스퍼터링,비저항

소개글

스퍼터링과 비저항에 관한 레포트

목차

◆ DC, RF sputtering
◇ DC sputtering
◇ RF Sputtering
◆ 비저항
◆ Al 이론적 비저항 수치
◆ 참고문헌

본문내용

회로상에서 target 은 cathode 로 사용되며 높은 음의 전압이 걸린다. 기판은 전기적으로 그라운드(ground) 된 anode 가 되며 target 으로부터 불과 수 인치(inch) 떨어져 있게 된다.
스퍼터 가스로는 보통 Ar 가스와 충돌하여 Ar 이온을 생성하며, 이를 통하여 더 많은 전자가 생성되고 이렇게 생성된 전자가 다시 전장에 의하여 가속되어 Ar 이온을 만들고 하면서 glow discharge가 계속 유지된다.
전자는 anode(기판)으로 이동하며 이온은 cathode로 이동하며 이를 통하여 current flow가 형성되는 것이다. 이온이 target 에 충돌할 때 target 원자가 튀어나옴과 동시에 2차 전자가 target 으로부터 튀어 나온다. 2차 전자는 glow discharge 에 이용되며 glow discharge 를 유지하게 해 준다. target 으로부터 튀어나온 원자는 무질서하게 날다가 기판에 응축되기도 하는데, 이때 박막이 형성되는 것이다. Target에 공급된 전력의 75~95%가 냉각수에 의해 소비되므로, target물질의 열전도도가 중요한 변수가 되며 일원 또는 다원계의 target재료를 사용할 수 있으나, 반드시 전도체여야 한다.
장치구조와 조작이 간단한 장점이 있지만, 낮은 증착속도, 높은 기판온도(target으로 부터의 열방사, 2차전자), 에너지의 비효율성, 방전가스의 압력이 높고, 절연체의 sputtering이 불가능한 단점이 있다.
◇ RF Sputtering
플라즈마를 DC전력공급장치가 아닌 AC전력공급장치로 얻는 방식으로, 비전도성 표적재료의 경우 DC전력공급장치를 사용할경우 피처리물 표면에 전학 축척되어 스퍼터링할 수 없는 경우에 사용한다. 만일 전극주위에 플라즈마가 모여 있고 AC전압이 작용된 경우, 전자와 이온은 질량의 차이로 전자의 이동도가 더 크므로 음극에 발생된 것보다 훨씬 더 많은 전자전류가 양극에 발생될 수 있다. 이때 플라즈마 전압에 대하여 부전위가 흘러 피처리물을 스퍼터링할 수 없게 된다. 이러한 경우 AC전류를 전극에 통하면 유동 전위보다 부(-)인 전극에 흐르는 전자전류보다 정(+)인 전극에 흐르는 전류가 많게 된다.

참고 자료

-반도체 단위 공정론 / 국립한밭대학교 특성화사업단
-네이버 백과사전
-수업자료