epitaxy

소개글

epitaxy 공정

목차

1. Epitaxy
2. Epitaxy 종류

본문내용

Epitaxy는 그리스 문자 epi(위에)와 taxis(배열)의 합성어로서 결정구조를 갖는 물질(기판)위에 기판과 같거나 또는 다른 결정 구조를 갖는 물질을 성장시키는 기술을 뜻한다. 그리고 epitaxy는 기판 결정의 용융점보다 훨씬 낮은 온도에서 행하며 성장막의 표면에 적절한 원자를 공급하기 위하여 다양한 방법이 사용된다.

에피택시는 방법에 따라 크게 세가지로 분류되는데, 액상에피택시(liquid phase epitaxy, LPE), 기상에피택시(vapor phase epitaxy, VPE), 분자선에피택시(molecular beam epitaxy, MBE)등이 있으며, 최근에는 서로 결합된 방법도 많이 사용된다.
1) 액상에피택시(liquid phase epitaxy, LPE)
LPE법은 많은 반도체 결정들을 용융점보다 훨씬 낮은 온도에서 성장시킬 수 있는 기술이다. 반도체와 제2의 원소의 혼합물은 그 반도체 자체보다 낮은 온도에서 녹기도 하기 때문에, 이러한 혼합물 용액으로부터 결정을 성장시키는 것이 유리한 경우가 종종 있다. 예를 들어 GaAs의 용융점은 1238℃ 이나 금속 Ga와 GaAs의 혼합물은(이 혼합물의 조성비에 따르지만) 상당히 낮은 용융점을 갖는다. 따라서 GaAs 시드 결정을 그것 자체가 용융되는 온도보다 낮은 온도에서 녹는 Ga+GaAs 용액 속에 담가둔 후, 이 용액을 용융점(melting point)으로부터 서서히 냉각시키면서 단결정의 GaAs 층을 시드 결정 위에 성장시키는 것이다. GaAs가 응고하여 용액을 벗어나고 고체 결정(즉, 시드 결정) 위에 성장됨에 따라 용액의 Ga 농도는 더욱 증가하게 되고 이에 따라 용융점은 더욱 저하되게 된다. 이것을 계속 냉각시키면 GaAs는 더욱 용액을 벗어나고 결정성장은 지속되는 것이다. 이 기술은 충분히 낮은 온도에서 단결정을 성장시킬 수 있어, 시드 결정의 용융 온도에서 결정을 성장시킬 때 생기는 불순물 주입 문제와 같은 여러 가지 문제들을 피할 수 있다.

참고 자료

없음