BJT CE 증폭회로 바이어스 설계

소개글

전자회로 1의 BJT실험-만점 보고서

목차

1. 실험 목적

2. 실험 내용, 방법

(1) 베이스 및 컬렉터 저항 회로 실험
(2) 이미터 저항 회로 실험
(3) (2)와 동일한 바이어스 조건을 가지는 4 저항 회로 실험
(4) 추가 실험 : 컬렉터 전류의 식에 각 파라미터에 해당하는 실제 값들을 대입하여
특성 곡선 상에 load-line 나타내기

3. 실험 결과

(1) 베이스 및 컬렉터 저항 회로 실험
(2) 이미터 저항 회로 실험
(3) (2)와 동일한 바이어스 조건을 가지는 4 저항 회로 실험
(4) 추가 실험 : 특성 곡선 상에 load-line 나타내기


4. 토의

(1) 베이스 및 컬렉터 저항 회로 실험
(2) 이미터 저항 회로 실험
(3) (2)와 동일한 바이어스 조건을 가지는 4 저항 회로 실험
(4) 추가 실험 : 특성 곡선 상에 load-line 나타내기


5. Reference

본문내용

1. 실험 목적

BJT의 베이스와 콜렉터 저항만을 이용한 회로에서 바이어스(bias)를 설계하고 측정한 후 이미터 저항을 첨가하여 동일한 내용의 실험을 수행한다. BJT의 각 단자에 순차적으로 저항을 연결하여 각 경우 회로 특성을 살펴본다. 최종적으로 베이스 저항을 2개 사용하여 4 저항 바이어스 회로를 설계하고 바이어스 특성을 측정하면서 BJT 특성 변동에 따른 안정성을 검증한다. 이러한 과정을 통하여 바이어스 회로의 설계 기법을 습득하고 직류 측정 결과를 분석하는 것이 본 실험의 목적이다


2. 실험 내용, 방법

(1) 베이스 및 컬렉터 저항 회로 실험

아래의 회로는 예비 보고사항에서 설계한 회로이며, 실제 실험 시 이 회로를 사용하였다.

베이스 쪽의 저항과 컬렉터 쪽의 저항의 설계에 대한 근거는 예비보고서에서 언급하였다.

(2) 이미터 저항 회로 실험

아래의 회로는 예비 보고사항에서 설계한 회로이며, 역시 실제 실험 시 그대로 사용하였다

베이스 쪽의 저항과 컬렉터 쪽의 저항, 이미터 저항의 설계에 대한 근거는 예비보고서에서 언급하였다.
R_B= 29.67 kOhm
R_C= 2.97 kOhm
R_E= 0.98 kOhm
실제 실험에서 사용한 저항 값들이다.

(3) (2)와 동일한 바이어스 조건을 가지는 4 저항 회로 실험

아래의 회로는 실제 실험 시 사용했던 회로이다.

예비 실험시 설계한 회로와 비교하여 저항값에 있어 변화가 있었는데 (2)에서 설계한 컬렉터 쪽의 저항과 이미터 쪽의 저항값을 그대로 유지시키면서 같은 바이어스 조건을 가지도록 베이스 쪽의 2개의 저항값을 조정하다보니 이런 차이가 생겼다.
실제 과 을 구현하기 위해 다수의 , , 저항들을 직렬 연결하여 실험하였다.
R_1= 9.10 kOhm
R_2= 2.73 kOhm
R_C= 2.93 kOhm
으로 측정이 되었다.

참고 자료

(1) Microelectronic Circuits Fifth Edition Adel S. Sedra, Kenneth C. Smith
(2) http://www.us.oup.com/us/companion.websites/0195142519/instructorresources