[전자회로실험]사전_2-4.다이오드 특성,직렬 및 병렬다이오드 회로,반파 및 전파정류

소개글

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[기초전자회로실험 : BOYLESTAD, NASHELSKY / 인터비젼]을 기본으로 작성한 전자회로실험 보고서로 A+받은 레포트입니다. 페이지는 제한이 있어서 페이지가 많지는 않지만, 여러가지 책을 참고문헌으로 사용했고, 책의 모든 실험에 대해 피스파이스 시뮬레이션 및 결과를 확인할 수 있습니다.

목차

1.실험목적

2.이론
1)다이오드 특성
2)직렬 및 병렬 다이오드 회로
3)반파 및 전파정류

3.사용기기 및 부품

4.실험순서
<직렬 및 병렬 다이오드 회로>
1)다이오드 테스트
2)순방향 바이어스 다이오드 특성
3)역방향 바이어스
4)DC저항, AC저항, 온도영향
<직렬 및 병렬 다이오드 회로>
1)문턱전압
2)직렬구성
3)병렬구성
4)정논리 AND게이트
5)브릿지 구성
<반파 및 전파정류>
1)문턱전압
2)반파정류
3)브릿지방식 전파정류
4)중앙-탭방식 전파정류

5.참고자료

본문내용

1. 실험목적
-실리콘과 게르마늄 다이오드의 특성을 익힌다.
-직렬 및 병렬로 구성된 다이오드 회로의 해석 능력을 개발한다.
-반파 및 전파 정류회로를 통해서 정류원리를 익힌다.

2. 이론
1) 다이오드 특성
DMM으로 다이오드의 상태를 결정하는데 사용할 수 있다. 순방향 바이어스가 연결되면 멀티미터는 2mA근처의 전류에서 순방향 전압을 표시한다. 역방향 바이어스로 연결되면 이 영역에서 종종 개방회로임을 보여주는 OL이 디스플레이 상에 나타난다. 만약 멀티미터가 다이오드 상태를 검사할 수 있는 기능이 없다면 다이오드의 상태는 순방향과 역방향 바이어스 영역에서 저항을 측정함으로서 가능하다.
오른쪽의 그래프는 일반적인 다이오드의 특성을 나타낸다. 다이오드에 순방향으로 바이어스 된 경우 문턱전압 VT이상이 될 경우 전압이 증가함에 따라 전류가 급격히 증가하고 그 이하에서는 전류가 흐르지 않는다. Si는 VT=0.7V Ge는 VT=0.3V의 문턱전압을 갖는다. 역방향 바이어스 영역에서 역포화 전류는 0V에서 제너전위까지 거의 일정하다.
특성곡선의 DC저항과 AC저항은 아래 그래프로부터 확인할 수 있다.
-DC저항 : R_DC=V_D/I_D ohms
어떤 점에서 다오읃 전압과 전류의 비로 결정.
-AC저항 : r_d=∆V/∆I ohms
수직 상승 영역에서 다이오드의 AC 저항은 미분학을 이용해 아래와 같이 나타낼 수 있다.
r_d=0.026/I_D ohms

2) 직렬 및 병렬 다이오드 회로
-오른쪽 그래프는 다이오드 특성곡선과 부하선으로부터 회로내에서의 다이오드 동작을 보여준다.
I_D=(E-V_D)/R=-(1/R) V_D+E/R (y=mx+b form)
I_D=I_S (e^(V_D/(ηV_T ))-1)
-위의 두 식으로부터 동작점 Q-point (VDQ,IDQ)를 찾을 수 있다.
3) 반파 및 전파정류
반파 및 전파 정류기의 주 기능은 평균치가 영인 정현파 입력신호를 DC값을 갖는 신호로 만드는 것이다.

참고 자료

-기초전자회로실험 : BOYLESTAD, NASHELSKY / 인터비젼 / 2006 / p14~45
-마이크로전자회로 : Sedra, Smith / 한티미디어 / 2008 / p157~185
-전자회로 (제6판) : BOGART / Prentice Hall / p39~58
-PSpice 기초와 활용 : 백동철 / 복두출판사 / p253~262
-All DataSheet : http://www.alldatasheet.com/