"Thermal Oxidation" 검색결과 361-380 / 509건

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  SOFC(고체 산화물 연료전지)의 분석 및 발전 방향

  반응시 산소와의 접촉면적이 감소하고 저항이 증가하여 장시간 안정성을 감소높은 산소이온 전도도산소환원반응이 일어나는 면적을 넓힐 수 있음(혼합 전도성을 요구)이종재료 간의 thermal ... The advantage of this combined - olid Oxid Fuel Cell (SOFC) generator and a down-stream micro hot-gas ... Schematic diagram of the cell configuration and reactor system used in the thermally self-sustaining

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.10.09

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  카본나노튜브 유체의 특성분석, 복합유체제조 및 전자현미경 분석

  microscope etc.Preparation for Next term project, investigate data for Carbon Nanotube & Alumina oxide ... & Nano-Fluid.Key Words : Carbon Nanotube(탄소나노튜브), Alumina oxide(알루미나 옥사이드), Nano Particle(나노 파티클), Nano ... Thermal conduxtivity is very high between Carbon Nanotube and existing any material.

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.11.28

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  연료전지

  반응식은 다음과같다.H2 + CO32- → 2H2O + CO2 + 2e- O2 + 2CO2 + 4e- → 2CO32-CO + CO32- → 2CO2 + 2e-③ Solid oxide ... 그리고 H2-O2 연료전지에서 전체 압력이 1atm에서 10atm으로 증가하면 Cell Potential은 45mV 정도 변한다.thermal neutral potential에 대한 ... 온도가 올라가면 thermal neutral voltage는 거의 일정하지만 연료전지의 이론적 Cell Voltage가 0.85 mV/K 정도 낮아지는 결과가 발생하는데 이는 반응생성물인

  리포트 | 19페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.06.10

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  ReRam,RRAM,저항메모리 기능과메카니즘

  줄열이 발생라는 부분에 전도성 필라멘트가 형성하는 물질은 전극에서 절연막으로 이동해온 금속일 수도 있고 잔류유기물에 있었던 탄소일 수도 있으며 절연물이 분해하며 생긴 sub-oxide일수도 ... 메커니즘저항변화 스윗칭에 있어, 사용한 물질이나 구조에 따라 여러 가지 메커니즘이 제안되었는데, 스윗칭을 유발하는 주된 요인이 무엇인가에 따라 다음과 같이 요약하여 보았다.4.1 Thermal

  리포트 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.03.07

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  박막제조

  PVD(Physical Vapor Deposition)PVD에 해당하는 증착법에는 스퍼터링 (Sputtering), 전자빔증착법 (E-beam evaporation), 열증착법 (Thermal ... Amini-2-propoxide)고체, 갈색계통의 파우더대응반응물 : H* (수소플라즈마)150Wattwafer : SiO2(3000Å)/Si(100)(가) 시편 준비(Silicon Oxide

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.30

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  Short Channel Effect와 개선방법

  (그림5) 따라서 이를 방지하기 위한 방법은 다음과 같다.1) 붕소 대신 확산정도가 작은 In(인듐)으로 p-sub doping2) RTA (Rapid Thermal Annealing ... 따라서 oxide-nitride-oxide 구조는 Cat. ... 이를 해결하기 위한 방법은 ONO structure (oxide-nitride-oxide 구조)가 있다.위의 그림에서 보는 것이 ONO structure (oxide-nitride-oxide

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.11.13

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  IGC

  ●thermal CVD와 매우 흡사●나노분말 생성원료(precursor)로 금속유기물을 이용하는데 가스상태로 변화한 다음 정밀한 유속하에서 반응가열대로 주입●연속적으로 대량의 생산성을 ... 그연이어서 투과전자현미경 사진과 X선회절분석 시험결과들이다.nano SnO2의 가스센서로서의 특성Tin Oxide (SnO2)○ n-형 반도체, 난소결성, 표면적이 큰 다공체로 안정하게 ... semiconductor : ρj가 온도에 크게 의존☆ ionic conductor : μj가 온도에 크게 의존○ Three mechanisms for carrier generation in oxide

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.11.14

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  반도체공정 (Metallization)

  각각은 silicide 형성 후 thermal step이수반되는 deposition이 포함된다.◎ Silicon 위에 pure metal의 depositiring level이 사용될 ... 이는 보통 deposited oxide, silicon nitride 나 polymide film으로 구성되어 있다. ... oxidizing 반응물 안에서의 stability◎ 고온에서의 stability◎ Smooth surface feature◎ Aluminum metallization까지의 안정된

  리포트 | 18페이지 | 4,500원 | 등록일 2007.01.27

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  [환경공학]VOC 제거기술

  ), 촉매산화법(Catalystic oxidation) 등이 있으며, 지금까지 사용되거나 개발중인 방법은 【Table 1】에서 보는 바와 같이 크게 분해기술과 회수기술로 대별된다. ... 촉매산화법(Catalystic oxidation)촉매산화법은 식 (2-2)와 같이 고정원에서 발생되는 VOCs를 촉매를 이용하여 연소시켜 제거하는 방법으로서, 직접연소법에 비해 낮은 ... 현재 보편적으로 사용되고 있는 기술로는 직접연소법(Thermal incineration), 흡수법(Absorption), 흡착법(Adsorption), 응축법(Condensation

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.02.13

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  [공학기술]산화공정(Oxidation)

  그 중에서 이번 실험에서는 열 산화(Thermal oxidation)방법에 대해 소개 할 것이다. ... 1.실험 목표실리콘이 집적회로에 많이 사용되는 중요한 이유 중의 하나는 훌륭한 산화층(oxide), SiO2를 형성할 수 있다는 것이다.이 산화층은 절연체로서MOSFET과 같은 소자 ... 산화막은 wet oxidation으로 형성된 산화막으로 외부의 오염물질로부터 기판을 보호하면서 diffusion이나 implata 건식식각용 반응기체 등과 잘 반응하지 않는 안정적인

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.05.24

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  트리즈(TRIZ) , 창의적 문제해결 방법론

  Expansion 열팽창 (38) Strong Oxidants 산화제로 반응 활성화(39) Inert Atmosphere 불활성 가스를 사용?? ... 것으로 (34) Discarding and Recovering 버리고재생(35) Parameter Change 인자 값 조정 (36) Phase Transition 상변화(37) Thermal

  리포트 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.06.03

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  [반도체공정] 산화막 공정( Oxidation Process )

  Oxide) : Dry Oxide 와 Wet Oxide② 양극산화피막(Anodization)3) 증착산화막(Deposited Oxide)① CVD (Thermal CVD, PE-CVD ... 두껍고 불균질해도 산화막의 역할을 할 수 있는 경우.(4) 형성에 따른 산화막의 분류1) 자연산화막(Native Oxide)일종의 thermal oxide, 상온의 Bare Si에서도 ... 공기중에 노출되면 15～20Å 형성(상온에서의 Si과 O의 movility가 한정되어 25Å정도이며, 40Å이 실질적 한계)2) 성장산화막(Grown Oxide)① 열산화막(Thermal

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.13

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  박막의 제조방법

  decomposition (or pyrolysis) 반응② Reduction 반응③ Oxidation and Hydrolysis 반응④ Carbides 와 Nitrides를 형성하기 ... 것을 나타낸다.일반적으로 Thermal decomposition 반응을 사용함으로써 상당히 깨끗한coating을 이룰 수 있다. ... 화학적 증착법(Chemical Vapor Deposition)1) CVD의 정의2) CVD 원리 및 과정3) CVD의 성장기구4) CVD의 특징5) CVD 반응의 따른 분류① Thermal

  리포트 | 52페이지 | 3,000원 | 등록일 2006.12.06

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  반도체 용어 정리

  RTARapid Thermal Annealing ☞ 급속 열적 어닐링이 방법은 온도의 급속한 ramp-up과 급속 cool-down에 기반을 둔다. ... 이름에서 말하듯 이 공정은 상대적(wet oxidation에 비해)으로 저온(~500'C)에서 이뤄지며 증착율은 크지 않다. ... LOCOSLocal Oxidation of Silicon반도체 기판 상에 산화막을 선택적으로 성장시켜 소자 분리막을 형성하는 방법이며 기판상에 제작한 트랜지스터 사이에 있는 실리콘에

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.23

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  정전척(Electrostatic Chuck)

  Transition metal oxides의 첨가일본의 T. Watanabe와 T. Kitabayashi는 알루미나 정전 척의 정전력 향상을 위해 전이금속산화물을 첨가하였다. ... 열팽창 정도는 온도영역에 따라서 다르고 선팽창계수는 표 3 과 같다.표 Thermal Expansion Coefficient of AIN측정온도영역(℃)열팽창계수( × 10-6cm/

  리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.03.18

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  [반도체공학] ION IMPLANTATION & RAPID THERMAL PROCESS

  Oxidation(RTO) - O2 and N2O - General process parameters for an oxide thickness of 20~150Å : 1000℃~1100 ... CHANNELING을 억재하기 위한방법 - IMPLANT ANGLE (Tilt/Twist)을 이용한다. - OXIDE와 같은 AMORPHOUS LAYER를 사용한다. - Si, Ge등으로 ... ION IMPLANTATION RAPID THERMAL PROCESS1. IMPLANT PROCESS의 이해 2.

  리포트 | 33페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.02.21

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  SOFC에 대한 연구

  PerovskiteParticle Size1.2μm1.2μm0.5~1.2μm1.2μmElectrical conductivityσ＞200S/cm@800℃σ＞250S/cm@600℃σ＞200S/cm@700℃Thermal ... 특히 고체산화물 연료전지(Solid Oxide Fuel Cell;SOFC)는 동작온도가 상당히 높고(500~1000℃) 에너지 효율이 높아 전세계적으로 활발한 연구가 진행되고 있다. ... Oxide ion conductivity of different electrolyte materials as a function of a) reciprocal temperature,

  리포트 | 11페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.09.01

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  Polymerization by enzymatic catalysts

  previous experiments in bulk solution had many limitations in practical applications, resulting in low thermal ... Of the many catalysts, the most effective are acetates of Pb(II), Pb(IV), Zn, Mg, Ca, Co, and Cd, oxides ... 4-Membered) : β-PLM=4 (6-Membered) :xidase from Phanerochaete chrysosporium was used to perform the oxidation

  리포트 | 19페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.03.15

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  [재료공학실험]thermal evaporation system

  deposition)-순수 저항에 의한 방법의 대체로써 내화성 산화물(refractory oxide)와 질화물(nitride) 용기를 경화하여 사용. ... 패러대이의 이러한 시도는 1880년 후반 열 기화법(thermal evaporation)을 발명하는 기초가 되었다. ... 증발 증착법(순수저항이용)도선에 흐르는 전기의 순수 저항을 이용하여 가열하는 방법으로 텅스텐, 탄탈륨 등을 이용하거나 접점저항을 이용하여 가열함.저항체의 종류용어설명Chamber-Thermal

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.06.03

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  박막 증착 방법의 종류

  열 증발 증착법 (thermal evaporation deposition) 유도열 증발 증착법 (inductive thermal evaporation deposition) 전자빔 증발 ... 산화물(oxide) or 질화물(nitride)에 사용.가열기전극웨이퍼전극RF 동력 입력가스 배출구, 펌프가스 주입구 (SiH4, O2)플라즈마화학 기상 증착법(CVD):APCVDAtmospheric ... process easy to control composition easy mechanism good adhesion safe process high dep. rate장점PECVD, Thermal

  리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.01.16

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