[전자공학실험] FET (Field Effect Transistor)

소개글

[전자공학실험] 아날로그 실험 결과 레포트입니다.

목차

1. titleFET(Field Effect Transistor)
2. abstract
3 background
4. simulation
5. experimental result
6. conclusion

본문내용

1. titleFET(Field Effect Transistor)
2. abstract
2.1. 실험을 통하여 n-channel MOSFET 의 전압특성을 알아보고, VGS(th)의 전압을 구해 본다.
2.2. FET 바이어스에 관한 사항들을 MOSFET사용한 공통소스 증폭기를 설계하고, 바이폴라 트랜지스터와의 차이점을 알아본다.
3. background
3.1. 실험 1 - 실험 6-1과 같이 MOSFET를 이용하여 게이트-소오스 전압을 조정하여 FET의 전류-전압 특성을 조사하라. VGS전압을 예측하라.


공핍형 MOSFET
3.1.1. 드레인 소스 사이에 실제 채널이 삽입되는 형태로 구성
3.1.2. 결과적으로 전압 VDS가 가하여 지면 드레인과 소스 사이에 전류 iD가 존재
3.1.2.1. n채널 공핍형 MOSFET
3.1.2.1.1. p형 불순물이 있는 p기판위에 구성
3.1.2.1.2. n형 소스와 드레인 영역- n채널 양끝과 소스 및 드레인의 알루미늄 접속단자 사이의 낮은 저항의 연결을 만들어줌
3.1.2.1.3. 절연체 SiO2층 - n채널 표면위에 만듦
3.1.2.1.4. 알루미늄층을 SiO2막 위에 증착. 게이트 단자 형성.
3.1.2.1.5. 동작 - 음의 VGS가 전자를 채널 영역에서 몰아내어 채널을 공핍
3.1.2.1.5.1. VGS가 Vp에 도달하면 채널은 핀치오프된다.
3.1.2.1.5.2. 양의 VGS는 채널의 크기를 증가시켜 결과적으로 드레인 전류를 증가시킨다.
3.1.2.2. p채널 공핍형 MOSFET
3.1.2.2.1. n채널 공핍형과 모두 같으나 n과 p가 반대이며, 전압 및 전류의 극성이 반대인 것만이 다르다.
3.1.2.2.2. 양 또는 음 모두의 VGS에서 동작

참고 자료

없음