"접합형 전계효과" 검색결과 321-340 / 683건

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  태양광 발전

  자유로이 이동하다가 PN 접합에 의해 생긴 전계 (-) 에 들어오게 되면 전자는 N 형 반도체 에 정공 (+) 은 P 형 반도체에 이르게 됨 . ... 이 PN 접합에 의한 전계가 발생함 . 이 태양전지에 빛이 입사되면 반도체내의 전자 (-) 와 정공 (+) 이 여기되어 반도체 내부 를 자유로이 이동하는 상태가 됨 . ... 빛을 조사하면 광전효과에 의해 광기전력이 일어나는 것을 이용한 것 .

  리포트 | 20페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.06.27

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  전자회로실험 12장] JFET 특성

  전원9V 건전지와 홀더▶ 이론개요접합 전계효과 트랜지스터(JFET)는 단극 전도소자이다. ... 이상적으로 쇼클리 방정식에 의해서 결정된 바와 같이 전달특성은 VDS의 효과는 무시되고, 주어진 VGS에 대해 그림12-3의 특성곡선은 수평으로 가정한다.a.

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.01.10 | 수정일 2014.02.01

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  반도체 종류와 성질

  저항값이 내려가므로 광검출기로 이용한다.② 단접합 : 정류, 검파용 다이오드, 정전압 특성의 제너다이오드, 전계효과 트랜지스터 (FET) 등에 이용한다.③ 2중 접합 : pnp형 ... 한 방향으로만 전류가 흐르는 정류 현상이 일어난다.⑤ 자계에 의해 저항률이 변화하며, 이에 따른 홀(Hall) 효과가 있다.* 참고 (원자의 구조와 가전자)어떤 물질을 계속해서 분할해 ... 이에 대해, 접합면이 2개개가 있는 것은 2중 접합(더블 정크션), 3개 이상은 다중 접합(멀티 정크션)이라 한다.그림 (10) p-n 접합방법① 무접합p형과 n형 반도체만으로 된

  리포트 | 20페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.05.08

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  상품가치를 높여주는 후가공(finishing)

  조립에 의해 목적하는 형상,기능을 얻는 가공연기계적 접합 가공접착가공용제접착가공용융착가공마 커터에 의한 가공입자에 의한 가공성형품의 표면 물성이나 의장 상의 장식효과를 얻을 목적으로 ... 가스를 보내 피 용접 플라스틱에 불어 붙여서 용접하는 방법피접착 필름을 리본 히터에 급속히 강전류를 흘리고 가열용접 하는 고속필름 용접법40~70MHz의 고주파 전계에 유전체 역률이 ... 메터라이징플라스틱의 표면에 진공증착이나 도금에 의해서금속 층을 형성하는 것.종류 및 이용특징- 기계적 성질의 향상- 내열성의 향상- 내후성의 향상- 흡수성의 억제- 도전성의 부여- 경량화에의 효과가

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.07.24

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  태양전지의 원리 및 효율에 관한 보고서

  이러한 p-n접합 반도체 양단에 광을 비추면 전압이 공급되지 않더라도 공전전하영역에 전계가 존재하게 된다. ... 태양전지-태양광 에너지를 바로 전기에너지로 변환하는 광전지로서 p-n접합된 반도체나 금속-반도체의 접촉면에 태양광을 조사하면 광전효과에 의해 광기전력이 발생되는 것을 이용한다. p-n접합 ... 이를 반도체의 광전효과라고 한다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.11.29

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  포토다이오드

  또 광전 효과의 결과 반도체의 접합부에 전압이 나타나는 현상을 광기전력 효과라 부르고 있습니다. ... 형성된 전자와 정공쌍이 공핍층에서 형성 되었을 경우는 바로 전계에의해 가속되고 전자는 N층으로 정공은 P층으로 이동하게 한다.또 전자와 정공쌍이 P층과 N층에서 발생한 경우에는 P층의 ... 전자와 N층의 정공은 확산하게 되는데, 공핍층에 이르게 되면 전계에 의해 더욱 가속되고 각각 P층, N층에 들어와 전하가 축적되게 된다.이 때 외부의 부하를 단자에 접속하면 빛에너지를

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.10.16

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  전력전자 레포트 [트랜지스터(Transistoe),MOSFET]

  전계효과 트랜지스터를 가리킨다. ... 보통 트랜지스터는 접합형 트랜지스터(Bipolar Junction Transistor: BJT)를 의미하며 전기장 효과를 이용한 전기장 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor ... 저항층 게이트 전계효과 트랜지스터 (insulated-gate field-effect transistor, IGFET)는 모스펫과 거의 동의어이며 산화되지 않은 게이트 저항층을 갖는

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.23 | 수정일 2016.08.27

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  태양광에너지 발표자료

  이동하다가 PN 접합에 의해 생긴 전계에 들어오게 되면 전자 (-) 는 N 형 반도체에 , 정공 (+) 은 P 형 반도체에 이르게 됨 . ... 이 PN 접합에 의해 전계 ( 電界 ) 가 발생함 이 태양전지에 빛이 입사되면 반도체내의 전자 (-) 와 정공 (+) 이 여기되어 반도체 내부를 자유로이 이동하는 상태가 됨 자유로이 ... 태양광 발전은 태양광 , 즉 빛을 직접적으로 전기에너지로 변환하는 기술로 햇빛을 받으면 광전효과에 의해 전기를 발생시키는 태양전지를 이용한 발전방식이다 .

  리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.05.25

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  트렌지스터의 특성 예비+결과

  전계효과 트랜지스터는 게이트 아래에 놓인 절연층에 의해 축전기 구조가 형성되어 공핍층에 의한 유사 교류 축전기만을 가지는 접합형 트랜지스터에 비해 동작 속도가 느리고 전송 컨덕턴스가 ... 다이오드는 p-n접합구조로 이루어져 있으며 트랜지스터는 pnp 또는 npn 접합구조로 이루어 졌다.2)바이폴라 접합 트랜지스터(BJT: bipolar junction transister ... 그림.2(a)은 npn접합의 모형도와 회로 기호이며, 그림.2(b)은 pnp 접합의 모형도와 회로 기호이다.

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.04.20

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  전자회로실험12예비-JFET의 소신호 증폭회로

  .- 게이트에 역 바이어스를 인가하면 접합부 공핍층 내 전계가 게이트를 확장하게 되어 채널 폭이 감소되고, 역 바이어스를 더 가해주면 게이트는 더욱 증가하여 채널이 막혀 전류가 흐르지 ... 즉, 게이트에 걸어주는 바이어스 전압은 드레인 전류를 효과적으로 제어하게 한다.(3) 소스 공통 및 드레인 공통 구성의 입출력 위상 관계의 차이점을 기술하고 설명하여 라.- 위의 (

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.15

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  유기태양전지 보고서 래포트 자료.

  이 PN접합에 의해 전계가 발생하게 되는 것이다.이 태양전지에 빛이 입사되면 반도체내의 전자(-)와 정공(+)이 해리 되어 반도체 내부를 자유로이 이동하는 상태가 된다. ... 이 둘은 자유로이 이동하다가 PN접합에 의해 생긴 전계에 들어오게 되면 전자(-)는 N형 반도체에, 정공(+)은 P형 반도체에 이르게 된다.그리고 P형 반도체와 N형반도체 표면에 전극을 ... , 설비만 갖춰놓는 다면 무한의 에너지를 쓸 수 있기 때문에 개발·연구비용이 과하다고는 볼 수 없다.태양전지는 단순하게 설명하자면 빛 에너지를 전기에너지 형태로 전환한 것이며 광전효과를

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.10.26

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  LCD, Laser Diode, LED의 원리와 특징

  이 상은 전계가 인가되지 않았을 때는 등방성을 지니나, 전계가 인가되면 전계의 방향에 따라 이방성이 유도된다. ... 갈륨과 비소의 p형 반도체와 n형 반도체를 접합시킨 반도체로 p-n접합 다이오드에 전류를 흘려 들뜨게 하여 레이저를 발진시키게 된다.갈륨과 비소의 p-n접합 다이오드에 순방향(p형으로부터 ... 이러한 전계응답특성을 활용하여 매우 빠른 응답속도와 배향공정이 필요 없는 LCD를 구현할 수 있다.

  리포트 | 27페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.11.08

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  [반도체공정설계] Silvaco사의 T-CAD를 이용한 PN Diode 설계 자료입니다.

  의한 것으로, 접합에서 전계가 커질수록 전자와 홀의 tunneling을 막는 포텐셜 장벽의 폭이 좁아지므로 일정 전계 이상부터 Zener breakdown 발생하다.② Avalanche ... 정도의 역방향 바이어스를 걸어주더라도 다수 캐리어에 의한 확산전류 성분은 거의 없다.3) 항복 다이오드(breakdown diode)① Zener breakdown양자역학적 터널링 효과에 ... p-type과 n-type 영역이 생기도록 하는 방법이다.2) 바이어스 인가 시 PN junction① 정방향 바이어스 시 PN junction다이오드의 양단에 순방향 전압 V가 걸려서, 접합에

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.12

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  제너다이오드 특성 실험

  PN접합의 Breakdown영역에서 동작특성이 나타나도록 제작된 다이오드로 주로 정전압용으로 사용된다. ... 제너(Zener)항복은 Avalanche 항복과달리 다이오드가 강하게 Dopping되면 공핍층이 좁아지므로 공핍층에서 생기는 전계의 세기가 300,000[V/cm]정도가 되면 가전자대 ... 확실히 큰 차이점을 발견할 수 있기 때문에 제너다이오드 특성과 아주 비슷한 결과가 나타났다고 볼 수 있다.두 번째 실험은 제너다이오드와 병렬로 부하를 연결한 후 제너다이오드의 정전압효과를

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.10.28

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  LED

  LED 라고도 불리며 , 발광 원리는 전계발광 효과를 이용하고 있다 . 또한 수명도 백열전구보다 상당히 길다 . ... 현대재료동 작원리 및 전기적 특성 발광 다이오드는 반도체를 이용한 PN 접합이라고 불리는 구조로 만들어져 있다 . ... 현대재료재 료와 발광색 발광되는 빛의 파장 ( 색 ) 은 PN 접합을 형성하는 소재의 띠 간격의 크기와 관련있다 .

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.13 | 수정일 2014.05.07

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  물질의세계

  이 구멍은 공유결합의 손이 없는 부분으로서 밖에서 전계를 가하면 전자가 쉽게 이 구멍으로 들어가서 구멍을 막는다. ... 끊임없이 침입해오는 마진 바이러스의 증식을 방지해주기 때문이다.이와 같이 면역이란 외부에서 체내(자기 자신)에 침입해오는 이물질(비자기 자신)을 인식하여 신속히 이것에 반응하여 효과적으로 ... 발광다이오는 실리콘이 아니라 가륨비소나 인듀림 등의 반도체의 PN접합에서 만들어지며, 순방향으로 전류를 가하면 발광한다.

  리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.26

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  LED, 7세그먼트, 텍스트 LCD 디바이스드라이버

  ) 효과를 이용. ... LED◈ Light Emitting Diode라고도 불리며, 발광 다이오드(發光diode)는 순방향으로 전압을 가 했을 때 발광하는 반도체 소자◈ 발광 원리는 전계 발광 (Electroluminescence ... LED 원리◈ LED는 반도체를 이용한 PN 접합이라고 불리는 구조로 만들어져 있다.

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.10.25

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  트랜지스터 전압 전류 특성(실험보고서)

  .- 트랜지스터의 종류에는 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)와 전계 효과 트랜지스터(FET)- BJT는 2개의 p-n 접합으로 이루어져 있는데 전자와 양공이 전도과정에 관여한다는 점에서 ... junction transistor)전계효과 트랜지스터(FET, Field effect transistor)절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT, Insulated gate bipolar ... 효과 트랜지스터- 접합형 FET 와 MOS 형 FET 및 GaAs형이 있다.- 접합형 FET는 오디오 기기 등의 아날로그 회로에 사용되는 경우가 많으며,MOS 형 FET는 주로 마이크로

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.12.11

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  그린에너지 관련 조사 : 태양전지 중 염료감응태양전지

  태양전지의 원리는 반도체의 pn접합과 광전효과를 이용한 것이다. 아래 그림은 태양전지의 기본적인 그림이다. ... 전자 정공 쌍은 내부전계에 의해 전자는 n형 쪽으로 가고 정공은 p형 쪽으로 가게 된다. ... 작업전극과 상대전극의 테두리에 열가소성 수지를 놓고 핫프레스를 이용하여 두전극을 접합시킨다. 접합된 전극사이에 전해액을 주입하고 밀봉하면 염료감응 태양전지가 완성된다.

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.07

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  전력전자공학에 대한 개론

  금속산화물 전계효과 트랜지스터 (unipolar transistor)(MOSFET : metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)3. ... 컷-오프영역에서 트랜지스터가 오프되면, 베이스 전류는 이것을 턴온시키기 에는 충분하지 않게 되며 두 접합면은 역방향 바이어스 된다. ... 우수우수우수달링턴형우수우수우수불량불량유니폴러형MOS-FET불량매우 우수우수매우 우수매우 우수□ 양극성 접합 트랜지스터양극성 트랜지스터□ 정상상태 특성그림 NPN 트랜지스터의 특성ㅇ

  리포트 | 126페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.11.30

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