"이온질화" 검색결과 301-320 / 711건

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  표면경화

  표면피복에 의한 개질법에는 도장, 도금, 육성용접, 물리증착(PVD) 및 화학증착(CVD) 등이 있고, 조직변화에 의한 개질법에는 침탄, 질화, 이온주입 및 금속확산 등이 있다.우리가

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.12.22

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  금속 산화물 및 질화물의 합성 및 특성 예비보고서

  "ABO3"라고 불리우는 이 결정구조에서는 B 위치에 들어가는 금속 이온과 이를 둘러싼 산소 이온들이 정팔면체를 이루며, 이러한 정팔면체들이 cubic 구조로 배열하게 된. ... 금속 산화물 및 질화물의 합성 및 특성2007년 4월 13일금속 산화물 및 질화물의 합성 및 특성1. ... 분말의 합성법 중에서 공업적으로 많이 사용되고 있는 합성법은 다음의 두 가지이다: 금속알루미늄을 고온에서 질소 혹은 암모니아 기체와 직접적으로 질화반응시키는 직접질화법(direct

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.03.09

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  강 표면 경화

  의해 이루어지며 혼합비율에 따라 질화효과에 많은 차이가 있다.c) 이온 질화- 글로우(GIOW)방전 에너지에 의해 질소 가스를 이온화하여 생겨진 N+ 이온이 (-)극의 처리물 표면에서 ... 이온 연질화 시에는 위와 같은 반응과 침탄성 가스에서 공급되는 CO가스에 의하여 이루어 진다.19. ... 따라서 이 방법을 침탄·질화법 또는 액체 침탄법이 라 부르고 있다.a) 액체 질화(liquid nitriding)- 염욕에 의한 질화 처리.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.19

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  용접 결합과 피복제 역할 레포트

  그러나 피복 용접봉을 사용하면 용접 열에 의해 연소된 피복제의 가스가 이온화되어, 이 이온으로 전류가 끊어 졌을 때에도 아아크를 계속 발생시키므로 아아크가 안정된다. ... 있다.1) 용착 금속을 보호한다.용접 작업은 공기 중에서 금속을 매우 높은 온도에서 녹이는 작업이므로, 작업 중에 공기 중의 산소나 질소가 고온의 용융 금속과 반응하여 산화물이나 질화물을

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.16

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  [공학] 전자 제품의 증착부품 설계시 고려사항

  개 요가스반응 및 이온등을 이용하여 탄화물, 질화물 등을 기관(Substrate)에 피복하여간단한 방법으로 표면 경화 층을 얻을 수 있는 것으로써, 가스반응을 이용한 C.V.D와진공중에서 ... 발생되면 증발된 원자는 이온화되며, 가스이온과 함께 가속되어 기판에충격적으로 입사하여 피복시키는 방법이다.2) 특징① 피막의 밀착성이 매우 우수하고 치밀하다.② 코팅온도가 낮으므로 ... 증착하거나 이온을 이용하는 P.V.D로 대별되며 공구등의 코팅에 이용된다.2.

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.05.15

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  [MOS][CMOS][MOS의 원리][MOS의 제조공정][CMOS의 원리][CMOS의 인터페이스][CMOS 논리계열][회로][반도체]MOS의 원리, MOS의 제조공정, CMOS의 원리, CMOS의 인터페이스, 논리계열의 특징 분석

  질화규소는 화학 부식에 의해 트랜지스터면의 외부를 제거한다. 붕소(P형)이온들은 트랜지스터자리 사이의 원하지 않는 전도를 억제하기 위해 노출된 영역에 주입된다. ... 이 질화규소는 산소에 둔감하므로 트랜지스터 영역에 두꺼운 산화물의 성장을 억제한다.는를 침식하지 않는 부식제에 의해 제거된다. ... MOS의 제조공정CVD과정은 전체 웨이퍼 표면에 질화규소(Si3N4)의 얇은층을 부착시킨다. 첫 번째 사진평판 단계는 형성될 트랜지스터의 면적을 결정한다.

  리포트 | 4페이지 | 5,000원 | 등록일 2009.08.28

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  반도체

  이것을 reactive ion plating이라 하며 질소, 산소 그리고 탄소 함유기체를 넣어 질화물, 기성TiNTiCNTiN + AuTiO2시계부품, 넥타이핀, 브로치, 양식기, ... /λc 값이 증가할수록 최대에너지를 갖는 이온의 비율은 줄어든다.② 이온화에 대한 깊은 고찰ion-plating에서는 막의 특성을 향상시키기 위해서 고려해야 할 몇 가지 현상이 존재한다 ... 이온은 negative glow 끝 지역에서 음극으로 가속되는 동안 일부분이 sheath의 열적 중성입자와 충돌하여 charge 교환을 해서 높은 에너지의 중성입자와 저에너지의 이온을

  리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.02.06

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  금속재료의 성질, 결정 및 특징, 소성변형 특징

  : 양이온으로 변하려는 성질(금속원자는 산 또는 알칼리의 전해질 용액에서 이온으로 되어 용해되는 성질 보유)이온화경향이 클수록 용액에 잘 용해되어 안전한 화합물 구성K Ba Ca ... Pb29.3Zn16.5황동18.4Mg26.0Ni13.2청동17.5Al23.9Pt8.9콘스탄탄15.2Au14.2연강11.6팔라듐11.8Ag19.7경강11.0엘린바8.0Cu16.5주철10.4인바1.2부식 : 금속이 물 또는 대기중, 기타 가스 기류중에서 그 표면이 비금속성 화합물로 변하는것건부식 : 상온또는 고온에서 이루어지는 산화, 질화 ... 가진다금속은 전기 및 열의 양도체이다금속은 전기 및 열의 양도체이다금속은 고유의 광택을 가진다입사광반사광물리적 성질 (비중, 용융점, 비열, 자성등)화학적 성질 (부식, 내식, 이온화등

  리포트 | 42페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.20

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  전기도금과 무전해도금

  자기촉매형 환원도금으로 분류 한다.무전해 도금의 특성기계적 특성 항 장력, 피로 및 연전성, 경도, 내마모성, 내부응력, 마찰, 정밀 가공 등 화학적 특성 내식성, 내약품성, 침 탄/질화 ... 도금폐수처리 공정에서는 이들 다량의 금속이온을 처리하기 위한 방법으로 소석회 등을 사용한 응집, 침전방법을 주로 사용하고 있다. 2. ... 전착 시키고자 하는 금속을 이온을 함유한 전해액 속에 넣고,통전하여 전해 함으로써 바라는 물건의 표면에 전해석출을 하는 것을 이용도금의 과정전기도금의 특징밀착이 좋다.

  리포트 | 25페이지 | 3,500원 | 등록일 2010.06.20

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  마그네슘 코팅

  진공 증착과 스팩터링, ion 플레이팅, ion질화, ion 주입등 여러가지 방법이있고 장식, 기능의 분야에서 활용되고 있다. 특히 반도체 제조에 불가결의 기술이다. ... (단점) 일반적으로 표면 경도가 낮은 것과, 용제 휘발형의 도료로 공해의 문제를 안고 있다.표면경화철강 재료에 대한 침탄과 질화처리, 고주파 담금질이 대표적이며. ... 이전자가 다른데로 가지 않고 바로 구리이온으로 흘러가 구리이온이 Pd 촉매위에 석출이 되어 도포가 되게 됩니다.치환도금 방식은 산화/환원력의 차이에 의해서 발생이 된다.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.01

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  순수배양결과

  저항성(抵抗性)이 강하고 0.02% 질화(窒化)나트륨을 함유하는 배지(培地)에 증식한다2)Bacillus subtilis))바실루스속에 속하는 대표적인 세균종의 일종. ... 미생물의 배양이나 다세포생물의 세포배양 또는 조직배양에서는 환경요인으로서 대부분의 경우 온도·빛·삼투압 등의 물리적 환경조건, 산소·이산화탄소·영양물질·수소이온·산화환원전위 등의 화학적환경조건이

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.04.27

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  지수양식과 수질

  즉, 비광합성(非光合成) 방법으로 소량이지만 유기물을 만든다.질화과정은 양어지내 암모니아 농도를 감소시키는 작용이다. ... 유리밤: 이산화탄소 농도증가 – 수소이온 농도증가- pH 감소 낮: 이산화탄소 농도감소 – 수소이온 농도감소 – pH 증가낮밤1. ... 이산화탄소와 pH 관계중성부근에서 이산화탄소는 중탄산이온(HCO3-)의 현태로 존재: 식물성 플랭크톤이 광합성에 이용하는 이산화탄소는 중탄산이온담수 플랭크톤 및 조류표층수에 존재하는

  리포트 | 50페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.04.29

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  재료학-세라믹(레포트)

  세라믹의 개념세라믹의 정의금속 재료비금속 무기재료무기재료Na, Mg, K, Ca 등 양이온으로 구성금속원소들이 음이온과 결합하여 만들어진 물질자연계에 존재하는 비금속 무기재료는 대리석 ... 세라믹의 개념세라믹의 정의도자기나 유리, 시멘트와 같은 제품에 오래전부터 사용하여 오던 세라믹을 구세라믹이라고 함 고도로 정제된 세라믹 원료에 새로운 산화물이나 질화물을 섞어, 종래 ... 약함열적성질 – 열전도율이 적고 열 팽창률 거의 없음광학, 화학적성질 – 특정한 빛을 투과하거나 반사 혹은 흡수 화학적 성질을 극대화함전기적성질 – 고절연성, 초전성, 반도성, 이온전도성

  리포트 | 60페이지 | 3,500원 | 등록일 2011.11.14

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  분석실험레포트(티오황산나트륨과요오드표준용액제조)

  특징요오드 이온의 존재에서 요오드와 반응해 강하게 색을 띤다. ... 요오드산염이 되고, 왕수에서 일염화요오드를 만들며, 황산과 염산은 작용하지 않으며, 과산화수소는 중성에서 요오드와 반응하고 산소를 발생해서 요오드화수소를 생성, 암모니아와는 폭발성의 질화요오드를 ... 특히, 분석법의 양부를 결정하는 기준인이므로 요오드이온이 공기산화되지 않도록 적정은 신속하게 행해야 한다.

  리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.11.20

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  수소 제조기술 발표자료(PPT)

  Ex) 질화칼륨 or 산화아연을 섞은 노란색 분말 + 특정 보조 촉매 = 광촉매(햇빛의 46%를 차지하는 가시광선에도 반응)효율 10배↑광촉매와 생물학적 방법 융합광촉매 : 햇빛을 ... 흡수하고 전자쌍을 생성하는 역할 바이오촉매 : 수소이온 환경 생성하는 역할물분해 효율 27% ↑참고자료참고 도서 수소 에너지의 최전선 문부과학성 과학기술정책연구소 과학기술연구동향연구센터

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.06.19

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  고온 초전도 재료의 전기적 특성 평가(예비)

  대부분 납이나 니오븀 화합물을 중점적으로 연구하였는데, 질화니오븀(NbN)이 16K, 니오븀주석(Nb3Sn)에서 18K에 이르렀고, 1970 년대 중반 니오븀게르마늄(Nb3Ge)에서 ... Mo6Se8 등 Mo-S(Se, Te) 화합물의 쉐브럴 상 (Chevral phases) 초전도체가 있고, 정20면체 모양의 C60 풀러렌(fullerene)에 칼륨(K) 등의 금속 이온을

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.04.23

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  녹생성장

  현재 LED용 형광 소재로 응용하기 위해서 산화물계, 황화물계, 포스페이트계, 셀레나이드계, 질화물계 등이 연구되고 있다. ... Eu2+ 이온이 사용된다. ... 이들 금속 이온은 란탄계열로서 4f 궤도를 가지고 있으며, 이 f 궤도의 전자가 외부의 광에너지를 받아 여기되었다가 바닥상태로 떨어 높이는 연구를 진행하고 있으며, 이때 Eu2+이온을

  리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.03.29 | 수정일 2016.04.15

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  인공 다이아몬드

  진공 펌프-이온 주입법이온 주입법은 반응성 전자 빔 증발법으로 물리적 기상 증착법의 한 종류이다. ... 더욱이 IC 칩이 대형화 되면서 TAB 툴도 커야 하므로 소결 다이아몬드나 고압 합성다이아몬드가 이용되고 있다.최근에는 크기가 2.5㎝각 정도까지 요구되어 질화규소 표면에 다이아몬드를 ... 스퍼터링은 알곤 이온의 충돌에 의하여 금속 표면으로부터 코팅 재료를 분리시키는 방법이지만 이온 주입법은 저 전압 아크를 이용하여 금속 코팅 재료(티타늄, 또는 크롬)를 증발시키는 방법이다

  리포트 | 44페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.12.07

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  반도체공정-유전체증착

  -IC 에서 device isolation 에 사용되는 local-oxidation 공정에서 block oxidation 을 위한 mask 로 질화규소 (Silicon Nitride ... ① 고려해야 할 사항 a) pinhole 발생 억제 b) 보호막 자체의 장력 , 보호막과 하부층의 장력을 감소시켜 크랙 (crack) 발생 억제 c) 보호막 내에 침투된 이동성 이온의 ... 진행기상증착형 (CVD) 저유전물질 반도체 공정에서의 CVD 기술은 진공 하에서 공정이 이루어지고 있기 때문에 반도체 공정에 있어 가장 중요한 고려 대상인 먼지나 대기중에 존재하는 이온

  리포트 | 26페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.05.19

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  플라즈마 공정

  실리콘 질화막(Si3N4) 회로의 기판을 외부 환경의 염분기나 수분, 충격으로부터 보호. 텅스텐(W)플러그 금속 배선의 층과 층을 연결. ... 표면개질 : Plasma에 의해 활성화 된 이온이나 전자들에 의해 고체 표면을 화학적으로 개질하는 것. ... 증착 속도는 activa 로 흘려주면 타겟 물질과 충돌하여 이온화되어 증기 형태의 물질이 방출되어 웨이퍼 기판에 증착된다.

  리포트 | 31페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.01.16

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