[전자회로실험]사전5_8.쌍극성접합 트랜지스터(BJT) 특성

소개글

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[기초전자회로실험 : BOYLESTAD, NASHELSKY / 인터비젼]을 기본으로 작성한 전자회로실험 보고서로 A+받은 레포트입니다. 페이지는 제한이 있어서 페이지가 많지는 않지만, 여러가지 책을 참고문헌으로 사용했고, 책의 모든 실험에 대해 피스파이스 시뮬레이션 및 결과를 확인할 수 있습니다.

- 디지털 멀티미터(DMM)을 사용하여 트랜지스터의 형태(npn, pnp), 단자, 재료를 결정한다.
- 실험적 방법과 곡선 추적기(curve tracer)를 이용하여 트랜지스터의 콜렉터 특성을 조사한다.
- 트랜지스터의 α와 β값을 결정한다.
"

목차

"1.실험목적
2.이론
1)BJT동작이론
2)BJT의 전류원
3)트랜지스터 파라미터
4)트랜지스터 특성
-공통베이스특성
-공통이미터특성
-공통콜렉터특성
3.사용기기 및 부품
4.실험순서
1)컬렉터특성
2)알파와 베타의 변화
5.참고자료"

본문내용

1. 실험목적
- 디지털 멀티미터(DMM)을 사용하여 트랜지스터의 형태(npn, pnp), 단자, 재료를 결정한다.
- 실험적 방법과 곡선 추적기(curve tracer)를 이용하여 트랜지스터의 콜렉터 특성을 조사한다.
- 트랜지스터의 α와 β값을 결정한다.

2. 이론
트랜지스터는 전압이나 전류의 작은 변화를 큰 변화가 되도록 증폭시키는 역할을 한다. 이때 입력으로 소신호(small signal)를 인가하여 output으로 큰 전류나 전압의 변동을 얻게 된다. 트랜지스터는 바이폴라 접합형과 전계효과형이 있는데, 이번 실험에서 사용하게될 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)는 전하 캐리어로 전자와 정공을 모두 사용한다. BJT는 두개의 pn접합을 포함한 3단자 반도체 소자로 구성된다. 그 형태는 아래와 같다.

위는 npn 트랜지스터로 p영역에 의해 두개의 n영역이 나뉘어 각각을 이미터(E), 베이스(B), 컬렉터(C)라 한다. 이때 베이스 영역과 이미터 영역을 연결하는 pn접합을 베이스-이미터 접합이라 하고,

참고 자료

-기초전자회로실험 : BOYLESTAD, NASHELSKY / 인터비젼 / 2006 / p81~89
-전자회로 (제6판) : BOGART / Prentice Hall / p92~129
-마이크로전자회로 : Sedra, Smith / 한티미디어 / 2008 / p418~(chapter5)
-PSpice 기초와 활용 : 백동철 / 복두출판사 / p267~271
-All DataSheet : http://www.alldatasheet.com/
-http://fourier.eng.hmc.edu/e84/lectures/ch4/node4.html