실험6 RC, RL 회로의 과도 응답과 주파수 응답

소개글

• capacitor와 inductor의 전기 소자로서의 특성과 이해
• capacitor와 inductor를 이용해 원하는 기능을 구현하는 회로를 설계할 수 있도록 한다.
• 과도 응답, 임피던스의 개념, 주파수응답, 과도 응답과 주파수 응답 사이의 관계, filter의 개념, 기억 소자 동작 등을 공부한다.

목차

실험 6-1 : RC회로의 과도 응답과 DRAM의 동작 원리
(1) RC회로의 과도 응답
(2) DRAM의 동작 원리
(3) 사람 눈의 잔상 효과
토의사항

본문내용

(1) RC회로의 과도 응답
1❍토의사항
저항과 커지면서 충전과 방전에 시간이 많이 걸리는 이유는? 또 capacitance가 커질수록 충전과 방전에 시간이 많이 걸리는 이유는? 시정수로부터 구한 capacitance값과 capacitor에 표시된 값이 잘 일치하는가? 시정수의 측정에서 파형 발생기와 oscilloscope의 내부 저항이 미치는 영향은?
저항이 클수록 capacitor에 흐르는 전류가 작아져 충전되는데 걸리는 시간 길어진다. 또한 capacitance가 커질수록 전하를 저장할 수 있는 양이 많아져서 충·방전에 시간이 오래 걸린다. 시정수로부터 구한 capacitance의 값과 caacitor에 표시된 값은 매우 작은 차이를 보이며 이는 오차로 생각할 수 있기에 일치한다고 할 수 있다. 시정수 측정 시 파형발생기와 오실로스코프의 내부저항으로 인해서 RC 회로에서 저항값이 실제의 값보다 커지며, 이는 저항과 capacitance의 곱으로 나타내어지는 시정수를 구할 때 영향을 미쳐서 실험값과 이론값의 차이를 발생하게 한다.
❍토의사항
앞의 실험과정 3에서 구한 파형과 어떻게 다른가? 그리고 그 이유는?
시정수가 작아졌음을 알 수 있다. 주파수가 높아질수록 전달함수의 크기가 커져서 입력 신호가 출력으로 전달되는 비율이 커진다. 이는 high-pass filter의 역할을 한다고 할 수 있다.

(2) DRAM의 동작 원리
❍토의사항
capacitor와 스위치로 기억소자를 만들 수 있는가? 또, 읽고 나면 capacitor에 전하의 형태로 저장되었던 데이터가 없어져 다시 읽으면 “0”이 읽혀 원래의 데이터 “1”과는 달라지는데, 이 문제를 해결하는 방법은?
만들 수 있다. capacitor와 MOSFET 스위치로 만들어진 DRAM이 그 예이다. 문제를 해결하는 방법은 전하가 없어지기 전에 재충전을 시켜줘야 한다. 이 동작을 refresh라고 한다.

참고 자료

없음