

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  전자응용실험 8장 예비 [MOSFET Subthreshold 특성 측정]

  전자응용실험1실험?. ... MOSFET Subthreshold 특성 측정[예비보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조조원제출일2019-04-08실험 8MOSFET Subthreshold 특성 측정1. ... 실험 목적MOSFET의 subthreshold slope을 측정한다.2.

  리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15

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  전자응용실험 9장 예비 [MOSFET 기판 전류 측정]

  전자응용실험1실험?. MOSFET 기판 전류 측정[예비보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조조원제출일2019-04-08실험 9MOSFET 기판 전류 측정1. ... 실험 목적Hot carrier effects에 의해 일어나는 MOSFET의 기판 전류를 측정한다.2. ... Impact ionization에 의해 발생한 전자-정공쌍 중에서 전자는 드레인으로 이동하여 드레인 전류가 되며, 정공은 기판으로 이동한다.

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15

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  전자응용실험 3장 예비 [BJT 출력 특성 측정]

  전자응용실험1실험?. BJT 출력 특성 측정[예비보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과조11조조원제출일2019-03-181. ... 실험 목적바이폴라 트랜지스터의 소자 성능을 평가하기 위하여, 공통 에미터 IC vs VCE 출력 특성 곡선을 측정하고 이 곡선으로부터 Early 전압(VAF)을 측정한다.2. ... 콜렉터 전류는 베이스에서의 전자의 확산 전류로 이는 전자 농도의 기울기에 비례한다.

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15

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  단국대 응용전자전기실험2 실험 14. MOSFET 특성실험

  2018년도 응용전자전기실험1 결과보고서실험 14. ... MOSFET 특성실험제출일: 2018년 09월 18일분 반학 번조성 명■실험방법-수업 시간에 설명한 MOSFET을 이용한 증폭이 가능한지 파형을 통해 확인하고V _{T}이상의 전압이 ... ■실험결과-실험을 진행한 결과 다음 그림과 같은 파형이 출력되었다. 노란색은 소스에서 출력되는 파형을 찍은 것이고, 파란색은 드레인에서 출력되는 파형을 찍은 것이다.

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.05.13

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  [전자공학응용실험] 아날로그 디지털 변환기(ADC) 결과레포트

  Discussions이번 실험에서는 아날로그-디지털 변환기의 동작과 성능을 평가하는 여러 파라미터들을 알아보았다. ... Pspice에서는 Converter의 Vcc가 이미 내장되어 있는데 실험에서는 따로 존재하여 입력해주어야 했다. ... 이 중 400kHz는 A0가 제대로 나오는 최대 동작 주파수이다.이는 실험으로 확인한 결과이며 Simulation에서도 마찬가지로 확인이 되었다.3.

  리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.12.19

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  [전자공학응용실험] 아날로그 디지털 변환기(ADC) 예비레포트

  References단계별로 배우는 전자회로실험Microelectric_circuit by sedra/smithIntegrated Circuit Design 4e International ... Experimental procedure- 실험회로를 구성하고 입력 전압을 descrete하게 나눠서 인가하여 DNL, INL 오프셋 이득 오차를 구하라.- 실험회로에 사인파를 인가하여 ... Object이번 실험에서는 ADC, 아날로그 신호를 디지털로 신호로 변환하는 아날로그-디지털 변환기의 동작과 원리 성능 파라미터에 대해 확인하고자 한다.

  리포트 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.12.19

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  교류및전자회로실험 실험6 제너다이오드와 응용회로 예비보고서

  교류및전자회로실험예비레포트담당교수:학과:학번:이름:목차실험 명2실험 개요2이론 조사2실험 기기5예비보고서 문제풀이6실험 순서8참고 문헌20실험명실험 6. ... 제너다이오드와 응용회로실험 개요제너다이오드의 특성곡선을 관측하고 제너전압을 실험적으로 측정하여 본다. ... 제너다이오드의 특성곡선 관측을 통해 오실로스코프의 X-Y 모드 사용법을 숙달하며 제너다이오드를 이용한 리미터회로의 동작을 실험적으로 확인한다.이론조사-제너 다이오드정방향에서는 일반

  리포트 | 27페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.06.22

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  교류및전자회로실험 실험6_제너다이오드와 응용회로 결과보고서

  교류및전자회로실험결과레포트담당교수:학과:학번:이름:목차실험 명2실험 개요2실험 결과2결과 보고서15실험 고찰19실험명실험 6. 제너다이오드와 응용회로2. ... 실험 개요제너다이오드의 특성곡선을 관측하고 제너전압을 실험적으로 측정하여 본다. ... 제너다이오드의 특성곡선 관측을 통해 오실로스코프의 X-Y 모드 사용법을 숙달하며 제너다이오드를 이용한 리미터회로의 동작을 실험적으로 확인한다.3.

  리포트 | 32페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.08.17

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  [응용 전기전자 실험] 정전류 회로, DC supply 회로

  REPORT제 목 : 정전류 회로 / DC Power supply과목응용전기전자실험1분반학과학번이름제출 일자1.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.09.12

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